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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AT45DQ321-SHFHJ-T | 3.8000 |  | 8 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | AT45DQ321 | Destello | 2.3V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 512 bytes x 8192 Páginas | SPI | 8 µs, 4ms | ||||
 | CY7C199CN-15VXC | - | | 9040 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de Ancho) | CY7C199 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 28-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.350 | Volante | 256 kbit | 15 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 15ns | Sin verificado | |||||
 | S29GL256S10TFB013 | 8.5225 | | 3919 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, GL-S | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29GL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 256Mbit | 100 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
 | 726718-B21-C | 145.0000 | | 2059 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-726718-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | M30162040108X0ISAR | 35.9217 | | 6449 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | M30162040108 | Mram (Ram Magnetoresistivo) | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 800-M30162040108X0ISARTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 108 MHz | No Volátil | 16mbit | RAM | 4m x 4 | SPI | - | ||||
 | W29GL256PL9T TR | - | | 5805 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | W29GL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 256Mbit | 90 ns | Destello | 32m x 8, 16m x 16 | Paralelo | 90ns | ||||
 | AS4C64M16MD2-25BCN | - | | 8236 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-vfbga | AS4C64 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-FBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-1412 | EAR99 | 8542.32.0032 | 128 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | IS21ES04G-JQLI | - | | 4520 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | IS21ES04 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100-LFBGA (14x18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS21ES04G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | EMMC | - | |||
 | 71V35761S200PFG8 | 8.5003 | | 5135 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 71v35761s | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.1 NS | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | |||
 | W948D6KBHX5I | 3.0563 | | 4592 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | W948D6 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 312 | 200 MHz | Volante | 256Mbit | 5 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | 24AA16H-I/P | 0.7300 | | 223 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 24AA16 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8 pdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 60 | 400 kHz | No Volátil | 16 kbits | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | CY7C1319KV18-250BZC | - | | 3003 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1319 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 250 MHz | Volante | 18mbit | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | ||||
 | MT53B512M32D2DS-062 AAT: C | - | | 9105 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | ||||
 | S29GL128S11DHBV10 | 5.7400 | | 7528 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-S | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 520 | No Volátil | 128 Mbbit | 110 ns | Destello | 8m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
| MT53B256M64D2NK-053 WT: C | - | | 3184 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 1.866 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 256m x 64 | - | - | |||||
 | Br24t64nux-wtr | 0.5400 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | BR24T64 | Eeprom | 1.6v ~ 5.5V | VSON008X2030 | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 400 kHz | No Volátil | 64 kbits | Eeprom | 8k x 8 | I²C | 5 ms | ||||
| C-160D3S/4G-TAA | 76.7500 | | 9395 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-160D3S/4G-TAA | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS46TR16128Al-125KBLA2-TR | - | | 5832 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| CAT28C64BG15 | - | | 9172 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-CAT28C64BG15-736 | 1 | Sin verificado | |||||||||||||||||||
 | IS42RM32400G-75BLI | - | | 6179 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | IS42RM32400 | Sdram - móvil | 2.3V ~ 3V | 90-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | Volante | 128 Mbbit | 6 ns | Dracma | 4m x 32 | Paralelo | - | |||
 | AT25640A-10PI-2.7 | - | | 4412 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AT25640 | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8 pdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 20 MHz | No Volátil | 64 kbits | Eeprom | 8k x 8 | SPI | 5 ms | ||||
 | CYD18S72V18-167BBXI | 233.8900 | | 110 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 256 lbGa | CYD18S72 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V | 256-FBGA (17x17) | descascar | 1 | 167 MHz | Volante | 18mbit | 4 ns | Sram | 256k x 72 | Paralelo | - | Sin verificado | |||||||
| M45PE20S-VMN6TP TR | - | | 3369 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M45PE20 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 75 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI | 15 ms, 3 ms | |||||
 | M24C04-WMN6 | - | | 5457 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M24C04 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 400 kHz | No Volátil | 4 kbits | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | AT93C66A-10TI-2.7 | - | | 7352 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 93c66a | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 512 x 8, 256 x 16 | Serie de 3 Hilos | 10 ms | ||||
 | MT29F128G08AMCDBJ5-6IT: D | - | | 7696 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 132-TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 167 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | S29GL512P11TAI010 | - | | 7966 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29GL512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2832-S29GL512P11TAI010 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 512Mbit | 110 ns | Destello | 32m x 16 | Paralelo | 110ns | |||
| CY7C1512KV18-300BZXC | 180.1100 | | 9911 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1512 | Sram - Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 272 | 300 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | ||||
| 7133SA17PFI8 | - | | 8043 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-7133SA17PFI8TR | 1 | Volante | 32 kbits | 17 ns | Sram | 2k x 16 | Paralelo | 17ns | |||||||||
| M24128-BRMN6P | 0.4200 | | 2034 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M24128 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | No Volátil | 128 kbit | 450 ns | Eeprom | 16k x 8 | I²C | 5 ms |
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