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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Mx30uf4g28ac-xki | 6.0210 |  | 3949 | 0.00000000 | Macronix | Mxsmio ™ | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | Mx30uf4 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 220 | No Volátil | 4 gbit | 25 ns | Destello | 512m x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
 | S26KS512SDPBHM023 | 20.8425 | | 6595 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hyperflash ™ KS | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-VBGA | Flash - Nor (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 24-FBGA (6x8) | descascar | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 166 MHz | No Volátil | 512Mbit | 96 ns | Destello | 64m x 8 | Hiperbus | - | ||||||
| UCS-ML-1X324RY-AC | 218.7500 | | 3612 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-UCS-ML-1X324RY-AC | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| MT52L256M32D1V01MWC2 | 18.3600 | | 4830 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | Una granela | Activo | MT52L256 | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| AT45DB021B-CC | - | | 7812 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | Montaje en superficie | 9-TBGA, CSPBGA | AT45DB021 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 9-CBGA (5x5) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 490 | 20 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 264 bytes x 1024 Páginas | SPI | 14 ms | ||||
 | AS7C31024B-10TJCN | 3.1724 | | 8080 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de ancho) | AS7C31024 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 32-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 22 | Volante | 1 mbit | 10 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 10ns | ||||
 | EMMC04G-W627-X01U | 5.4700 | | 4157 | 0.00000000 | Kingston | E • MMC ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 153-FBGA | 1.8v ~ 3.3V | 153-FBGA (11.5x13x0.8) | - | 3217-EMMC04G-W627-X01U | 1 | No Volátil | Destello | 4g x 8 | EMMC_5.1 | Sin verificado | ||||||||||||
 | 24LC1026-I/SN | 4.3000 | | 3 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 24LC1026 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 24lc1026isn | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | No Volátil | 1 mbit | 900 ns | Eeprom | 128k x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | IS43TR82560BL-15HBLI-TR | - | | 3682 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | IS43TR82560 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
 | Upd46365362bf1-e33-eq1-a | 60.1500 | | 352 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 24AA256T-E/MNY | 1.2000 | | 11 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-WFDFN PADERA EXPUESTA | 24AA256 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-TDFN (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | No Volátil | 256 kbit | 900 ns | Eeprom | 32k x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | IS43LD16640C-25BLI | 10.0900 | | 3 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | IS43LD16640 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1.14V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 171 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||
 | MX29GL320ELXFI-70G | 3.0080 | | 9110 | 0.00000000 | Macronix | Mx29gl | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-lbga, cspbga | MX29GL320 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-LFBGA, CSP (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | No Volátil | 32Mbit | 70 ns | Destello | 4m x 8 | Paralelo | 70ns | ||||
 | S29GL128N11FFVR20 | 8.9250 | | 1632 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-N | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL128 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 64-FBGA (13x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 128 Mbbit | 110 ns | Destello | 16m x 8, 8m x 16 | Paralelo | 110ns | ||||
 | IS61NLP204818A-166TQ-TR | - | | 1018 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IS61NLP204818 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 166 MHz | Volante | 36 mbit | 3.5 ns | Sram | 2m x 18 | Paralelo | - | |||
 | CY15B102N-ZS60XA | 22.9300 | | 2 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Automotive, AEC-Q100, F-RAM ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | CY15B102 | Fram (Carnero Ferroeléctrico) | 2V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | No Aplicable | Vendedor indefinido | 2832-cy15b102n-zs60xa | 25 | No Volátil | 2 mbit | 90 ns | Fram | 128k x 16 | Paralelo | 90ns | Sin verificado | ||||
 | MT29F128G08CBCABH6-6: A | - | | 4066 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-VBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | ASA5540-MEM-2GB-C | 55.0000 | | 7451 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-ASA5540-MEM-2GB-C | EAR99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
| 00U0283-C | 22.5000 | | 3270 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-00U0283-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | W631GG6KB11i | - | | 1575 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | W631GG6 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-WBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 933 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | - | |||
 | GS832236AGB-333I | 67.4000 | | 5342 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 119-BGA | GS832236 | Sram - Síncrono, Estándar | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 119-FPBGA (22x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2364-GS832236AGB-333I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 14 | 333 MHz | Volante | 36 mbit | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | |||
 | Cy7C131-55JXI | - | | 6193 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-lcc (J-Lead) | CY7C131 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.32.0041 | 23 | Volante | 8 kbits | 55 ns | Sram | 1k x 8 | Paralelo | 55ns | Sin verificado | |||||
| MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR | - | | 2737 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | MT25QL128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-WPDFN (6x5) (MLP8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | ||||
 | MT52L256M32D1PF-093 WT: B | - | | 6342 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 178-vfbga | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2V | 178-FBGA (11.5x11) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.890 | 1067 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - | ||||||
| Mtfc16gapalgt-s1 it | 17.6400 | | 6046 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | - | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC16GAPALGT-S1IT | 1 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||||
| MT41K512M4HX-187E: D | - | | 7371 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K512M4 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (9x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | Volante | 2 GBIT | 13.125 ns | Dracma | 512m x 4 | Paralelo | - | |||
 | M25P128-VME6TG TR | - | | 1844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Forté ™ | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | M25P128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 50 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI | 15 ms, 7 ms | ||||
 | Cy7C1474V25-167BGC | 129.4200 | | 282 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 209-BGA | CY7C1474 | Sram - Sincónnico, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 209-FBGA (14x22) | - | Rohs no conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 167 MHz | Volante | 72Mbit | 3.4 ns | Sram | 1m x 72 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||
 | CY62148EV30LL-45BVI | - | | 9574 | 0.00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 36-vfbga | CY62148 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 36-vfbga (6x8) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 4.800 | Volante | 4mbit | 45 ns | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 45ns | ||||
 | AT49F001T-12JI | - | | 7135 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | AT49F001 | Destello | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | AT49F001T12JI | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | No Volátil | 1 mbit | 120 ns | Destello | 128k x 8 | Paralelo | 50 µs |
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