SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
4N373S onsemi 4N373S -
RFQ
ECAD 4355 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n37 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N373S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
TIL1113S onsemi Til1113s -
RFQ
ECAD 9205 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Til111 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Til1113s-ndr EAR99 8541.49.8000 1,000 2mera 10 µs, 10 µs (máx) 30V 1.2V 100 mA 5300 VRMS - - - 400mv
FODM3010R4V onsemi FODM3010R4V -
RFQ
ECAD 4319 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 250 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 15 Ma -
H11AV2SR2M onsemi H11AV2SR2M -
RFQ
ECAD 2060 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AV2SR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 70V 1.18V 60 Ma 7500vpk 50% @ 10mA - 15 µs, 15 µs 400mv
FOD2200TV onsemi FOD2200TV -
RFQ
ECAD 1274 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD220 Corriente Continua 1 Tri-estatal 4.5V ~ 20V 8 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 25 Ma 2.5mbd 80ns, 25ns 1.4V 10 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 300ns, 300ns
MOC3043VM onsemi Moc3043vm 2.0400
RFQ
ECAD 800 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc304 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.25V 60 Ma 4170vrms 400 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 5 mm -
MCT2W onsemi MCT2W -
RFQ
ECAD 8577 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT2W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.25V 100 mA 5300 VRMS 20% @ 10mA - 1.1 µs, 50 µs 400mv
H11L1300 onsemi H11L1300 -
RFQ
ECAD 3452 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11L Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 1MHz - - 1.6mA 5300 VRMS 1/0 - -
FOD250LS onsemi FOD250LS -
RFQ
ECAD 4897 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota FOD250 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 7V 1.45V 25 Ma 5000 VRMS 15% @ 16MA 50% @ 16MA 1 µs, 1 µs (max) -
H11D1W onsemi H11D1W -
RFQ
ECAD 9553 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11d Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11D1W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 300V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
MOC3043FR2M onsemi MOC3043FR2M -
RFQ
ECAD 6240 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc304 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3043FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 400 V 400 µA (topos) Si - 5 mm -
H11AA814A onsemi H11AA814A -
RFQ
ECAD 5023 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 MV
MOC3062SR2VM onsemi MOC3062SR2VM 1.2200
RFQ
ECAD 945 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc306 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 10 Ma -
TIL111SVM onsemi Til111svm -
RFQ
ECAD 2227 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Til111 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Til111svm-ndr EAR99 8541.49.8000 1,000 2mera 10 µs, 10 µs (máx) 30V 1.2V 60 Ma 7500vpk - - - 400mv
MOC5008SVM onsemi MOC5008SVM -
RFQ
ECAD 4595 0.00000000 onde Globlooptoisolator ™ Bolsa Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc500 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 1MHz - - 4mA 7500vpk 1/0 - -
FOD050LR2 onsemi FOD050LR2 3.0400
RFQ
ECAD 2903 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD050 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 8 MA - 7V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 15% @ 16MA 50% @ 16MA 1 µs, 1 µs (max) -
TIL111 onsemi Til111 -
RFQ
ECAD 2196 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Til111 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 2mera 10 µs, 10 µs (máx) 30V 1.2V 100 mA 5300 VRMS - - - 400mv
4N37SR2VM onsemi 4N37SR2VM 0.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n37 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
6N136WV onsemi 6N136WV -
RFQ
ECAD 7195 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 6N136 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 mdip descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 300ns -
HMHAA280R1 onsemi HMHAA280R1 -
RFQ
ECAD 1156 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Hmhaa28 AC, DC 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.4V (Máximo) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
H11L3SVM onsemi H11L3SVM -
RFQ
ECAD 5230 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11L Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 3V ~ 15V 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30mera 4170vrms 1/0 - 4 µs, 4 µs
4N33300W onsemi 4N3333300W -
RFQ
ECAD 5772 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4N33 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N3333300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 5300 VRMS 500% @ 10mA - 5 µs, 100 µs (máx) 1v
H11AA4 onsemi H11AA4 -
RFQ
ECAD 9840 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A AC, DC 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA - - 400mv
FODM3051R2V onsemi FODM3051R2V -
RFQ
ECAD 2869 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 15 Ma -
MOC3162FR2M onsemi MOC3162FR2M -
RFQ
ECAD 5643 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc316 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3162FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 600 V 500 µA (topos) Si - 10 Ma -
H11AA33SD onsemi H11AA33SD -
RFQ
ECAD 3576 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A AC, DC 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AA33SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA - - 400mv
HCPL2531SDV onsemi HCPL2531SDV -
RFQ
ECAD 5697 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL2531 Corriente Continua 2 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 300ns -
4N29 onsemi 4N29 -
RFQ
ECAD 3795 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4N29 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 5300 VRMS 100% @ 10mA - 5 µs, 40 µs (máx) 1v
H11B255W onsemi H11B255W -
RFQ
ECAD 1721 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11B Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11B255W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA - 25 µs, 18 µs 1v
HMA121CV onsemi HMA121CV -
RFQ
ECAD 7404 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock