SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
4N37FR2M onsemi 4N37FR2M -
RFQ
ECAD 8753 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n37 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N37FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
MCT2201W onsemi MCT2201W -
RFQ
ECAD 7282 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT2201W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.25V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
MCT271S onsemi MCT271S -
RFQ
ECAD 2707 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT271 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT271S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.25V 100 mA 5300 VRMS 45% @ 10mA 90% @ 10mA 1 µs, 48 ​​µs 400mv
H11AA814A300W onsemi H11AA814A300W -
RFQ
ECAD 4115 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AA814A300W-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 MV
H11A817BS onsemi H11A817BS -
RFQ
ECAD 9892 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A817BS-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 MV
H11C1 onsemi H11C1 -
RFQ
ECAD 3402 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11C Tu 1 SCR 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 200 V 300 mA - No 500V/µs 20 Ma -
MOC3063VM onsemi Moc3063vm 1.4800
RFQ
ECAD 1999 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc306 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 5 mm -
H11B13S onsemi H11B13S -
RFQ
ECAD 7667 0.00000000 onde - Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11B Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11B13S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 25V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 500% @ 1MA - 25 µs, 18 µs 1V
6N137V onsemi 6n137v -
RFQ
ECAD 5171 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 6N137 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 50mera 2500 VRMS 1/0 10kV/µs (TÍP) 75ns, 75ns
HCPL0453R1 onsemi HCPL0453R1 -
RFQ
ECAD 2570 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL04 Corriente Continua 1 Transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 300ns -
H11B1SR2VM onsemi H11B1SR2VM 0.9300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11B1 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 4170vrms 500% @ 1MA - 25 µs, 18 µs 1V
FOD2741AV onsemi Fod2741av 1.9300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD2741 Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
FODM453R1V onsemi Fodm453r1v -
RFQ
ECAD 4317 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables Fodm45 Corriente Continua 1 Transistor 5-Mini-Flat descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.6V 25 Ma 3750vrms 20% @ 16MA 50% @ 16MA 400ns, 350ns -
HCPL2530SD onsemi HCPL2530SD 1.7700
RFQ
ECAD 807 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL2530 Corriente Continua 2 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 7% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 500ns -
MOC8030W onsemi MOC8030W -
RFQ
ECAD 2412 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC803 Corriente Continua 1 Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC803033W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 80V 1.15V 60 Ma 5300 VRMS 300% @ 10mA - 3.5 µs, 95 µs -
4N25M onsemi 4n25m 0.6700
RFQ
ECAD 290 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4n25 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
HCPL2611S onsemi Hcpl2611s -
RFQ
ECAD 5278 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL2611 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 50mera 2500 VRMS 1/0 10 kV/µs 75ns, 75ns
FOD617A300 onsemi FOD617A300 -
RFQ
ECAD 8640 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD617 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 4.000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA - 400mv
H11B815300 onsemi H11B815300 -
RFQ
ECAD 5771 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11B Corriente Continua 1 Darlington 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11B815300-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 80mera 300 µs, 250 µs (MAX) 35V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 600% @ 1MA 7500% @ 1MA - 1V
SL5501300W onsemi SL5501300W -
RFQ
ECAD 3673 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) SL5501 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SL5501300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.23V 100 mA 5300 VRMS 25% @ 10mA 400% @ 10mA 20 µs, 50 µs (máx) 400mv
MOC8112W onsemi MOC8112W -
RFQ
ECAD 9967 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC811 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8112W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 3 µs, 14 µs 70V 1.15V 90 Ma 5300 VRMS 50% @ 10mA - 4.2 µs, 23 µs 400mv
MCT5200W onsemi MCT5200W -
RFQ
ECAD 2780 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MCT5 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT5200W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 1.3 µs, 16 µs 30V 1.25V 50 Ma 5300 VRMS 75% @ 10mA - 1.6 µs, 18 µs 400mv
FODM3052R3 onsemi FODM3052R3 -
RFQ
ECAD 8462 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
H11AA3SVM onsemi H11AA3SVM -
RFQ
ECAD 9662 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A AC, DC 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.17V 60 Ma 7500vpk 50% @ 10mA - - 400mv
MCT2201S onsemi MCT2201S -
RFQ
ECAD 5659 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT2201S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.25V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
CNY17F2TM onsemi CNY17F2TM -
RFQ
ECAD 1903 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
H11D4S onsemi H11D4S -
RFQ
ECAD 3820 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11d Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11D4S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 200V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 10% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
H11G1 onsemi H11G1 -
RFQ
ECAD 4587 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11G Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 100V 1.3V 60 Ma 5300 VRMS 1000% @ 10 Ma - 5 µs, 100 µs 1V
FOD617D onsemi FOD617D -
RFQ
ECAD 4109 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD617 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 160% @ 10mA 320% @ 10mA - 400mv
HMHAA280R2 onsemi HMHAA280R2 1.0100
RFQ
ECAD 2946 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Hmhaa280 AC, DC 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.4V (Máximo) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock