SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
H11G1TVM onsemi H11G1TVM 1.0900
RFQ
ECAD 9631 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11G1 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 - - 100V 1.3V 60 Ma 4170vrms 1000% @ 10 Ma - 5 µs, 100 µs 1V
6N136SDVM onsemi 6N136SDVM 1.8400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota 6N136 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 5000 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 250ns, 260ns -
MCT2201S onsemi MCT2201S -
RFQ
ECAD 5659 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT2201S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.25V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
FODM3052V-NF098 onsemi FODM3052V-NF098 2.0800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 Cur, eres 1 Triac 4-MFP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 450 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
HMA2701AR1V onsemi HMA2701AR1V -
RFQ
ECAD 8053 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA270 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 150% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
HMA121CR3V onsemi HMA121CR3V -
RFQ
ECAD 9863 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 400mv
4N32M onsemi 4n32m 0.7300
RFQ
ECAD 631 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4N32 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 4170vrms 500% @ 10mA - 5 µs, 100 µs (máx) 1V
MOC8050TVM onsemi MOC8050TVM 0.6800
RFQ
ECAD 2195 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC8050 Corriente Continua 1 Darlington 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2832-MOC8050TVM EAR99 8541.49.8000 50 150 Ma - 80V 1.18V 60 Ma 4170vrms 500% @ 10mA - 8.5 µs, 95 µs -
6N136SDV onsemi 6N136SDV -
RFQ
ECAD 3189 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota 6N136 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 500ns -
MOC5008FM onsemi Moc5008fm -
RFQ
ECAD 9762 0.00000000 onde Globlooptoisolator ™ Bolsa Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc500 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 1MHz - - 1.6mA 7500vpk 1/0 - -
FOD4108 onsemi FOD4108 3.9300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD410 CSA, UL 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 1.25V 30 Ma 5000 VRMS 800 V 500 µA Si 10 kV/µs 2mera 60 µs
H11G2SR2M onsemi H11G2SR2M 1.0600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11G2 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.3V 60 Ma 4170vrms 1000% @ 10 Ma - 5 µs, 100 µs 1V
H11L1SVM onsemi H11L1SVM 1.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11L1 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 3V ~ 15V 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11L1SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30mera 4170vrms 1/0 - 4 µs, 4 µs
MOC8101SD onsemi MOC8101SD -
RFQ
ECAD 9442 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8101SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
H11A617B3SD onsemi H11A617B3SD -
RFQ
ECAD 6953 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.35V 50 Ma 5300 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA - 400mv
MOC3052SR2VM_F132 onsemi MOC3052SR2VM_F132 -
RFQ
ECAD 3784 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc305 Ur, vde 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 Ma 4170vrms 600 V 220 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
FODM2701A onsemi FODM2701A -
RFQ
ECAD 9709 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM27 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.4V (Máximo) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
MCT5211 onsemi MCT5211 -
RFQ
ECAD 2777 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MCT5 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.25V 50 Ma 5300 VRMS 150% @ 1.6MA - 14 µs, 2.5 µs 400mv
HCPL3700VM onsemi HCPL3700VM 8.0900
RFQ
ECAD 945 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL3700 AC, DC 1 Darlington 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado HCPL3700VMOS EAR99 8541.49.8000 1,000 30mera 45 µs, 0.5 µs 20V - 50 Ma 5000 VRMS - - 6 µs, 25 µs -
HMA121ER1 onsemi HMA121ER1 -
RFQ
ECAD 1511 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 150% @ 5MA 300% @ 5MA - 400mv
FOD4208SDV onsemi FOD4208SDV 5.1300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota FOD4208 Cul, Fimko, UL, VDE 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.28V 30 Ma 5000 VRMS 800 V 500 µA No 10 kV/µs 2mera 60 µs
MOC3023SVM onsemi MOC3023SVM 0.9100
RFQ
ECAD 3313 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc302 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3023SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 400 V 100 µA (topos) No - 5 mm -
H11C2SD onsemi H11C2SD -
RFQ
ECAD 4557 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11C Tu 1 SCR 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11C2SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 200 V 300 mA - No 500V/µs 20 Ma -
HMA121DR1 onsemi HMA121DR1 -
RFQ
ECAD 4774 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 100% @ 5MA - 400mv
H11AG13SD onsemi H11AG13SD -
RFQ
ECAD 4716 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AG13SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 50 Ma 5300 VRMS 100% @ 1MA - 5 µs, 5 µs 400mv
H11AV1SVM onsemi H11AV1SVM -
RFQ
ECAD 2161 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AV1SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 70V 1.18V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA 300% @ 10mA 15 µs, 15 µs (máx) 400mv
FODM3011R1 onsemi FODM3011R1 -
RFQ
ECAD 1159 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 3750vrms 250 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 10 Ma -
FOD4108T onsemi FOD4108T -
RFQ
ECAD 5170 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD4108 CSA, UL 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.25V 30 Ma 5000 VRMS 800 V 500 µA Si 10 kV/µs 2mera 60 µs
H11AA2SR2VM onsemi H11AA2SR2VM -
RFQ
ECAD 5119 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A AC, DC 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.17V 60 Ma 7500vpk 10% @ 10mA - - 400mv
4N37300W onsemi 4N37300W -
RFQ
ECAD 9601 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4n37 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N37300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock