SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
CNY17F1300W onsemi CNY17F1300W -
RFQ
ECAD 6556 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNY17F1300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
FOD420SV onsemi FOD420SV 4.2800
RFQ
ECAD 900 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota FOD420 Cul, Fimko, UL, VDE 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 1.28V 30 Ma 5000 VRMS 600 V 500 µA No 10 kV/µs 2mera 60 µs
FOD2711 onsemi FOD2711 -
RFQ
ECAD 1983 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD271 Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
FODM121BR2V onsemi FODM121BR2V -
RFQ
ECAD 9961 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM12 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA - 400mv
MOC3033FR2M onsemi MOC3033FR2M -
RFQ
ECAD 3625 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc303 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3033FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 250 V 400 µA (topos) Si - 5 mm -
MOC3043TVM onsemi Moc3043tvm 1.5000
RFQ
ECAD 6730 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc304 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado MOC3043TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1.25V 60 Ma 4170vrms 400 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 5 mm -
MOC8080S onsemi Moc8080s -
RFQ
ECAD 8744 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC808 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8080S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA - 3.5 µs, 25 µs 1V
H11AG33SD onsemi H11AG33SD -
RFQ
ECAD 1421 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AG33SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 50 Ma 5300 VRMS 20% @ 1MA - 5 µs, 5 µs 400mv
HCPL2631SM onsemi HCPL2631SM 1.1388
RFQ
ECAD 3237 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL2631 Corriente Continua 2 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 25 Ma 10Mbps 30ns, 10ns 1.45V 30mera 5000 VRMS 2/0 5kV/µs 75ns, 75ns
FOD852 onsemi FOD852 1.1400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 onde - Tubo Activo -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD852 Corriente Continua 1 Darlington 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 150 Ma 100 µs, 20 µs 300V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA 15000% @ 1MA - 1.2V
H11A817D300 onsemi H11A817D300 -
RFQ
ECAD 3501 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A817D300-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
4N37300W onsemi 4N37300W -
RFQ
ECAD 9601 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4n37 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N37300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
H11G1SR2M onsemi H11G1SR2M 1.1400
RFQ
ECAD 1683 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11G1 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 100V 1.3V 60 Ma 4170vrms 1000% @ 10 Ma - 5 µs, 100 µs 1V
HMHAA280 onsemi Hmhaa280 0.7300
RFQ
ECAD 2422 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Hmhaa28 AC, DC 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 150 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.4V (Máximo) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
CNY17F1SVM onsemi CNY17F1SVM -
RFQ
ECAD 4604 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
HMHA2801CR1V onsemi HMHA2801CR1V -
RFQ
ECAD 2502 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA28 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
H11A617A onsemi H11A617A -
RFQ
ECAD 2369 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.35V 50 Ma 5300 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA - 400mv
FOD410V onsemi FOD410V 1.6213
RFQ
ECAD 9572 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD410 CSA, UL, VDE 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.25V 30 Ma 5000 VRMS 600 V 500 µA Si 10 kV/µs 2mera 60 µs
6N137SD onsemi 6N137SD -
RFQ
ECAD 2506 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota 6N137 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 50mera 2500 VRMS 1/0 10kV/µs (TÍP) 75ns, 75ns
H11B1SR2VM onsemi H11B1SR2VM 0.9300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11B1 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 4170vrms 500% @ 1MA - 25 µs, 18 µs 1V
FOD2741BSDV onsemi FOD2741BSDV 1.9700
RFQ
ECAD 6696 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota FOD2741 Corriente Continua 1 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
HCPL2601VM onsemi HCPL2601VM 2.2700
RFQ
ECAD 4427 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL2601 Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 5.5V 8 pdip - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-HCPL2601VM EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 30mera 2500 VRMS 1/0 5kV/µs 75ns, 75ns
H11A3 onsemi H11A3 -
RFQ
ECAD 7246 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A3FS EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
MOC81123SD onsemi MOC81123SD -
RFQ
ECAD 5700 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC811 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC81123SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 3 µs, 14 µs 70V 1.15V 90 Ma 5300 VRMS 50% @ 10mA - 4.2 µs, 23 µs 400mv
HCPL0639 onsemi HCPL0639 6.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL06 Corriente Continua 2 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 15 Ma 10Mbps 17ns, 5ns 1.75V (Max) - 3750vrms 2/0 25kV/µs 75ns, 75ns
HMHA2801CR4V onsemi HMHA2801CR4V -
RFQ
ECAD 2439 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA28 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
H11C5300W onsemi H11C5300W -
RFQ
ECAD 6382 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11C Ur, vde 1 SCR 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11C5300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 400 V 300 mA - No 500V/µs 20 Ma -
FODM3012R2 onsemi FODM3012R2 -
RFQ
ECAD 8383 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 250 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 5 mm -
H11A817D3S onsemi H11A817D3S -
RFQ
ECAD 8597 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A817D3S-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
FODM3051R4 onsemi FODM3051R4 -
RFQ
ECAD 3045 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 15 Ma -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    Almacén en stock