SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
6N137WV onsemi 6N137WV -
RFQ
ECAD 7166 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 6N137 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8 mdip descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 50mera 2500 VRMS 1/0 10kV/µs (TÍP) 75ns, 75ns
4N39S onsemi 4N39S -
RFQ
ECAD 9480 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n39 Tu 1 SCR 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N39S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.1V 60 Ma 5300 VRMS 200 V 300 mA 1mera No 500V/µs 30mera 50 µs (MAX)
MOC3052SVM onsemi MOC3052SVM 1.1300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc305 Ur, vde 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3052SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1.18V 60 Ma 4170vrms 600 V 220 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
4N36FR2VM onsemi 4N36FR2VM -
RFQ
ECAD 5650 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n36 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N36FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
TIL111M onsemi Til111m 0.9100
RFQ
ECAD 737 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Til111 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 2mera 10 µs, 10 µs (máx) 30V 1.2V 60 Ma 7500vpk - - - 400mv
4N38W onsemi 4N38W -
RFQ
ECAD 2080 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4n38 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N38W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 80V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 1V
H11F2300 onsemi H11F2300 -
RFQ
ECAD 6843 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11F Corriente Continua 1 Mosfet 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11F2300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.3V 60 Ma 5300 VRMS - - 25 µs, 25 µs (MAX) -
H11AA3W onsemi H11AA3W -
RFQ
ECAD 1665 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A AC, DC 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AA3W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA - - 400mv
FODM3052R4 onsemi FODM3052R4 -
RFQ
ECAD 3535 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
CNX35U3SD onsemi CNX35U3SD -
RFQ
ECAD 1609 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNX35 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNX35U3SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 40% @ 10mA 160% @ 10mA 20 µs, 20 µs 400mv
4N313SD onsemi 4N313SD -
RFQ
ECAD 6375 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N31 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N313SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 5300 VRMS 50% @ 10mA - 5 µs, 40 µs (máx) 1.2V
MOC3042M onsemi Moc3042m 1.1300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc304 Ul 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 1.25V 60 Ma 4170vrms 400 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 10 Ma -
H11A817D300W onsemi H11A817D300W -
RFQ
ECAD 8515 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A817D300W-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
6N139V onsemi 6n139v -
RFQ
ECAD 5635 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 6N139 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 60mera - 18V 1.3V 20 Ma 2500 VRMS 500% @ 1.6MA - 1,5 µs, 7 µs -
FOD2743BV onsemi Fod2743bv 0.8448
RFQ
ECAD 1568 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD2743 Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 70V 1.07V 5000 VRMS 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400mv
H11N3W onsemi H11N3W -
RFQ
ECAD 1075 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11N Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 5MHz - 1.4V 10 Ma 7500 VRMS 1/0 - 330ns, 330ns
H11A5S onsemi H11A5S -
RFQ
ECAD 9132 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 30% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
MOCD223M onsemi Mocd223m 1.3600
RFQ
ECAD 7499 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOCD223 Corriente Continua 2 Darlington 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 150 Ma 8 µs, 110 µs 30V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 500% @ 1MA - 10 µs, 125 µs 1V
H11AA4S onsemi H11AA4S -
RFQ
ECAD 4115 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A AC, DC 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AA4S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA - - 400mv
FOD2742BR1 onsemi FOD2742BR1 -
RFQ
ECAD 6841 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD274 Corriente Continua 1 Transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 70V 1.2V 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
MOC8111W onsemi MOC8111W -
RFQ
ECAD 4521 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC811 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8111W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 2 µs, 11 µs 70V 1.15V 90 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 3 µs, 18 µs 400mv
H11B1S onsemi H11B1S -
RFQ
ECAD 5861 0.00000000 onde - Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11B Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11B1S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 25V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 500% @ 1MA - 25 µs, 18 µs 1V
MOC3012FVM onsemi Moc3012fvm -
RFQ
ECAD 4288 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc301 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3012FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 250 V 100 µA (topos) No - 5 mm -
CNY17F3300W onsemi CNY17F3300W -
RFQ
ECAD 2983 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNY17F3300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
H11AG33S onsemi H11AG33S -
RFQ
ECAD 8323 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AG33S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 50 Ma 5300 VRMS 20% @ 1MA - 5 µs, 5 µs 400mv
MOC213R2M onsemi MOC213R2M 0.7200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOC213 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 100% @ 10mA - 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
H11A617DS onsemi H11A617DS -
RFQ
ECAD 2057 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.35V 50 Ma 5300 VRMS 160% @ 10mA 320% @ 10mA - 400mv
FODM3053R1V onsemi FODM3053R1V -
RFQ
ECAD 3394 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 5 mm -
H11C4300W onsemi H11C4300W -
RFQ
ECAD 8019 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11C Ur, vde 1 SCR 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11C4300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 400 V 300 mA - No 500V/µs 20 Ma -
MOC8103 onsemi MOC8103 -
RFQ
ECAD 8704 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8103-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 108% @ 10mA 173% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock