SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
MOC223R2M onsemi MOC223R2M 1.1600
RFQ
ECAD 9308 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOC223 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 8 µs, 110 µs 30V 1.08V 60 Ma 2500 VRMS 500% @ 1MA - 10 µs, 125 µs 1V
MOC3033SR2VM onsemi MOC3033SR2VM -
RFQ
ECAD 8366 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc303 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3033SR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.25V 60 Ma 4170vrms 250 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 5 mm -
H11D3SD onsemi H11D3SD -
RFQ
ECAD 4884 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11d Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11D3SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 200V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
CNX35U3S onsemi CNX35U3S -
RFQ
ECAD 1465 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNX35 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNX35U3S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 40% @ 10mA 160% @ 10mA 20 µs, 20 µs 400mv
H11AA814A300W onsemi H11AA814A300W -
RFQ
ECAD 4115 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AA814A300W-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 MV
MOC215R2VM onsemi MOC215R2VM -
RFQ
ECAD 3413 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOC215 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3 µs, 3 µs 30V 1.07V 60 Ma 2500 VRMS 20% @ 1MA - 4 µs, 4 µs 400mv
H11G2300W onsemi H11G2300W -
RFQ
ECAD 3820 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11G Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11G2300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.3V 60 Ma 5300 VRMS 1000% @ 10 Ma - 5 µs, 100 µs 1V
FOD617C onsemi FOD617C 0.9800
RFQ
ECAD 566 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD617 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
MOC8107W onsemi MOC8107W -
RFQ
ECAD 6218 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8107W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA 300% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
H11L1FM onsemi H11L1FM -
RFQ
ECAD 5424 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11L Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 3V ~ 15V 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11L1FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30mera 4170vrms 1/0 - 4 µs, 4 µs
CNY17F1M onsemi CNY17F1M 0.7700
RFQ
ECAD 830 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) CNY17F Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado CNY17F1MFS EAR99 8541.49.8000 50 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
MCT2202300W onsemi MCT2202300W -
RFQ
ECAD 4976 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT2202300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.25V 100 mA 5300 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 2 µs 400mv
H11A817CS onsemi H11A817CS -
RFQ
ECAD 7158 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A817CS-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 MV
CNX48U300 onsemi CNX48U300 -
RFQ
ECAD 9160 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) CNX48 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNX48U300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 350% @ 500 µA - 3.5 µs, 36 µs 1V
FOD2741BSDV onsemi FOD2741BSDV 1.9700
RFQ
ECAD 6696 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota FOD2741 Corriente Continua 1 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
MOC8106S onsemi MOC8106S -
RFQ
ECAD 8392 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8106S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA 150% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
MOC8020 onsemi MOC8020 -
RFQ
ECAD 1676 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MOC802 Corriente Continua 1 Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 50V 1.15V 60 Ma 5300 VRMS 500% @ 10mA - 3.5 µs, 95 µs 2V
FOD070LR1 onsemi FOD070LR1 -
RFQ
ECAD 9216 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD070 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 500 60mera - 7V 1.35V 20 Ma 2500 VRMS 400% @ 500 µA 7000% @ 500 µA 3 µs, 50 µs -
H11AA814ASD onsemi H11AA814Asd -
RFQ
ECAD 2726 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A AC, DC 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AA814ASD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 MV
4N26FR2M onsemi 4N26FR2M -
RFQ
ECAD 6708 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N26 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N26FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
MOC3012SVM onsemi MOC3012SVM -
RFQ
ECAD 8881 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc301 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3012SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 250 V 100 µA (topos) No - 5 mm -
TIL113300 onsemi Til113300 -
RFQ
ECAD 1073 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Til113 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Til11333300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 300% @ 10mA - 350ns, 55 µs 1.25V
MOC3052TM onsemi Moc3052tm -
RFQ
ECAD 1060 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc305 Tu 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3052TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 Ma 4170vrms 600 V 220 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
MOCD213R1M onsemi MOCD213R1M -
RFQ
ECAD 3593 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOCD21 Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOCD213R1M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 1.6 µs, 2.2 µs 70V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 100% @ 10mA - 3 µs, 2.8 µs 400mv
CNY17F4S onsemi CNY17F4S -
RFQ
ECAD 6932 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 160% @ 10mA 320% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
4N38W onsemi 4N38W -
RFQ
ECAD 2080 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4n38 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N38W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 80V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 1V
H11L2TVM onsemi H11L2TVM 1.4200
RFQ
ECAD 7948 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11L2 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 3V ~ 15V 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado H11L2TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30mera 4170vrms 1/0 - 4 µs, 4 µs
CNY173W onsemi CNY173W -
RFQ
ECAD 8340 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNY173 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNY173W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
H11AA814AS onsemi H11AA814As -
RFQ
ECAD 4907 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A AC, DC 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AA814AS-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 MV
H11A817D3S onsemi H11A817D3S -
RFQ
ECAD 8597 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A817D3S-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock