SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
4N273S onsemi 4N273S -
RFQ
ECAD 9765 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N27 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N273S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 10% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
FODB100V onsemi FODB100V -
RFQ
ECAD 7020 0.00000000 onde MicroCoupler ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 4-Tebga FODB10 Corriente Continua 1 Transistor 4-BGA (3.5x3.5) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 1 µs, 5 µs 75V 1.5V (Máximo) 30 Ma 2500 VRMS 100% @ 1MA - 3 µs, 5 µs 400mv
FOD8001 onsemi FOD8001 6.9200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD800 Lógica 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 10 Ma 25Mbps 6.5ns, 6.5ns - - 3750vrms 1/0 20kV/µs 40ns, 40ns
FODM3021R2V onsemi FODM3021R2V -
RFQ
ECAD 4010 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 400 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 15 Ma -
H11L1S onsemi H11l1s -
RFQ
ECAD 8767 0.00000000 onde - Bolsa Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11L Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11L1.S EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 1MHz - - 1.6mA 5300 VRMS 1/0 - -
MOC3052SR2VM_F132 onsemi MOC3052SR2VM_F132 -
RFQ
ECAD 3784 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc305 Ur, vde 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 Ma 4170vrms 600 V 220 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
FODM2701AR2 onsemi FODM2701AR2 -
RFQ
ECAD 1069 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM27 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.4V (Máximo) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
MOC8106300W onsemi MOC8106300W -
RFQ
ECAD 6618 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8106300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA 150% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
H11D4300 onsemi H11D4300 -
RFQ
ECAD 6889 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11d Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11D4300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 200V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 10% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
H11D1SVM onsemi H11D1SVM -
RFQ
ECAD 5607 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11d Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 300V 1.15V 80 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
4N36TM onsemi 4n36tm -
RFQ
ECAD 7426 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4n36 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N36TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
6N139M onsemi 6n139m 1.3700
RFQ
ECAD 1258 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 6N139 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 60mera - 18V 1.3V 20 Ma 5000 VRMS 500% @ 1.6MA - 240ns, 1.3 µs -
4N36S onsemi 4n36s -
RFQ
ECAD 3314 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n36 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N36S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
HCPL2503V onsemi HCPL2503V -
RFQ
ECAD 7552 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL25 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 12% @ 16MA - 450ns, 300ns -
4N38SM onsemi 4N38SM 0.7900
RFQ
ECAD 227 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n38 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 80V 1.15V 80 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 1V
H11A3TVM onsemi H11A3TVM -
RFQ
ECAD 9072 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
FOD050LR1 onsemi FOD050LR1 -
RFQ
ECAD 1594 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD050 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 7V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 15% @ 16MA 50% @ 16MA 1 µs, 1 µs (max) -
MOC3011FR2M onsemi MOC3011FR2M -
RFQ
ECAD 3631 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc301 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3011FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 250 V 100 µA (topos) No - 10 Ma -
MCT52003SD onsemi MCT52003SD -
RFQ
ECAD 5551 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT5 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT52003SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 1.3 µs, 16 µs 30V 1.25V 50 Ma 5300 VRMS 75% @ 10mA - 1.6 µs, 18 µs 400mv
FOD070LR1 onsemi FOD070LR1 -
RFQ
ECAD 9216 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD070 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 500 60mera - 7V 1.35V 20 Ma 2500 VRMS 400% @ 500 µA 7000% @ 500 µA 3 µs, 50 µs -
H11L1 onsemi H11L1 -
RFQ
ECAD 8068 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11L Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 1MHz - - 1.6mA 5300 VRMS 1/0 - -
CNW82S onsemi CNW82S -
RFQ
ECAD 5557 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNW82 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 50V - 100 mA 5900 VRMS 0.4% @ 10mA - - 400mv
FOD2711ASD onsemi Fod2711asd 1.6800
RFQ
ECAD 855 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota FOD2711 Corriente Continua 1 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
MOC8204W onsemi MOC8204W -
RFQ
ECAD 5725 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC820 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 2mera - 400V 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
4N29SR2M onsemi 4N29SR2M 1.0400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N29 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 4170vrms 100% @ 10mA - 5 µs, 40 µs (máx) 1V
MOC3023VM onsemi MOC3023VM 0.9400
RFQ
ECAD 314 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc302 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 60 Ma 4170vrms 400 V 100 µA (topos) No - 5 mm -
H11A817D300W onsemi H11A817D300W -
RFQ
ECAD 8515 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A817D300W-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
HMHA2801A onsemi HMHA2801A 0.7100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA2801 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 150 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 300mv
FODM1007 onsemi FODM1007 0.7300
RFQ
ECAD 9070 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Fodm10 Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 5.7 µs, 8.5 µs 70V 1.4V 50 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 300mv
MOC3031TVM onsemi MOC3031TVM -
RFQ
ECAD 7671 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc303 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3031TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.25V 60 Ma 4170vrms 250 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 15 Ma -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock