SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
H11A817SD onsemi H11A817SD -
RFQ
ECAD 5848 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A817SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
4N27TVM onsemi 4N27TVM -
RFQ
ECAD 2312 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4N27 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N27TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 10% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
H11A617AS onsemi H11A617As -
RFQ
ECAD 2229 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.35V 50 Ma 5300 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA - 400mv
MOC3081SR2VM onsemi MOC3081SR2VM 1.4000
RFQ
ECAD 562 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc308 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.3V 60 Ma 4170vrms 800 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 15 Ma -
MCT5210W onsemi MCT5210W -
RFQ
ECAD 2800 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MCT5 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT5210W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.25V 50 Ma 5300 VRMS 60% @ 3MA - 10 µs, 400ns 400mv
6N135W onsemi 6N135W -
RFQ
ECAD 6970 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 6N135 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 mdip descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 6N135W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 7% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 500ns -
4N38M onsemi 4n38m 0.6100
RFQ
ECAD 449 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4n38 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 80V 1.15V 80 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 1V
MOC8021SD onsemi MOC8021SD -
RFQ
ECAD 2490 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC802 Corriente Continua 1 Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8021SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 50V 1.15V 60 Ma 5300 VRMS 1000% @ 10 Ma - 3.5 µs, 95 µs 2V
FODM1007 onsemi FODM1007 0.7300
RFQ
ECAD 9070 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Fodm10 Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 5.7 µs, 8.5 µs 70V 1.4V 50 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 300mv
6N135WV onsemi 6N135WV -
RFQ
ECAD 2760 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 6N135 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 mdip descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 7% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 500ns -
H11A3FM onsemi H11A3FM -
RFQ
ECAD 6626 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
H11A8173SD onsemi H11A8173SD -
RFQ
ECAD 2825 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A8173SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
6N139WV onsemi 6N139WV -
RFQ
ECAD 1420 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 6N139 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8 mdip descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 60mera - 18V 1.3V 20 Ma 2500 VRMS 500% @ 1.6MA - 1,5 µs, 7 µs -
H11A4300W onsemi H11A4300W -
RFQ
ECAD 4789 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A4300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 10% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
4N28SR2M onsemi 4N28SR2M -
RFQ
ECAD 2534 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n28 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N28SR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 10% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
H11G13SD onsemi H11G13SD -
RFQ
ECAD 2482 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11G Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11G13SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 100V 1.3V 60 Ma 5300 VRMS 1000% @ 10 Ma - 5 µs, 100 µs 1V
H11B3300W onsemi H11B3300W -
RFQ
ECAD 4768 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11B Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11B3300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 25V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 1MA - 25 µs, 18 µs 1V
H11AG1300 onsemi H11AG1300 -
RFQ
ECAD 1412 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AG1300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 50 Ma 5300 VRMS 100% @ 1MA - 5 µs, 5 µs 400mv
CNW135S onsemi CNW135S -
RFQ
ECAD 3378 0.00000000 onde - Bolsa Obsoleto - Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota CNW13 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 40 10 Ma - 20V - 100 mA 5000 VRMS 7% @ 16MA - - -
CNY17F1M onsemi CNY17F1M 0.7700
RFQ
ECAD 830 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) CNY17F Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado CNY17F1MFS EAR99 8541.49.8000 50 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
HCPL2611SM onsemi Hcpl2611sm 0.7874
RFQ
ECAD 6379 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL2611 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 30ns, 10ns 1.45V 50mera 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 75ns, 75ns
74OL6010 onsemi 74ol6010 -
RFQ
ECAD 8444 0.00000000 onde Optológico ™ Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 74ol601 Lógica 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 15V 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 40 Ma 15mbd 50ns, 5ns - - 5300 VRMS 1/0 5kV/µs 180ns, 120ns
FOD410SD onsemi FOD410SD 4.1600
RFQ
ECAD 342 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota FOD410 CSA, UL 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.25V 30 Ma 5000 VRMS 600 V 500 µA Si 10 kV/µs 2mera 60 µs
MOCD223VM onsemi Mocd223vm 2.0200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOCD223 Corriente Continua 2 Darlington 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 150 Ma 8 µs, 110 µs 30V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 500% @ 1MA - 10 µs, 125 µs 1V
HCPL4502V onsemi HCPL4502V -
RFQ
ECAD 8097 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL45 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 300ns -
H11AA4SM onsemi H11AA4SM 0.9300
RFQ
ECAD 59 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11AA AC, DC 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50mera - 30V 1.17V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA - - 400mv
HCPL0637 onsemi HCPL0637 4.2300
RFQ
ECAD 5731 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL06 Corriente Continua 2 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 15 Ma 10Mbps 17ns, 5ns 1.75V (Max) - 3750vrms 2/0 5kV/µs 75ns, 75ns
FOD0720R2 onsemi FOD0720R2 4.1600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD0720 Lógica 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 10 Ma 25Mbps 5ns, 4.5ns - - 3750vrms 1/0 20kV/µs 40ns, 40ns
MOC3012M_F132 onsemi MOC3012M_F132 -
RFQ
ECAD 7622 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc301 Ul 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 250 V 100 µA (topos) No - 5 mm -
HMA121BR3 onsemi HMA121BR3 -
RFQ
ECAD 6723 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA - 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock