SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
MOC217R2VM onsemi MOC217R2VM 0.8100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOC217 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.07V 60 Ma 2500 VRMS 100% @ 10mA - 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
MOC212R1VM onsemi MOC212R1VM -
RFQ
ECAD 4983 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOC212 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 50% @ 10mA - 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
HMA121BR2V onsemi HMA121BR2V -
RFQ
ECAD 8265 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA - 400mv
MCT52113SD onsemi MCT52113SD -
RFQ
ECAD 1809 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT5 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT52113SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.25V 50 Ma 5300 VRMS 150% @ 1.6MA - 14 µs, 2.5 µs 400mv
MOC3021SR2M onsemi MOC3021SR2M 0.8500
RFQ
ECAD 8945 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc302 Ul 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 400 V 100 µA (topos) No - 15 Ma -
HCPL0501R2V onsemi HCPL0501R2V 3.1100
RFQ
ECAD 6101 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL0501 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 300ns -
HMA2701R4V onsemi HMA2701R4V -
RFQ
ECAD 8050 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA270 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
CNY17F2S onsemi CNY17F2S -
RFQ
ECAD 5563 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
4N38SR2M onsemi 4N38SR2M 0.7400
RFQ
ECAD 141 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n38 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 80V 1.15V 80 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 1V
MOC3032FVM onsemi Moc3032fvm -
RFQ
ECAD 4776 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc303 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3032FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 250 V 400 µA (topos) Si - 10 Ma -
HCPL0730 onsemi HCPL0730 -
RFQ
ECAD 9317 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL07 Corriente Continua 2 Darlington 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 60mera - 7V 1.35V 20 Ma 2500 VRMS 300% @ 1.6MA 5000% @ 1.6MA 2 µs, 7 µs -
HMA121DR3V onsemi HMA121DR3V -
RFQ
ECAD 2336 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 100% @ 5MA - 400mv
MOC3162SM onsemi MOC3162SM 2.6700
RFQ
ECAD 6489 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc316 Ul 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3162SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 1kV/µs 10 Ma -
4N39W onsemi 4N39W -
RFQ
ECAD 2236 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4n39 Tu 1 SCR 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N39W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.1V 60 Ma 5300 VRMS 200 V 300 mA 1mera No 500V/µs 30mera 50 µs (MAX)
HCPL2630W onsemi HCPL2630W -
RFQ
ECAD 4647 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) HCPL26 Corriente Continua 2 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8 mdip descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 30mera 2500 VRMS 2/0 10kV/µs (TÍP) 75ns, 75ns
4N28FM onsemi 4n28fm -
RFQ
ECAD 6653 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n28 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N28FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 10% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
FODM3023R2-NF098 onsemi FODM3023R2-NF098 1.8200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 Cur, eres 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 400 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 5 mm -
CNX35US onsemi CNX35US -
RFQ
ECAD 2506 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNX35 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNX35US-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 40% @ 10mA 160% @ 10mA 20 µs, 20 µs 400mv
4N32300W onsemi 4N32300W -
RFQ
ECAD 9038 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4N32 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N32300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 5300 VRMS 500% @ 10mA - 5 µs, 100 µs (máx) 1V
MOC3032SR2VM onsemi MOC3032SR2VM -
RFQ
ECAD 6549 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc303 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3032SR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.25V 60 Ma 4170vrms 250 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 10 Ma -
CNY173300W onsemi CNY173300W -
RFQ
ECAD 5069 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNY173 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNY17333300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
FOD4116SDV onsemi Fod4116sdv 5.4400
RFQ
ECAD 998 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota FOD4116 CSA, UL, VDE 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.25V 30 Ma 5000 VRMS 600 V 500 µA Si 10 kV/µs 1.3MA 60 µs
MOC8080 onsemi MOC8080 -
RFQ
ECAD 6904 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MOC808 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8080-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA - 3.5 µs, 25 µs 1V
FOD2741BTV onsemi FOD2741BTV 1.7900
RFQ
ECAD 117 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD2741 Corriente Continua 1 Transistor 8 mdip descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
H11N2S onsemi H11N2S -
RFQ
ECAD 3103 0.00000000 onde - Bolsa Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11N Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 5MHz - 1.4V 5 mm 7500 VRMS 1/0 - 330ns, 330ns
MOC3022.300 onsemi MOC3022.300 -
RFQ
ECAD 8646 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc302 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 5300 VRMS 400 V 100 µA No 10 Ma
FOD2712A onsemi FOD2712A 1.4200
RFQ
ECAD 3831 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD2712 Corriente Continua 1 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
4N36SVM onsemi 4N36SVM -
RFQ
ECAD 2655 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n36 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N36SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
CNX36U onsemi CNX36U -
RFQ
ECAD 1860 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) CNX36 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNX36U-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 80% @ 10mA 200% @ 10mA 20 µs, 20 µs 400mv
MOC8102300 onsemi MOC8102300 -
RFQ
ECAD 8834 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8102300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 73% @ 10mA 117% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock