SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
MOC3021M onsemi Moc3021m 0.9000
RFQ
ECAD 8463 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc302 Ul 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 60 Ma 4170vrms 400 V 100 µA (topos) No - 15 Ma -
MOC81033S onsemi MOC81033S -
RFQ
ECAD 3253 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC81033S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 108% @ 10mA 173% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
MOC8100TM onsemi Moc8100tm -
RFQ
ECAD 7126 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC810 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8100TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 2 µs, 2 µs 30V 1.2V 60 Ma 7500vpk 30% @ 1MA - 20 µs, 20 µs (máx) 500mv
MCT2EVM onsemi MCT2EVM -
RFQ
ECAD 7165 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT2EVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2 µs, 1.5 µs 30V 1.25V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
H11B2W onsemi H11B2W -
RFQ
ECAD 2705 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11B Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11B2W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 25V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 200% @ 1MA - 25 µs, 18 µs 1V
H11F2S onsemi H11F2S -
RFQ
ECAD 8348 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11F Corriente Continua 1 Mosfet 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11F2S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.3V 60 Ma 5300 VRMS - - 25 µs, 25 µs (MAX) -
TIL117FR2M onsemi Til117fr2m -
RFQ
ECAD 6878 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Til117 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Til117fr2m-ndr EAR99 8541.49.8000 1,000 - 2 µs, 2 µs 30V 1.2V 60 Ma 7500vpk 50% @ 10mA - 10 µs, 10 µs (máx) 400mv
FODM121AR1V onsemi Fodm121ar1v -
RFQ
ECAD 1087 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM12 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA - 400mv
MOC216M onsemi Moc216m 0.8500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOC216 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.07V 60 Ma 2500 VRMS 50% @ 1MA - 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
HMHA2801BR3 onsemi HMHA2801BR3 -
RFQ
ECAD 2968 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA28 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 300mv
4N36SVM onsemi 4N36SVM -
RFQ
ECAD 2655 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n36 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N36SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
CNX36U onsemi CNX36U -
RFQ
ECAD 1860 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) CNX36 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNX36U-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 80% @ 10mA 200% @ 10mA 20 µs, 20 µs 400mv
FODM3023R2-NF098 onsemi FODM3023R2-NF098 1.8200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 Cur, eres 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 400 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 5 mm -
MOCD208R1VM onsemi MOCD208R1VM -
RFQ
ECAD 1697 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mocd20 Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-MOCD208R1VM-488 EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 1.6 µs, 2.2 µs 70V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 40% @ 10mA 125% @ 10mA 3 µs, 2.8 µs 400mv
MOC3063TM onsemi Moc3063tm -
RFQ
ECAD 6365 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc306 Ul 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 5 mm -
FODM2701R4 onsemi FODM2701R4 0.2829
RFQ
ECAD 3336 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM2701 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.4V (Máximo) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
H11F33SD onsemi H11F33SD -
RFQ
ECAD 2074 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11F Corriente Continua 1 Mosfet 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11F33SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 15V 1.3V 60 Ma 5300 VRMS - - 25 µs, 25 µs (MAX) -
FODM121DR1 onsemi FODM121DR1 -
RFQ
ECAD 8015 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM12 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
MCT210300W onsemi MCT210300W -
RFQ
ECAD 4364 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT210300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 11 µs 30V 1.33V 100 mA 5300 VRMS 150% @ 10mA - 1 µs, 50 µs 400mv
H11A617DSD onsemi H11A617DSD -
RFQ
ECAD 1209 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.35V 50 Ma 5300 VRMS 160% @ 10mA 320% @ 10mA - 400mv
FODM121F onsemi FODM121F -
RFQ
ECAD 1832 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM12 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
FOD817B onsemi FOD817B 0.4500
RFQ
ECAD 80 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD817 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 MV
H11N2M onsemi H11N2M -
RFQ
ECAD 8923 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11N Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4V ~ 15V 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30mera 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
FODM3053R2-NF098 onsemi FODM3053R2-NF098 1.9000
RFQ
ECAD 34 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 Cur, eres 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 5 mm -
FODM121CV onsemi FODM121CV -
RFQ
ECAD 4278 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM12 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 400mv
CNW135 onsemi CNW135 -
RFQ
ECAD 7391 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNW13 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 40 10 Ma - 20V - 100 mA 5000 VRMS 7% @ 16MA - - -
MOC256R1VM onsemi MOC256R1VM -
RFQ
ECAD 6804 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Moc256 AC, DC 1 Base de transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 60 Ma 2500 VRMS 20% @ 10mA - - 400mv
CNY17F3SR2VM onsemi CNY17F3SR2VM 0.6900
RFQ
ECAD 5219 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY17F3 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
4N25SVM onsemi 4N25SVM -
RFQ
ECAD 1199 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n25 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N25SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
MOC3023TM onsemi Moc3023tm -
RFQ
ECAD 8773 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc302 Ul 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 400 V 100 µA (topos) No - 5 mm -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock