SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
CNW11AV1 onsemi CNW11AV1 -
RFQ
ECAD 2281 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNW11 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 70V - 100 mA 4000 VRMS 100% @ 10mA 300% @ 10mA - 400mv
MOC3010TVM onsemi MOC3010TVM -
RFQ
ECAD 7430 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc301 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3010TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 250 V 100 µA (topos) No - 15 Ma -
FOD2743C onsemi FOD2743C -
RFQ
ECAD 1486 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD274 Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 70V 1.07V 5000 VRMS 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400mv
MOC208R2VM onsemi MOC208R2VM -
RFQ
ECAD 3767 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Moc208 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 70V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 40% @ 10mA 125% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
HMHAA280V onsemi Hmhaa280v 0.2363
RFQ
ECAD 4374 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Hmhaa280 AC, DC 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.4V (Máximo) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
MOC3083FM onsemi Moc3083fm -
RFQ
ECAD 8956 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc308 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3083FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 800 V 500 µA (topos) Si - 5 mm -
4N393S onsemi 4N393S -
RFQ
ECAD 2439 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n39 Ur, vde 1 SCR 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N393S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.1V 60 Ma 5300 VRMS 200 V 300 mA 1mera No 500V/µs 30mera 50 µs (MAX)
H11A617B300 onsemi H11A617B300 -
RFQ
ECAD 1822 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.35V 50 Ma 5300 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA - 400mv
MOC3022FR2VM onsemi MOC3022FR2VM -
RFQ
ECAD 1670 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc302 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3022FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 400 V 100 µA (topos) No - 10 Ma -
MCT5201 onsemi MCT5201 -
RFQ
ECAD 9222 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MCT5 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 2.5 µs, 16 µs 30V 1.25V 50 Ma 5300 VRMS 120% @ 5MA - 3 µs, 12 µs 400mv
H11A817C3SD onsemi H11A817C3SD -
RFQ
ECAD 1406 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A817C3SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 MV
MOC216R2M onsemi MOC216R2M 1.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOC216 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.07V 60 Ma 2500 VRMS 50% @ 1MA - 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
H11AG13S onsemi H11AG13S -
RFQ
ECAD 5314 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AG13S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 50 Ma 5300 VRMS 100% @ 1MA - 5 µs, 5 µs 400mv
FODM121ER1 onsemi FODM121ER1 -
RFQ
ECAD 4943 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM12 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
4N37M onsemi 4n37m 0.7400
RFQ
ECAD 46 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4n37 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
FOD814300W onsemi FOD814300W 0.7400
RFQ
ECAD 959 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD814 AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2832-FOD814300W EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 MV
MOC8111300W onsemi MOC8111300W -
RFQ
ECAD 7920 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC811 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8111300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 2 µs, 11 µs 70V 1.15V 90 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 3 µs, 18 µs 400mv
H11A2FVM onsemi H11A2FVM -
RFQ
ECAD 6382 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
FODM121D onsemi FODM121D -
RFQ
ECAD 2111 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM12 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
MOC3043SM onsemi MOC3043SM 1.0700
RFQ
ECAD 37 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc304 Ul 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3043SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1.25V 60 Ma 4170vrms 400 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 5 mm -
FOD817300 onsemi FOD817300 0.5700
RFQ
ECAD 713 0.00000000 onde - Caja Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD817 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2832-FOD817300-488 EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
FODM3053R2 onsemi FODM3053R2 -
RFQ
ECAD 3965 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 5 mm -
H11D1300 onsemi H11D1300 -
RFQ
ECAD 1747 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11d Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 300V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
MOC81053S onsemi MOC81053S -
RFQ
ECAD 1335 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC81053S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 65% @ 10mA 133% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
FODM452R2 onsemi FODM452R2 2.6400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables FODM452 Corriente Continua 1 Transistor 5-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 8 MA - 20V 1.6V 25 Ma 3750vrms 20% @ 16MA 50% @ 16MA 400ns, 350ns -
MOC8080300W onsemi MOC8080300W -
RFQ
ECAD 4667 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC808 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8080300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA - 3.5 µs, 25 µs 1V
MOC81023SD onsemi MOC81023SD -
RFQ
ECAD 3548 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC81023SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 73% @ 10mA 117% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
TIL113300W onsemi Til11333300W -
RFQ
ECAD 5880 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Til113 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado TIL113300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 300% @ 10mA - 350ns, 55 µs 1.25V
H11AA814W onsemi H11AA814W -
RFQ
ECAD 7759 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AA814W-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 MV
H11A1300W onsemi H11A1300W -
RFQ
ECAD 4613 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A1300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock