SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
6N137VM onsemi 6N137VM 1.8400
RFQ
ECAD 551 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 6N137 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 10Mbps 30ns, 10ns 1.45V 50mera 5000 VRMS 1/0 10kV/µs (TÍP) 75ns, 75ns
H11N1VM onsemi H11N1VM 7.3700
RFQ
ECAD 810 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11N1 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4V ~ 15V 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30mera 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
HCPL2530SM onsemi HCPL2530SM 2.8600
RFQ
ECAD 5799 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL2530 Corriente Continua 2 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 7% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 300ns -
FOD260LSV onsemi FOD260LSV 2.9100
RFQ
ECAD 2997 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota FOD260 Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 3V ~ 5.5V 8-smt descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-FOD260LSV-488 EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 22ns, 3ns 1.4V 50mera 5000 VRMS 1/0 25kV/µs 90ns, 75ns
H11A617D3SD onsemi H11A617D3SD -
RFQ
ECAD 5210 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.35V 50 Ma 5300 VRMS 160% @ 10mA 320% @ 10mA - 400mv
FOD8153S onsemi FOD8153S -
RFQ
ECAD 2403 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -30 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FOD815 Corriente Continua 1 Darlington 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 80mera 60 µs, 53 µs 35V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 600% @ 1MA 7500% @ 1MA - 1V
H11A3SR2M onsemi H11A3SR2M -
RFQ
ECAD 7028 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
H11D2W onsemi H11D2W -
RFQ
ECAD 5245 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11d Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11D2W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 300V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
MOC3061FR2VM onsemi MOC3061FR2VM -
RFQ
ECAD 2334 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc306 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3061FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 600 V 500 µA (topos) Si - 15 Ma -
MCT2FR2M onsemi MCT2FR2M -
RFQ
ECAD 6804 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT2FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2 µs, 1.5 µs 30V 1.25V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
HMA2701A onsemi HMA2701A -
RFQ
ECAD 2151 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA270 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 150% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
FOD817D300 onsemi FOD817D300 0.6000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD817 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
CNY17F3SR2M_F132 onsemi CNY17F3SR2M_F132 -
RFQ
ECAD 5800 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
FODM3052R2 onsemi FODM3052R2 -
RFQ
ECAD 3266 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
FOD4218SV onsemi FOD4218SV 6.1300
RFQ
ECAD 60 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota FOD4218 Cul, Fimko, UL, VDE 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.28V 30 Ma 5000 VRMS 800 V 500 µA No 10 kV/µs 1.3MA 60 µs
CNX39U3SD onsemi CNX39U3SD -
RFQ
ECAD 5846 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNX39 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNX39U3SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 60% @ 10mA 100% @ 10mA 20 µs, 20 µs 400mv
CNX35UW onsemi CNX35UW -
RFQ
ECAD 1586 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNX35 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNX35UW-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 40% @ 10mA 160% @ 10mA 20 µs, 20 µs 400mv
MCT2S onsemi MCT2S -
RFQ
ECAD 1488 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT2S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.25V 100 mA 5300 VRMS 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
HCPL062NR2 onsemi HCPL062NR2 4.5100
RFQ
ECAD 17 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL062 Corriente Continua 2 Coleccionista abierto 2.7V ~ 3.3V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 15 Ma 10Mbps 16ns, 4ns 1.75V (Max) 50mera 2500 VRMS 2/0 25kV/µs 90ns, 75ns
FODM3083R2 onsemi FODM3083R2 3.4100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 Cul, UL 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.5V (Máximo) 60 Ma 3750vrms 800 V 70 Ma 300 µA (topos) Si 600V/µs 5 mm -
H11L3SD onsemi H11L3SD -
RFQ
ECAD 1076 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11L Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 1MHz - - 5 mm 5300 VRMS 1/0 - -
FODM3053V-NF098 onsemi FODM3053V-NF098 0.5607
RFQ
ECAD 6474 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 cur, ur, vde 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 5 mm -
FOD817AW onsemi Fod817aw -
RFQ
ECAD 4318 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD817 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 MV
MCT5211300W onsemi MCT5211300W -
RFQ
ECAD 8877 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MCT5 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT5211300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.25V 50 Ma 5300 VRMS 150% @ 1.6MA - 14 µs, 2.5 µs 400mv
FODM3021V onsemi FODM3021V -
RFQ
ECAD 7506 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 1.2V 60 Ma 3750vrms 400 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 15 Ma -
MOCD208R2M onsemi MOCD208R2M 1.1700
RFQ
ECAD 8412 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOCD208 Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 70V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 40% @ 10mA 125% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
MCT2ESM onsemi MCT2ESM 0.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT2ESM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 1.5 µs 30V 1.25V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
HCPL0452V onsemi HCPL0452V -
RFQ
ECAD 7309 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL04 Corriente Continua 1 Transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 300ns -
H11N3300 onsemi H11N3300 -
RFQ
ECAD 9013 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11N Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 5MHz - 1.4V 10 Ma 7500 VRMS 1/0 - 330ns, 330ns
H11AA2TM onsemi H11AA2TM -
RFQ
ECAD 2043 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A AC, DC 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.17V 60 Ma 7500vpk 10% @ 10mA - - 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock