SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
H11F1SM onsemi H11F1SM 4.3200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11F Corriente Continua 1 Mosfet 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-H11F1SM-488 EAR99 8541.49.8000 50 - - 30V 1.3V 60 Ma 4170vrms - - 45 µs, 45 µs (MAX) -
H11B255W onsemi H11B255W -
RFQ
ECAD 1721 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11B Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11B255W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA - 25 µs, 18 µs 1V
H11C3 onsemi H11C3 -
RFQ
ECAD 7708 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11C Tu 1 SCR 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 200 V 300 mA - No 500V/µs 30mera -
CNY17F13SD onsemi CNY17F13SD -
RFQ
ECAD 5302 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNY17F13SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
H11B2300 onsemi H11B2300 -
RFQ
ECAD 4025 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11B Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11B2300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 25V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 200% @ 1MA - 25 µs, 18 µs 1V
HCPL2630SV onsemi HCPL2630SV 2.7900
RFQ
ECAD 494 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL2630 Corriente Continua 2 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 30mera 2500 VRMS 2/0 10kV/µs (TÍP) 75ns, 75ns
HMHA2801R2V onsemi HMHA2801R2V 0.7800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA2801 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 80% @ 5MA 600% @ 5MA - 300mv
MOC3022SM onsemi MOC3022SM 0.9800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc302 Ul 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 60 Ma 4170vrms 400 V 100 µA (topos) No - 10 Ma -
MCT2S onsemi MCT2S -
RFQ
ECAD 1488 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT2S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.25V 100 mA 5300 VRMS 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
4N29TM onsemi 4n29tm -
RFQ
ECAD 2719 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4N29 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 4170vrms 100% @ 10mA - 5 µs, 40 µs (máx) 1V
FODM217CV onsemi FODM217CV 1.0800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde FODM217 Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) FODM217 Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Fodm217cvos EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
MOC5007TM onsemi Moc5007tm -
RFQ
ECAD 4642 0.00000000 onde Globlooptoisolator ™ Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc500 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 1MHz - - 1.6mA 7500vpk 1/0 - -
MOCD223R1VM onsemi MOCD223R1VM -
RFQ
ECAD 2764 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mocd22 Corriente Continua 2 Darlington 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 1 µs, 2 µs 30V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 500% @ 1MA - 3.5 µs, 95 µs 1V
H11AA814AW onsemi H11AA814AW -
RFQ
ECAD 8127 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AA814AW-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 MV
FODM3023R1_NF098 onsemi FODM3023R1_NF098 -
RFQ
ECAD 9721 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 Cur, eres 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 3750vrms 400 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 5 mm -
MOC3063SR2VM onsemi MOC3063SR2VM 1.3800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc306 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 5 mm -
FODM3083R2 onsemi FODM3083R2 3.4100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 Cul, UL 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.5V (Máximo) 60 Ma 3750vrms 800 V 70 Ma 300 µA (topos) Si 600V/µs 5 mm -
CNY17F2SD onsemi CNY17F2SD -
RFQ
ECAD 3302 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNY17F2SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
MOCD208R2VM onsemi MOCD208R2VM -
RFQ
ECAD 1725 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mocd20 Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 70V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 40% @ 10mA 125% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
HMHA2801R1 onsemi HMHA2801R1 -
RFQ
ECAD 3343 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA28 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 80% @ 5MA 600% @ 5MA - 300mv
CNW139 onsemi CNW139 -
RFQ
ECAD 9123 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNW13 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 40 60mera - 18V - 100 mA 1000 VRMS 500% @ 1.6MA - - -
CNY172TM onsemi CNY172TM -
RFQ
ECAD 3257 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNY172 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNY172TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
CNY174SM onsemi CNY174SM 0.6200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY174 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 160% @ 10mA 320% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
74OL60103S onsemi 74OL60103S -
RFQ
ECAD 1300 0.00000000 onde Optológico ™ Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 74ol601 Lógica 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 15V 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 40 Ma 15mbd 50ns, 5ns - - 5300 VRMS 1/0 5kV/µs 180ns, 120ns
H11AV2TM onsemi H11AV2TM -
RFQ
ECAD 2322 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 - - 70V - 60 Ma 7500vpk 50% @ 10mA - - 400mv
FOD2742CR2 onsemi FOD2742CR2 -
RFQ
ECAD 7319 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD274 Corriente Continua 1 Transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera - 70V 1.2V 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
FOD814AS onsemi FOD814As 0.6600
RFQ
ECAD 4134 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FOD814 AC, DC 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 MV
FODM217AV onsemi Fodm217av 0.9900
RFQ
ECAD 830 0.00000000 onde FODM217 Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) FODM217 Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Fodm217avos EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
FOD817CS onsemi FOD817CS 0.5300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FOD817 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 MV
HMA121ER4V onsemi HMA121ER4V -
RFQ
ECAD 7325 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 150% @ 5MA 300% @ 5MA - 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock