SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
CNY17F3SVM onsemi CNY17F3SVM -
RFQ
ECAD 3520 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
H11N1TVM onsemi H11N1TVM 5.8800
RFQ
ECAD 978 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11N1 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4V ~ 15V 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30mera 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
H11N2SVM onsemi H11N2SVM -
RFQ
ECAD 1473 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11N Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4V ~ 15V 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30mera 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
4N38SM onsemi 4N38SM 0.7900
RFQ
ECAD 227 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n38 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 80V 1.15V 80 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 1v
CNW83SD onsemi CNW83SD -
RFQ
ECAD 8247 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNW83 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 50V - 100 mA 5900 VRMS 0.4% @ 10mA - - 400mv
H11N3SR2M onsemi H11N3SR2M -
RFQ
ECAD 3462 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11N Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4V ~ 15V 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30mera 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
HMA2701R2V onsemi HMA2701R2V -
RFQ
ECAD 2038 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA270 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
FOD2711V onsemi Fod2711v -
RFQ
ECAD 5477 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD271 Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
H11D1SVM onsemi H11D1SVM -
RFQ
ECAD 5607 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11d Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 300V 1.15V 80 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
FOD4118V onsemi Fod4118v 4.4500
RFQ
ECAD 3620 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD4118 CSA, UL, VDE 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.25V 30 Ma 5000 VRMS 800 V 500 µA Si 10 kV/µs 1.3MA 60 µs
H11G1 onsemi H11G1 -
RFQ
ECAD 4587 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11G Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 100V 1.3V 60 Ma 5300 VRMS 1000% @ 10 Ma - 5 µs, 100 µs 1v
MOC3021TM onsemi Moc3021tm -
RFQ
ECAD 9033 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc302 Ul 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3021TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 400 V 100 µA (topos) No - 15 Ma -
FODM121ER1V onsemi Fodm121er1v -
RFQ
ECAD 2161 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM12 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
H11F3SR2VM onsemi H11F3SR2VM 1.9307
RFQ
ECAD 3109 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11F Corriente Continua 1 Mosfet 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 15V 1.3V 60 Ma 4170vrms - - 45 µs, 45 µs (MAX) -
H11C53SD onsemi H11C53SD -
RFQ
ECAD 9017 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11C Ur, vde 1 SCR 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11C53SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 400 V 300 mA - No 500V/µs 20 Ma -
FOD2743BTV onsemi FOD2743BTV 2.1500
RFQ
ECAD 968 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD2743 Corriente Continua 1 Transistor 8 mdip descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 70V 1.07V 5000 VRMS 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400mv
HMA121DR2V onsemi HMA121DR2V -
RFQ
ECAD 7955 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 100% @ 5MA - 400mv
4N38M onsemi 4n38m 0.6100
RFQ
ECAD 449 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4n38 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 80V 1.15V 80 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 1v
HMA124R3V onsemi HMA124R3V -
RFQ
ECAD 7937 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA124 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 100% @ 1MA 1200% @ 1MA - 400mv
4N273SD onsemi 4N273SD -
RFQ
ECAD 3129 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N27 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N273SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 10% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
CNY17F1SM onsemi CNY17F1SM 0.7800
RFQ
ECAD 7615 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY17F1 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
HMAA2705R2V onsemi HMAA2705R2V -
RFQ
ECAD 1424 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMAA27 AC, DC 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
HMHA2801A onsemi HMHA2801A 0.7100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA2801 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 150 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 300mv
HMHA2801AR1 onsemi HMHA2801AR1 -
RFQ
ECAD 6848 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA28 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 300mv
MOC8080S onsemi Moc8080s -
RFQ
ECAD 8744 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC808 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8080S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA - 3.5 µs, 25 µs 1v
H11F23S onsemi H11F23S -
RFQ
ECAD 2542 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11F Corriente Continua 1 Mosfet 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11F23S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.3V 60 Ma 5300 VRMS - - 25 µs, 25 µs (MAX) -
HMHA2801CR4V onsemi HMHA2801CR4V -
RFQ
ECAD 2439 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA28 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
HMA121CR3 onsemi HMA121CR3 -
RFQ
ECAD 7178 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 400mv
FODM3011R2V onsemi FODM3011R2V -
RFQ
ECAD 6852 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 250 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 10 Ma -
H11A5SR2M onsemi H11A5SR2M -
RFQ
ECAD 5291 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 30% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock