SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TCET1204 Vishay Semiconductor Opto Division TCET1204 0.5800
RFQ
ECAD 4996 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TCET1204 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 3 µs, 4.7 µs 70V 1.25V 60 Ma 5000 VRMS 160% @ 10mA 320% @ 10mA 6 µs, 5 µs 300mv
6N138SDM Fairchild Semiconductor 6N138SDM 0.6800
RFQ
ECAD 7654 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota 6N138 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 60mera - 7V 1.3V 20 Ma 5000 VRMS 300% @ 1.6MA - 1 µs, 7.3 µs -
SFH618A-5X017T Vishay Semiconductor Opto Division SFH618A-5X017T 1.2600
RFQ
ECAD 985 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota SFH618 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 3.5 µs, 5 µs 55V 1.1V 60 Ma 5300 VRMS 250% @ 1MA 500% @ 1MA 6 µs, 5.5 µs 400mv
MCT61 onsemi MCT61 1.0100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MCT61 Corriente Continua 2 Transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 30mera - 30V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA - 2.4 µs, 2.4 µs 400mv
4N33S1(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd 4N33S1 (TB) -V -
RFQ
ECAD 9706 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 3907150079 EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 500% @ 10mA - 5 µs, 100 µs (máx) 1V
IL410-X006 Vishay Semiconductor Opto Division IL410-X006 -
RFQ
ECAD 4020 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) IL410 CSA, Ur 1 Triac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 1.16V 60 Ma 5300 VRMS 600 V 300 mA 500 µA Si 10 kV/µs 2mera 35 µs
4N32-X000 Vishay Semiconductor Opto Division 4N32-X000 -
RFQ
ECAD 7796 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4N32 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 100mA - 30V 1.25V 60 Ma 5300 VRMS 500% @ 10mA - 5 µs, 100 µs (máx) 1V (typ)
OR-MOC3083(L) Shenzhen Orient Components Co., Ltd O-MOC3083 (L) 0.7400
RFQ
ECAD 2151 0.00000000 Shenzhen Orient Components Co., Ltd - Tubo Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 5007-O-MOC3083 (L) 3,300
4N35(SHORT-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35 (Short-LF5, F) -
RFQ
ECAD 1515 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto 4n35 - 1 (ilimitado) 264-4N35 (Corta-LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
EL3H7(E)(EB)-G Everlight Electronics Co Ltd EL3H7 (E) (EB) -G -
RFQ
ECAD 4326 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) EL3H7 Corriente Continua 1 Transistor 4-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 5 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 200 MV
525-03-0-I Standex-Meder Electronics 525-03-0-I -
RFQ
ECAD 2567 0.00000000 Electónica de Medidor de Meder - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera - 32V - 4000VDC - - 5.5 µs, 4.2 µs -
EL817(S)(D)(TU)-VG Everlight Electronics Co Ltd El817 (s) (d) (tu) -vg -
RFQ
ECAD 8044 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota EL817 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mera 6 µs, 8 µs 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
FODM217DV onsemi Fodm217dv 0.9900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 onde FODM217 Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) FODM217 Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 300% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP385(D4BL-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4BL-TR, E 0.5600
RFQ
ECAD 2213 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP785(D4-GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-GB, F -
RFQ
ECAD 1379 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785 (D4-GBF EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
EL817(S1)(A)(TB)-G Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S1) (A) (TB) -G -
RFQ
ECAD 7155 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 6 µs, 8 µs 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 MV
PS8502L3-E3-AX Renesas Electronics America Inc PS8502L3-E3-AX 3.2700
RFQ
ECAD 4242 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota PS8502 Corriente Continua 1 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 35V 1.7V 25 Ma 5000 VRMS 15% @ 16MA - 220ns, 350ns -
EL817(S1)(B)(TU)-G Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S1) (B) (Tu) -G 0.1948
RFQ
ECAD 6960 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota EL817 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EL817S1 (B) (TU) -G EAR99 8541.49.8000 1.500 50mera 6 µs, 8 µs 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 MV
FODM124R2 Fairchild Semiconductor FODM124R2 -
RFQ
ECAD 1781 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 100% @ 1MA 1200% @ 1MA - 400mv
4N29 Everlight Electronics Co Ltd 4N29 0.4721
RFQ
ECAD 4507 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 65 - - 55V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 10mA - 5 µs, 40 µs (máx) 1V
PS2501AL-1-A Renesas PS2501Al-1-A -
RFQ
ECAD 7099 0.00000000 Renesas - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD - 2156-PS2501Al-1-A 1 30mera 3 µs, 5 µs 70V 1.2V 30 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
PC123X8YUP0F SHARP/Socle Technology PC123X8YUP0F -
RFQ
ECAD 1939 0.00000000 Tecnología Sharp/Sócle - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -30 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 200 MV
PS2915-1-V-F3-AX Renesas Electronics America Inc PS2915-1-V-F3-AX 2.4400
RFQ
ECAD 8518 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-smd, planos de cables PS2915 AC, DC 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3,500 40mera 5 µs, 10 µs 40V 1.1V 50 Ma 2500 VRMS 100% @ 1MA 400% @ 1MA 40 µs, 120 µs 300mv
ACNT-H511-500E Broadcom Limited ACNT-H511-500E 2.2896
RFQ
ECAD 2343 0.00000000 Broadcom Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.535 ", 13.60 mm de ancho) ACNT-H511 Corriente Continua 1 Transistor 8 por estirado descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 12mera - 24 V 1.45V 20 Ma 7500 VRMS 31% @ 12MA 80% @ 12MA 150ns, 400ns -
H11AA2SR2VM onsemi H11AA2SR2VM -
RFQ
ECAD 5119 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A AC, DC 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.17V 60 Ma 7500vpk 10% @ 10mA - - 400mv
4N36S(TA) Everlight Electronics Co Ltd 4N36S (TA) -
RFQ
ECAD 3646 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 3907173602 EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 10mA - 10 µs, 9 µs 300mv
FOD2742CR2 Fairchild Semiconductor FOD2742CR2 0.3600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera - 70V 1.2V 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
PS2561DL2-1Y-F3-Q-A Renesas Electronics America Inc PS2561DL2-1Y-F3-QA -
RFQ
ECAD 4674 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota PS2561 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 559-1348-2 EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 3 µs, 5 µs 80V 1.2V 40 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 300mv
PC817X0NSZ1B Sharp Microelectronics PC817X0NSZ1B -
RFQ
ECAD 3047 0.00000000 Microelectónica afilada - Tubo Descontinuado en sic -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 500 50mera 4 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
H11AA4S(TB) Everlight Electronics Co Ltd H11AA4S (TB) -
RFQ
ECAD 3570 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11AA AC, DC 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 3907171253 EAR99 8541.49.8000 1,000 - 10 µs, 10 µs (máx) 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 10mA - 10 µs, 10 µs (máx) 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock