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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CNY17F4300 | 0.1900 |  | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 100 mA | 5300 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||
 | SFH601-2 | 1.3400 | | 546 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | SFH601 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 100V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | HCPL-2611-560E | 3.4000 | | 4 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | HCPL-2611 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50 Ma | 10mbd | 24ns, 10ns | 1.5V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| HCPL-2411-300E | 3.6071 | | 9796 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | HCPL-2411 | Corriente Continua | 1 | Tri-estatal | 4.75V ~ 5.25V | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 Ma | 40mbd | 20ns, 10ns | 1.3V | 10 Ma | 2500 VRMS | 1/0 | 1kV/µs | 55ns, 55ns | |||||||||||||||
 | BRT21M-X016 | - | | 1013 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | BRT21 | Cul, Ur, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | - | 751-BRT21M-X016 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.16V | 60 Ma | 5300 VRMS | 400 V | 300 mA | 500 µA | Si | 10 kV/µs | 3mera | 35 µs | |||||||||||||||||
| TLP188 (GB-TPL, E | 0.8300 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP188 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 350V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| LTV-814-A | 0.1695 | | 7539 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | LTV-8X4 | Tubo | Activo | -50 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | LTV-814 | AC, DC | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 160-LTV-814-A | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 35V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 1MA | 300% @ 1MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
| HCPL-177K-100 | 662.5550 | | 1197 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-smd, articulacia de tope | HCPL-177 | Corriente Continua | 4 | Darlington | Junta de tope de 16 dipas | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 40mera | - | 20V | 1.4V | 10 Ma | 1500VDC | 200% @ 5MA | - | 2 µs, 8 µs | 110mv | |||||||||||||||
| TLP781F (D4-YH, F) | - | | 5200 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4-YHF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| VOA300-FG-X007T | - | | 5421 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | Automotriz, AEC-Q102 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | VOA300 | Corriente Continua | 3 | Fotovoltaico, Linealizado | 8-SMD | descascar | 751-VOA300-FG-X007T | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 800ns, 800ns | - | 1.4V | 60 Ma | 5300 VRMS | - | - | - | - | |||||||||||||||||
| TLP781F (D4-Fungr, F | - | | 7829 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4-FUNGRF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | H11N2FVM | - | | 3195 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | H11N | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4V ~ 15V | 6-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50 Ma | 5MHz | 7.5ns, 12ns | 1.4V | 30mera | 4170vrms | 1/0 | - | 330ns, 330ns | ||||||||||||||||
| CNY17F-3X007 | 0.7100 | | 2635 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | CNY17 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.39V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| EL814S1 (TA) | - | | 3718 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 7 µs, 11 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 1MA | 300% @ 1MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
| TLP734 (M, F) | - | | 1483 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP734 (MF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP185 (BLL-TR, SE | 0.6000 | | 7102 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP185 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||
 | NTE3084 | 2.5200 | | 14 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - | Bolsa | Activo | - | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 2368-NTE3084 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | - | 1.5V (Máximo) | 7500vpk | 100% @ 10mA | - | - | 1V | ||||||||||||||||||
| OPI1290-080 | 7.7771 | | 2101 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Una granela | Activo | -20 ° C ~ 75 ° C | A Través del Aguetero | No Estándar, 5 Plomo | OPI1290 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 16V | - | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | - | 25ns, 25ns | 2.3V (Máximo) | - | - | 1/0 | - | 5 µs, 5 µs (topos) | ||||||||||||||||
| H11A3 | 0.0900 | | 3666 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
| TLP785F (D4Teet7F | - | | 5501 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (D4Teet7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| TLP183 (YH, E | 0.5100 | | 1248 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP183 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP183 (Yhe | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | HCPL-5231 | 187.3400 | | 11 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-CDIP (0.300 ", 7.62 mm) | HCPL-5231 | Corriente Continua | 2 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 5mbd | 45ns, 10ns | 1.3V | 8 MA | 1500VDC | 2/0 | 1kV/µs | 350ns, 350ns | |||||||||||||||
| TLP2768 (f) | - | | 8492 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP2768 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 2.7V ~ 5.5V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP2768 (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 20mbd | 30ns, 30ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||||
 | EL3083S1 (TA) | 0.6467 | | 2000 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | EL3083 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3903830006 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.5V (Máximo) | 60 Ma | 5000 VRMS | 800 V | 100 mA | 280 µA (tipos) | Si | 600V/µs | 5 mm | - | |||||||||||||||
| VO3020-X006 | - | | 4192 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | VO302 | CQC, CSA, CUL, Fimko, UL, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | - | 751-VO3020-X006 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 1.3V | 50 Ma | 5000 VRMS | 400 V | 100 mA | 200 µA (typ) | No | 100V/µs | 30mera | - | |||||||||||||||||
| TLP9121A (MBHAGBTLF | - | | 1213 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9121A (MBHAGBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11A1VM | 1.0000 | | 5228 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 50% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 400mv | |||||||||||||||||||
| HWXX39438ST1R | - | | 8496 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Una granela | Obsoleto | Hwxx3 | - | 751-HWXX39438ST1R | Obsoleto | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP785 (TP6, F) | 0.6400 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | EL3H7 (c) (TB) -vg | 0.1571 | | 2867 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | EL3H7 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 5,000 | 50mera | 5 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 3750vrms | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 200 MV |
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