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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HWXX58436SS1BS21 | - |  | 8649 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Una granela | Obsoleto | Hwxx5 | - | 751-HWXX58436SS1BS21 | Obsoleto | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785 (D4-LF6, F | - | | 5826 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (D4-LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||
| TLP785 (LF6, F | - | | 7433 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||
 | Moc207VM | 1.0000 | | 6163 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | ||||||||||||||
 | FODM3011 | 1.0000 | | 1510 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 250 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 10V/µs (topos) | 10 Ma | - | ||||||||||||
| TLP532 (BL, F) | - | | 8121 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP532 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP532 (BLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | VOT8125AB-T2 | 0.4200 | | 8337 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (5 cables), Ala de Gaviota | VOT8125 | CQC, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 751-VOT8125AB-T2TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 800 V | 100 mA | 400 µA (topos) | No | 1kV/µs | 5 mm | - | ||||||||||
| T1188-SD-F | - | | 3884 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Una granela | Obsoleto | - | 751-T1188-SD-F | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 140817144300 | 0.2900 | | 3 | 0.00000000 | Würth Elektronik | WL-ocpt | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-dip-slm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 3 µs, 4 µs | 35V | 1.24V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||
 | 4n27m | - | | 3809 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 10% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 500mv | ||||||||||||||
 | 4N31S (TA) -V | - | | 7696 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3907150044 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 55V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 10mA | - | 5 µs, 40 µs (máx) | 1.2V | |||||||||||
 | PS2802-4-V-F3-A | 3.4000 | | 1145 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | PS2802 | Corriente Continua | 4 | Darlington | 16-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 100mA | 200 µs, 200 µs | 40V | 1.1V | 50 Ma | 2500 VRMS | 200% @ 1MA | - | - | 1V | ||||||||||
 | PVI5013RPBF | 2.6200 | | 470 | 0.00000000 | Rectificador internacional | Pvi | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 2 | Fotovoltaico | 8 Dipp | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 115 | 1 µA | - | 8V | - | 3750vrms | - | - | 5 ms, 250 µs (max) | - | ||||||||||||
 | HCNW4504-000E | 3.5800 | | 10 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | HCNW4504 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 42 | 8 MA | - | 20V | 1.59V | 25 Ma | 5000 VRMS | 19% @ 16MA | 63% @ 16MA | 200ns, 300ns | - | ||||||||||
 | 140816141410 | 0.3800 | | 1 | 0.00000000 | Würth Elektronik | WL-ocpt | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-DIP-M | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 732-140816141410 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 3 µs, 4 µs | 80V | 1.24V | 60 Ma | 5000 VRMS | 300% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | |||||||||||
| HWXX77038TR | - | | 6972 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Una granela | Obsoleto | Hwxx7 | - | 751-HWXX77038TR | Obsoleto | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 140817144400 | 0.2900 | | 1 | 0.00000000 | Würth Elektronik | WL-ocpt | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-dip-slm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 3 µs, 4 µs | 35V | 1.24V | 60 Ma | 5000 VRMS | 300% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||
| TLP785F (D4GHF7, F | - | | 7137 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (D4GHF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||
 | Til117-v | - | | 6657 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Til117 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 390717L124 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.32V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 10mA | - | 10 µs, 9 µs | 400mv | ||||||||||
| EL1012 (TB) | - | | 1755 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | EL1012 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP (2.54 mm) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.45V | 60 Ma | 5000 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 4 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||
| TLP631 (GB-TP1, F) | - | | 7347 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP631 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP631 (GB-TP1F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP383 (D4GB-TL, E | 0.6100 | | 1349 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP383 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||
| TLP785 (GR-TP6, F | 0.1515 | | 7283 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (GR-TP6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||
 | IL300-EF-X017 | 3.3644 | | 4670 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | IL300 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico, Linealizado | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 70 µA (typ) | 1 µs, 1 µs | 500mv | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | - | - | - | - | |||||||||||
| H11A3M | 0.2200 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||
| TLP781F (f) | - | | 6116 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||
 | VO617C-4X001 | 0.2330 | | 3300 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 751-VO617C-4X001TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.1V | 60 Ma | 5300 VRMS | 160% @ 5MA | 320% @ 5MA | 6 µs, 4 µs | 400mv | |||||||||||||
| EL1117 (TA) -VG | 0.1951 | | 4401 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho), 5 cables | EL1117 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 5-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | C110000355 | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.5V (Máximo) | 60 Ma | 5000 VRMS | 80% @ 5MA | 160% @ 5MA | 4 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||
| PS2561D-1Y-VA | - | | 7155 | 0.00000000 | Renesas | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | - | 2156-PS2561D-1Y-VA | 1 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.2V | 40 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||||
 | H11A617A | - | | 2369 | 0.00000000 | onde | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | H11A | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2.4 µs, 2.4 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5300 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | - | 400mv |
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