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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PS9122-V-F3-AX | 2.2600 |  | 1859 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | PS9122 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 7V | 5-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 20 Ma | 1Mbps | 60ns, 70ns | 1.6V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 700ns, 500ns | |||||||||||||||
 | HCPL0500V | 0.8819 | | 9660 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | HCPL0500 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 7% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 500ns | - | |||||||||||||||
 | PS2861B-1Y-MA | - | | 1402 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 4 µs, 5 µs | 70V | 1.1V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||||||||||
 | HCPL-673K | 765.1780 | | 7226 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 20-Clcc | HCPL-673 | Corriente Continua | 2 | Darlington | 20-LCCC (8.89x8.89) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 40mera | - | 20V | 1.4V | 10 Ma | 1500VDC | 200% @ 5MA | - | 2 µs, 8 µs | 110mv | |||||||||||||||
| TLP2768F (f) | - | | 7185 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 2.7V ~ 5.5V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP2768F (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 20mbd | 30ns, 30ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||||
 | H11L1 | - | | 8068 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | H11L | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | - | 6 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 Ma | 1MHz | - | - | 1.6mA | 5300 VRMS | 1/0 | - | - | |||||||||||||||
 | ACPL-074L-500E | 7.0800 | | 8939 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ACPL-074 | Corriente Continua | 2 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V | 8 Tan Alto | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 Ma | 15mbd | 20ns, 25ns | 1.5V | 20 Ma | 3750vrms | 2/0 | 10 kV/µs | 50ns, 50ns | |||||||||||||||
 | PVI5050NPBF | 4.3900 | | 36 | 0.00000000 | Rectificador internacional | Pvi | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gull, 4 cables | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 69 | 5 µA | - | 5V | - | 4000 VRMS | - | - | 300 µs, 220 µs (MAX) | - | ||||||||||||||||||||
| EL3083 | 0.8939 | | 3584 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | EL308 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3903830000 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 1.5V (Máximo) | 60 Ma | 5000 VRMS | 800 V | 100 mA | 280 µA (tipos) | Si | 600V/µs | 5 mm | - | |||||||||||||||
 | MOC8020W | - | | 2554 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | MOC802 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MOC8020W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150 Ma | - | 50V | 1.15V | 60 Ma | 5300 VRMS | 500% @ 10mA | - | 3.5 µs, 95 µs | 2V | |||||||||||||||
 | Fod617b3s | - | | 4113 | 0.00000000 | onde | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FOD617 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5000 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||
 | TLP2745 (E | - | | 9400 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP2745 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 30V | 6-SO | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP2745 (E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 Ma | - | 3ns, 3ns | 1.55V | 15 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 30kV/µs | 120ns, 120ns | ||||||||||||||||
 | HCPL2730 | - | | 5657 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-HCPL2730-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Vom617a-x001t | 0.5700 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | VOM617 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.1V | 60 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 6 µs, 4 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | HCPL-553K | 658.8671 | | 7958 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | HCPL-553 | Corriente Continua | 2 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.55V | 20 Ma | 1500VDC | 9% @ 16MA | - | 400ns, 1 µs | - | |||||||||||||||
 | SFH620A-1 | 0.9400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | SFH620 | AC, DC | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 40% @ 10mA | 125% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | TLP155E (TPL, E) | 1.0800 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP155 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 10V ~ 30V | 6-so, 5 Plomo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | - | 35ns, 15ns | 1.55V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 170ns, 170ns | |||||||||||||||||
| ACPL-5701L | 105.8651 | | 3628 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-CDIP (0.300 ", 7.62 mm) | ACPL-5701 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 40mera | - | 20V | 1.4V | 10 Ma | 1500VDC | 200% @ 5MA | - | 2 µs, 6 µs | - | |||||||||||||||
| TLP9104 (SND-TPL, F) | - | | 5940 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9104 (SND-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Voh1016ad | 1.1000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | VOH1016 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 16 V | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 Ma | 2MHz | 50ns, 40ns | 1.1V | 50mera | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 2 µs, 1.2 µs | ||||||||||||||||
 | 4n37 | 0.6100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 4n37 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | - | 30V | 1.3V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | - | 10 µs, 10 µs | - | ||||||||||||||||
| EL816 (S1) (A) (TA) -V | - | | 7657 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 80% @ 5MA | 160% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
| TLP631 (TP1, F) | - | | 9923 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP631 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP631 (TP1F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD610-3X006 | - | | 3072 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | ILD610 | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2.9 µs, 3.1 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 3.6 µs, 3.7 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| TLP161J (IFT5, U, C, F | - | | 8740 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP161J | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP161J (IFT5UCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0370-060E | 2.1533 | | 2282 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | HCPL-0370 | AC, DC | 1 | Darlington | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 30mera | 20 µs, 0.3 µs | 20V | - | 3750vrms | - | - | 4 µs, 10 µs | - | ||||||||||||||||
| TLP358 (TP5, F) | - | | 9877 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP358 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 8-SMD | descascar | 264-TLP358 (TP5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5.5 A | - | 17ns, 17ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 500ns, 500ns | |||||||||||||||||
| TLP5702H (LF4, E | 1.8500 | | 6302 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5702 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 10V ~ 30V | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 37ns, 50ns | 1.65V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 50kV/µs | 200ns, 200ns | ||||||||||||||||||
 | 4N27S | - | | 5141 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | 4N2X | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | 4N27 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 4N27SLT | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 100mA | 3 µs, 3 µs | 30V | 1.2V | 80 Ma | 1500 VRMS | 10% @ 10mA | - | - | 500mv | |||||||||||||||
 | SFH600-0 | - | | 8981 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | SFH600 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 2.5 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 3.2 µs, 3 µs | 400mv |
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