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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo | Calificante | Calificante |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FODM121AR2 | 0.7000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM121 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | - | 400mv | |||||||||||||
![]() | TLP759 (D4MBIMT1J, F | - | ![]() | 3454 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759 (D4MBIMT1JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | ||||||||||||||
![]() | 4N55#100 | 99.7521 | ![]() | 6359 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-smd, articulacia de tope | 4N55 | Corriente Continua | 2 | Base de transistor | 16-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 18V | 1.55V | 20 Ma | 1500VDC | 9% @ 16MA | - | 400ns, 1 µs | - | ||||||||||||
![]() | CNY17F2SR2M | 0.7200 | ![]() | 980 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | CNY17F2 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||
![]() | HCPL-817-36LE | 0.1572 | ![]() | 4101 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | HCPL-817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 100% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||
![]() | LTV-851S | - | ![]() | 7471 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | - | Tubo | Activo | -25 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | LTV-851 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mera | 4 µs, 5 µs | 300V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 40% @ 5MA | - | - | 300mv | |||||||||||||
![]() | PS2565L-1-V-F3-A | - | ![]() | 6285 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMS | 80% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||
![]() | SFH615A-4 | 0.8000 | ![]() | 884 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | SFH615 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 60 Ma | 5300 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | ||||||||||||
![]() | HCPL-817-060E | 0.1572 | ![]() | 9522 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | HCPL-817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||
![]() | H11D2S | - | ![]() | 5215 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 213 | 100mA | - | 300V | 1.15V | 80 Ma | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 5 µs | 400mv | |||||||||||||||
![]() | ACFL-5212T-000E | 1.7037 | ![]() | 1575 | 0.00000000 | Broadcom Limited | R²Coupler ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 12-BSOP (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | ACFL-5212 | Corriente Continua | 2 | Transistor | 12-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 80 | 8 MA | - | 20V | 1.5V | 20 Ma | 5000 VRMS | 32% @ 10mA | 100% @ 10mA | 20 µs, 20 µs (máx) | - | Automotor | AEC-Q100 | ||||||||||
![]() | TLP732 (D4-Grl, F) | - | ![]() | 7537 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP732 (D4-GRLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACPL-573KL-200 | 730.5983 | ![]() | 2997 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-CDIP (0.300 ", 7.62 mm) | ACPL-573 | Corriente Continua | 2 | Darlington | 8 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 40mera | - | 20V | 1.4V | 10 Ma | 1500VDC | 200% @ 5MA | - | 2 µs, 6 µs | - | ||||||||||||
![]() | TLP137 (BV, F) | - | ![]() | 4856 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | TLP137 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-mfsop, 5 Plomo | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP137 (BVF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 8 µs, 8 µs | 80V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 200% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 µs, 8 µs | 400mv | ||||||||||||
TLP292-4 (V4, E | 1.8100 | ![]() | 6387 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||
TLP293-4 (LA-TR, E | 1.6300 | ![]() | 7543 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP293 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 500 µA | 600% @ 500 µA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||
![]() | EL817 (S1) (d) (TA) | - | ![]() | 3056 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 35V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 300% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||
![]() | ILCT6 | - | ![]() | 5776 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ILCT6 | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 30mera | - | 30V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||
![]() | 6N135-500E | 0.6145 | ![]() | 2961 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | 6N135 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8 MA | - | 20V | 1.5V | 25 Ma | 3750vrms | 7% @ 16MA | 50% @ 16MA | 200ns, 1.3 µs | - | ||||||||||||
![]() | IL4217-1001 | - | ![]() | 4911 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | IL4217 | BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | 6 Dipp | - | 751-IL4217-1001 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.3V | 60 Ma | 5300 VRMS | 700 V | 300 mA | 200 µA | No | 10 kV/µs | 700 µA (topos) | - | ||||||||||||||
![]() | TCLD1000 | 0.7400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TCLD1000 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80mera | 300 µs, - | 35V | 1.1V | 60 Ma | 5000 VRMS | 600% @ 1MA | - | -, 250 µs | 1V | |||||||||||||
![]() | FOD814300 | 0.6100 | ![]() | 190 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | FOD814 | AC, DC | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 1MA | 300% @ 1MA | - | 200 MV | ||||||||||||
![]() | PS2933-1-V-F3-A | - | ![]() | 7048 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-smd, planos de cables | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-Mini-Flat | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,500 | 60mera | 20 µs, 5 µs | 350V | 1.1V | 50 Ma | 2500 VRMS | 400% @ 1MA | 4500% @ 1MA | - | 1V | ||||||||||||||
![]() | HCNW139-500E | 2.4800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | HCNW139 | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 750 | 60mera | - | 18V | 1.45V | 20 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 12MA | - | 11 µs, 11 µs | - | ||||||||||||
![]() | EL213 (TA) -V | 0.3789 | ![]() | 3909 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | EL213 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | C110000611 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | - | 1.6 µs, 2.2 µs | 80V | 1.3V | 60 Ma | 3750vrms | 100% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||
![]() | HCPL-4504-500E | 2.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | HCPL-4504 | Corriente Continua | 1 | Transistor | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8 MA | - | 20V | 1.5V | 25 Ma | 3750vrms | 25% @ 16MA | 60% @ 16MA | 200ns, 300ns | - | ||||||||||||
![]() | TLP624-2 (LF5, F) | - | ![]() | 2717 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP624 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP624-2 (LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFH690CT-X001 | 0.8700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | SFH690 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP (2.54 mm) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 3 µs, 4 µs | 70V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 5 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||
![]() | PS8802-1-F3-AX | 5.1900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | PS8802 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8 MA | - | 35V | 1.7V | 25 Ma | 2500 VRMS | 15% @ 16MA | 45% @ 16MA | 300ns, 600ns | - | ||||||||||||
![]() | ILD206T | 1.3700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ILD206 | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | - | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.2V | 30 Ma | 4000 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 6 µs, 5 µs | 400mv |
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