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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo | Calificante | Calificante |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | H11B3 | 0.1000 |  | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | - | - | 55V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 1MA | - | 25 µs, 18 µs | 1V | ||||||||||||||||||||
 | CNY17F13SD | 0.2200 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 100 mA | 5300 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| CNY173 | 0.1900 | | 1639 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 300 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
 | FOD817CW | 0.1000 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||||||
 | FODM3021R2 | 0.4000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 400 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 10V/µs (topos) | 15 Ma | - | |||||||||||||||||||
| H11D3SD | 0.3600 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 200V | 1.15V | 80 Ma | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 5 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
 | FOD073LR1 | 2.0700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 2 | Darlington | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 500 | 60mera | - | 7V | 1.35V | 20 Ma | 2500 VRMS | 400% @ 500 µA | 7000% @ 500 µA | 5 µs, 25 µs | - | ||||||||||||||||||||
 | FODM3082 | - | | 2073 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | Cul, UL | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 21 | 1.5V (Máximo) | 60 Ma | 3750vrms | 800 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | Si | 600V/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||||||
 | TLX9309 (TPL, F | 3.6000 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLX9309 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 5 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 Ma | - | - | 1.6V | 15 Ma | 3750vrms | 15% @ 7MA | 300% @ 7MA | - | - | |||||||||||||||||||
 | TLX9905 (TPL, F | 4.0500 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLX9905 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 6-SOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | - | - | 7V | 1.65V | 30 Ma | 3750vrms | - | - | 300 µs, 1 m | - | Automotor | AEC-Q101 | |||||||||||||||||
| TLX9906 (TPL, F | 4.0500 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLX9906 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 6-SOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | - | - | 7V | 1.65V | 30 Ma | 3750vrms | - | - | 200 µs, 200 µs | - | Automotor | AEC-Q101 | |||||||||||||||||
| ACPL-K73A-000E | 3.2056 | | 9270 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.268 ", 6.81 mm de ancho) | ACPL-K73 | AC, DC | 2 | Base de conling de Darlington | 8 por estirado | descascar | Alcanzar sin afectado | 516-ACPL-K73A-000E | EAR99 | 8541.49.8000 | 80 | 60mera | - | 18V | 1.4V | 20 Ma | 5000 VRMS | 800% @ 40 µA | 25000% @ 40 µA | - | - | ||||||||||||||||||
 | Fod617bsd | - | | 9346 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5000 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||||||
| H11D2SR2VM | 0.4100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 300V | 1.15V | 80 Ma | 7500vpk | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 5 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
| FODM3053R1 | 1.0000 | | 8434 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 1kV/µs | 5 mm | - | |||||||||||||||||||
| FOD617D300 | - | | 5862 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 380 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5000 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||||||
| 4N26S | 0.0900 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 100 mA | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 500mv | ||||||||||||||||||||
| FODM3052R3V | 0.5100 | | 8734 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | BSI, CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 1kV/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||||||
| H11AA1300W | 0.1400 | | 1776 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 10 | - | - | 30V | 1.2V | 100 mA | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | - | - | 400mv | ||||||||||||||||||||
| FOD2742CR1 | 0.3300 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 70V | 1.2V | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||||||
| H11AA4SD | - | | 8537 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 30V | 1.2V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | - | - | 400mv | ||||||||||||||||||||
 | FOD2743CV | 0.3300 | | 980 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 980 | 50mera | - | 70V | 1.07V | 5000 VRMS | 50% @ 1MA | 100% @ 1MA | - | 400mv | |||||||||||||||||||||
| H11AA4300 | 0.3700 | | 116 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.2V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | - | - | 400mv | ||||||||||||||||||||
| MOC3010 | 0.3300 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Moc301 | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.49.8000 | 919 | 50 Ma | 5300 VRMS | 250 V | 100 µA | No | 15 Ma | |||||||||||||||||||||||||
| CNY17F4 | 0.1000 | | 155 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,959 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 100 mA | 5300 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| 4N363SD | 0.1000 | | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| H11A3 | 0.0900 | | 3666 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
| FOD2742C | 0.3000 | | 52 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | - | 70V | 1.2V | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||||||
| 4N26VM | 0.2700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 20% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 500mv | ||||||||||||||||||||
| FOD0738 | 3.2700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 2 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 2 MA | 15mbd | 12ns, 8ns | 1.45V | 20 Ma | 2500 VRMS | 2/0 | 25kV/µs | 60ns, 60ns |
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