SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
PS2561AL-1-V-F3-L-A CEL PS2561Al-1-V-F3-LA -
RFQ
ECAD 2734 0.00000000 Cela NEPOC Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 30mera 3 µs, 5 µs 70V 1.2V 30 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
EL814S1(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL814S1 (TB) -
RFQ
ECAD 3807 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota AC, DC 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1,000 - 7 µs, 11 µs 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 MV
6N138SV onsemi 6N138SV -
RFQ
ECAD 2989 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota 6N138 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 60mera - 7V 1.3V 20 Ma 2500 VRMS 300% @ 1.6MA - 1,5 µs, 7 µs -
TLP385(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (BL, E 0.5500
RFQ
ECAD 6092 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP385 (BLE EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
HCPL-4661-000E Broadcom Limited HCPL-4661-000E 7.1400
RFQ
ECAD 2066 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL-4661 Corriente Continua 2 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 5.5V 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 10mbd 24ns, 10ns 1.5V 15 Ma 3750vrms 2/0 15kV/µs 100ns, 100ns
HCPL-0601-000E Broadcom Limited HCPL-0601-000E 2.7300
RFQ
ECAD 3670 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL-0601 Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 5.5V 8 Tan Alto descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50 Ma 10mbd 24ns, 10ns 1.5V 20 Ma 3750vrms 1/0 10 kV/µs 100ns, 100ns
H11G1SM onsemi H11G1SM 1.0600
RFQ
ECAD 4394 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11G1 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 100V 1.3V 60 Ma 4170vrms 1000% @ 10 Ma - 5 µs, 100 µs 1V
ACSL-6420-50TE Broadcom Limited ACSL-6420-50TE 9.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Broadcom Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ACSL-6420 Corriente Continua 4 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 3V ~ 5.5V 16-soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 15mbd 30ns, 12ns 1.52V 15 Ma 2500 VRMS 2/2 10 kV/µs 100ns, 100ns
6N135-500E Broadcom Limited 6N135-500E 0.6145
RFQ
ECAD 2961 0.00000000 Broadcom Limited - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota 6N135 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.5V 25 Ma 3750vrms 7% @ 16MA 50% @ 16MA 200ns, 1.3 µs -
HMA2701R2V onsemi HMA2701R2V -
RFQ
ECAD 2038 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA270 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
4N37-X006 Vishay Semiconductor Opto Division 4N37-X006 0.2209
RFQ
ECAD 1665 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4n37 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera - 30V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 10mA - 10 µs, 10 µs -
EL3H7-G Everlight Electronics Co Ltd EL3H7-G 0.1666
RFQ
ECAD 4269 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) EL3H7 Corriente Continua 1 Transistor 4-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 3903H70013 EAR99 8541.49.8000 150 50mera 5 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
8429990000 Weidmüller 8429990000 -
RFQ
ECAD 7308 0.00000000 Weidmüller - Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 60 ° C DIN Rail Módulo Corriente Continua 1 Transistor - descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1 500mA - 24 V - - - - - -
6N139 Isocom Components 2004 LTD 6N139 1.1100
RFQ
ECAD 5851 0.00000000 Isocom Components 2004 Ltd - Tubo Activo 0 ° C ~ 70 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 60mera - 18V 1.3V 20 Ma 5000 VRMS 500% @ 1.6MA - 1 µs, 7 µs (máx) -
VO4256M-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO4256M-X006 -
RFQ
ECAD 6256 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) VO4256 cur, fimko, ur 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 600 V 300 mA - No 5kV/µs 3mera -
TLP185(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (TPR, SE 0.1530
RFQ
ECAD 1778 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
HCPL-0500 Broadcom Limited HCPL-0500 1.1749
RFQ
ECAD 9889 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL-0500 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 516-1024-5 EAR99 8541.49.8000 100 8 MA - 20V 1.5V 25 Ma 3750vrms 5% @ 16MA - 200ns, 1.3 µs -
4N25-000E Broadcom Limited 4N25-000E 0.7000
RFQ
ECAD 115 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4n25 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 65 100mA 3 µs, 3 µs 30V 1.2V 80 Ma 2500 VRMS 20% @ 10mA - - 500mv
PS2565L-1 CEL PS2565L-1 -
RFQ
ECAD 1764 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota AC, DC 1 Transistor 4-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 100 50mera 3 µs, 5 µs 80V 1.17V 80 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
HCPL-817-50BE Broadcom Limited HCPL-817-50BE 0.5800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Broadcom Limited - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HCPL-817 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 MV
PC123FJ0000F Sharp Microelectronics PC123FJ0000F -
RFQ
ECAD 9205 0.00000000 Microelectónica afilada - Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 MV
ACPL-5630L Broadcom Limited ACPL-5630L 98.0951
RFQ
ECAD 3522 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) ACPL-5630 Corriente Continua 2 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 3V ~ 3.6V 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3A001A2C 8541.49.8000 1 25 Ma 10mbd 20ns, 8ns 1.55V 20 Ma 1500VDC 2/0 1kV/µs 100ns, 100ns
PS2701-1-V-A CEL PS2701-1-VA -
RFQ
ECAD 3896 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 100 80mera 3 µs, 5 µs 40V 1.1V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
HCPL0453 onsemi HCPL0453 2.8600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL04 Corriente Continua 1 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 300ns -
H11C1300W onsemi H11C1300W -
RFQ
ECAD 7787 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11C Ur, vde 1 SCR 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11C1300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 200 V 300 mA - No 500V/µs 20 Ma -
H11N3-M onsemi H11N3-M -
RFQ
ECAD 7620 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11N Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 5MHz - 1.4V 10 Ma 7500 VRMS 1/0 - 330ns, 330ns
74OL60113S onsemi 74ol60113s -
RFQ
ECAD 2006 0.00000000 onde Optológico ™ Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 74ol601 Lógica 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 15V 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 40 Ma 15mbd 50ns, 5ns - - 5300 VRMS 1/0 5kV/µs 180ns, 120ns
PS2506-4-A CEL PS2506-4-A -
RFQ
ECAD 8546 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) AC, DC 4 Darlington 16 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados PS2506-4A EAR99 8541.49.8000 20 160 Ma 100 µs, 100 µs 40V 1.17V 80 Ma 5000 VRMS 200% @ 1MA - - 1V
TLP137(BV-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 (BV-TPR, F) -
RFQ
ECAD 5868 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables TLP137 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-mfsop, 5 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP137 (BV-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 8 µs, 8 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 200% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
PC12310NSZ0F Sharp Microelectronics PC12310NSZ0F -
RFQ
ECAD 9103 0.00000000 Microelectónica afilada - Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 425-2071-5 EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 10 Ma 5000 VRMS 50% @ 500 µA 400% @ 500 µA - 200 MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock