SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
H11C6300 onsemi H11C6300 -
RFQ
ECAD 1091 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11C Ur, vde 1 SCR 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11C6300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 400 V 300 mA - No 500V/µs 30mera -
EL357NE-G Everlight Electronics Co Ltd EL357NE-G -
RFQ
ECAD 4557 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota EL357 Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP (2.54 mm) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 3 µs, 4 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 200 MV
HCPL-2631-320E Broadcom Limited HCPL-2631-320E 2.2491
RFQ
ECAD 1888 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL-2631 Corriente Continua 2 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 5.5V Ala de la Gaviota de 8 Dipas descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 10mbd 24ns, 10ns 1.5V 15 Ma 5000 VRMS 2/0 10 kV/µs 100ns, 100ns
PC3SD21NTZAH Sharp Microelectronics PC3SD21NTZAH -
RFQ
ECAD 4639 0.00000000 Microelectónica afilada - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic - - - PC3SD21 - - - - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1,000 - - - - - -
MOC3163SR2M onsemi MOC3163SR2M 2.0200
RFQ
ECAD 478 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc316 Ul 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 1kV/µs 5 mm -
MOCD208M onsemi Mocd208m 1.0600
RFQ
ECAD 319 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOCD208 Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 70V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 40% @ 10mA 125% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
4N27SVM onsemi 4N27SVM -
RFQ
ECAD 2012 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N27 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N27SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 10% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
H11A3M Lite-On Inc. H11A3M -
RFQ
ECAD 4440 0.00000000 Lite-on Inc. H11AX Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 65 150 Ma 2.8 µs, 4.5 µs 30V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 20% @ 10mA - - 400mv
FOD2743BTV onsemi FOD2743BTV 2.1500
RFQ
ECAD 968 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD2743 Corriente Continua 1 Transistor 8 mdip descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 70V 1.07V 5000 VRMS 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400mv
H11D33S onsemi H11D33S -
RFQ
ECAD 2833 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11d Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11D33S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 200V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
MOC206M onsemi Moc206m 0.7400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Moc206 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
VO4157D-X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO4157D-X017T -
RFQ
ECAD 9532 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota VO4157 Cur, Fimko, Ur, VDE 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 700 V 300 mA 500 µA Si 5kV/µs 1.6mA -
PS2561DL-1Y-V-F3-H-A CEL PS2561DL-1Y-V-F3-HA -
RFQ
ECAD 5062 0.00000000 Cela NEPOC Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 3 µs, 5 µs 80V 1.2V 40 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 300mv
ISP281B Isocom Components 2004 LTD ISP281B 0.5700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Isocom Components 2004 Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) ISP281 Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.4V (Máximo) 50 Ma 3750vrms 130% @ 5MA 260% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
FOD2200SD onsemi FOD2200SD -
RFQ
ECAD 7020 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota FOD220 Corriente Continua 1 Tri-estatal 4.5V ~ 20V 8-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 25 Ma 2.5mbd 80ns, 25ns 1.4V 10 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 300ns, 300ns
SFH6156-4T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6156-4T 0.5500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota SFH6156 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2 µs, 2 µs 70V 1.25V 60 Ma 5300 VRMS 160% @ 10mA 320% @ 10mA 3 µs, 2.3 µs 400mv
HCPL2731S onsemi HCPL2731S 2.5600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL2731 Corriente Continua 2 Darlington 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 60mera - 18V 1.3V 20 Ma 2500 VRMS 500% @ 1.6MA - 300ns, 5 µs -
MCT6 onsemi MCT6 1.0500
RFQ
ECAD 721 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MCT6 Corriente Continua 2 Transistor 8 Dipp - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 30mera - 30V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 20% @ 10mA - 2.4 µs, 2.4 µs 400mv
H11A5FR2M onsemi H11A5FR2M -
RFQ
ECAD 2939 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 30% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
ILD621 Vishay Semiconductor Opto Division ILD621 -
RFQ
ECAD 5018 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) ILD621 Corriente Continua 2 Transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 2 µs 70V 1.15V 60 Ma 5300 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 2.3 µs 400mv
HCPL-573K Broadcom Limited HCPL-573K 695.9983
RFQ
ECAD 4594 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL-573 Corriente Continua 2 Darlington 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A001A2C 8541.49.8000 1 40mera - 20V 1.4V 10 Ma 1500VDC 200% @ 5MA - 2 µs, 8 µs 110mv
HCPL-M456-560E Broadcom Limited HCPL-M456-560E 1.4109
RFQ
ECAD 9932 0.00000000 Broadcom Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables HCPL-M456 Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 30V 5-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1.500 15 Ma - - 1.5V 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 550ns, 400ns
HCPL-817-30LE Broadcom Limited HCPL-817-30LE 0.1452
RFQ
ECAD 3159 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -30 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HCPL-817 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 100% @ 5MA - 200 MV
HCPL-817-50DE Broadcom Limited HCPL-817-50de 0.5200
RFQ
ECAD 79 0.00000000 Broadcom Limited - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HCPL-817 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
EL817(S)(A)(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S) (a) (TB) -V -
RFQ
ECAD 4148 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3 µs 35V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 MV
TLP781F(D4GRH-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GRH-T7, F -
RFQ
ECAD 2497 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (D4GRH-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2735(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735 (D4-TP, E 1.8500
RFQ
ECAD 3696 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2735 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 9V ~ 15V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 20 Ma 10Mbps -, 4ns 1.61V 15 Ma 5000 VRMS 1/0 25kV/µs 100ns, 100ns
140814240010 Würth Elektronik 140814240010 0.3900
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Würth Elektronik WL-ocpt Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 3 µs, 4 µs 80V 1.24V 60 Ma 5000 VRMS 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 MV
4N26 Everlight Electronics Co Ltd 4N26 0.3399
RFQ
ECAD 5826 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 65 - - 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 20% @ 10mA - 3 µs, 3 µs 500mv
TPC817S1D RAG Taiwan Semiconductor Corporation TPC817S1D RAG -
RFQ
ECAD 3903 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC817 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock