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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VOS615A-1T | 0.6400 |  | 825 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 3 µs, 4 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 3750vrms | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 5 µs, 5 µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | VO617A-8X016 | 0.1020 | | 5508 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 751-VO617A-8X016TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 80V | 1.35V | 60 Ma | 5300 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | VOW136-X001 | 1.2307 | | 5275 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 751-vow136-x001tr | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.200 | 8 MA | - | - | 1.38V | 25 Ma | 5300 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | - | - | |||||||||||||||||
| VO617A-7X016 | 0.3900 | | 2328 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 80V | 1.35V | 60 Ma | 5300 VRMS | 80% @ 5MA | 160% @ 5MA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | RV1S9262ACCSP-10YC#SC0 | 5.4400 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | RV | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 5-SMD, Ala de Gaviota | RV1S9262 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 30V | 5-LSSO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 25 Ma | 15Mbps | - | 1.54V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 100kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||
 | Moc3063m | - | | 2472 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | UL, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-MOC3063M-600039 | 1 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 500 µA (topos) | Si | 600V/µs | 5 mm | - | ||||||||||||||||||
 | ISP845 | 0.8333 | | 8873 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | ISP845 | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Darlington | 16 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 58-ISP845 | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 80mera | 60 µs, 53 µs | 35V | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 600% @ 1MA | 7500% @ 1MA | - | 1V | ||||||||||||||
 | ISD1 | 0.3111 | | 9777 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | ISD1 | Tubo | Activo | -25 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 58-ISD1 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2.6 µs, 2.2 µs | 50V | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | 300% @ 10mA | - | - | ||||||||||||||
| ISP814SM | 0.2028 | | 1157 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | ISP814 | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 58-ISP814SM | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 35V | 1.2V | 50 Ma | 7.5vpk | 20% @ 1MA | 300% @ 1MA | - | 200 MV | ||||||||||||||
 | H11AV3 | 0.1844 | | 4333 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | H11AV | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 58-H11AV3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.2V | 60 Ma | 7.5vpk | 20% @ 10mA | - | - | 400mv | ||||||||||||||
| ISP827 | 0.2694 | | 7355 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | ISP827 | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 58-ISP827 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 35V | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||
 | FOD8802A | 0.7871 | | 8727 | 0.00000000 | onde | Optohit ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 488-FOD8802A | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 30mera | 6 µs, 7 µs | 75V | 1.35V | 20 Ma | 2500 VRMS | 65% @ 1MA | 150% @ 1MA | 6 µs, 6 µs | 400mv | ||||||||||||||
| RV1S9209ACCSP-10YV#SC0 | 4.5000 | | 7017 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 5-SMD, Ala de Gaviota | RV1S9209 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 5-LSSO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 25 Ma | - | 25ns, 5ns | 1.56V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 50kV/µs | 200ns, 200ns | ||||||||||||||
 | H11AA1 | 1.8400 | | 653 | 0.00000000 | Tecnología de Calidad | - | Caja | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3845-H11AA1 | EAR99 | 1 | 50mera | - | 30V | 1.17V | 60 Ma | 20% @ 10mA | - | - | 400mv | ||||||||||||||||
 | TLX9188 (GBTPL, F | 3.4000 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 200V | 1.27V | 30 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | MOC3071TVM | 0.3873 | | 7496 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Moc307 | UL, VDE | 1 | Triac | 6-PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 800 V | 540 µA (topos) | No | 1kV/µs | 15 Ma | - | |||||||||||||||
| FOD8802B | 0.8659 | | 1914 | 0.00000000 | onde | Optohit ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 30mera | 6 µs, 7 µs | 75V | 1.35V | 20 Ma | 2500 VRMS | 130% @ 1MA | 260% @ 1MA | 6 µs, 6 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | FODM121GR4 | 0.9300 | | 6392 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM121 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 400mv | ||||||||||||||
| ACPL-6750L | 140.4650 | | 9812 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Junta de 8-smd | ACPL-6750 | Corriente Continua | 1 | Darlington | Junta de 8 Dips | descascar | ROHS3 Cumplante | 516-ACPL-6750L | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 40mera | - | 20V | 1.4V | 10 Ma | 1500VDC | 200% @ 5MA | - | 2 µs, 6 µs | 110mv | |||||||||||||||
| TLP161J (T5TL, U, C, F | - | | 9548 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP161J | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP161J (T5TLUCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732 (GR, F) | - | | 1498 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP732 (GRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP731 (D4-LF2, F) | - | | 4092 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP731 (D4-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTE3048 | 3.9900 | | 87 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | NTE30 | - | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 2368-NTE3048 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.5V (Máximo) | 60 Ma | 7500vpk | 400 V | 100 µA | No | 10V/µs (topos) | 15 Ma | - | ||||||||||||||||
 | NTE3088 | 4.4000 | | 122 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - | Bolsa | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 2368-NTE3088 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 100mA | - | 300V | 1.2V | 60 Ma | 7500vpk | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 5 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | NTE3047 | 3.1300 | | 142 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | NTE30 | - | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 2368-NTE3047 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.5V (Máximo) | 60 Ma | 7500vpk | 250 V | 100 µA | No | 10V/µs (topos) | 15 Ma | - | ||||||||||||||||
 | NTE3049 | 6.0800 | | 68 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | NTE30 | - | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 2368-NTE3049 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.3V | 50 Ma | 7500vpk | 250 V | 100 µA | Si | 100V/µs (TÍP) | 15 Ma | - | ||||||||||||||||
| TLP127 (Del-TPR, F) | - | | 5359 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (Del-TPRF) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | |||||||||||||||
| TLP187 (V4-TPR, E | - | | 2654 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP187 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-SOP | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP187 (v4-tpretr | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | |||||||||||||||
| TLP127 (Taiko-TPL, F | - | | 8173 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (Taiko-Tplftr | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | |||||||||||||||
| TLP127 (MBS-TPL, F) | - | | 5067 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (MBS-TPLF) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V |
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