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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP2161 (TP, F) | - |  | 3368 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TLP2161 | Corriente Continua | 2 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | 8-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 10 Ma | 15mbd | 3ns, 3ns | 1.5V | 10 Ma | 2500 VRMS | 2/0 | 20kV/µs | 80ns, 80ns | ||||||||||||||||
 | Fod814asd | 0.7500 | | 6162 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FOD814 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 1MA | 150% @ 1MA | - | 200 MV | |||||||||||||||
 | EL3031M-V | - | | 1986 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | EL3031 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3903310009 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 1.5V (Máximo) | 60 Ma | 5000 VRMS | 250 V | 100 mA | 280 µA (tipos) | Si | 1kV/µs | 15 Ma | - | |||||||||||||||
 | ISP847XSM | 1.8000 | | 368 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 16-SMD, Ala de Gaviota | ISP847 | Corriente Continua | 4 | Transistor | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 400 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 35V | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||
 | Til118-3 | 0.3200 | | 3 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 951 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785 (D4-BLL, F | - | | 1299 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (D4-Bllf | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | IS181D | 0.5700 | | 97 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | IS181 | Corriente Continua | 1 | Transistor | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 3750vrms | 300% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||
| TLP550 (MAT-TP5, F) | - | | 2344 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP550 (MAT-TP5F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PS2561Al-1-F3-LA | - | | 9627 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | PS2561 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 559-1275-2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 30mera | 3 µs, 5 µs | 70V | 1.2V | 30 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||||||||
| TLP781 (D4-GB-LF6, F | - | | 3421 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (D4-GB-LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | Mocd223vm | 2.0200 | | 1 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | MOCD223 | Corriente Continua | 2 | Darlington | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 150 Ma | 8 µs, 110 µs | 30V | 1.25V | 60 Ma | 2500 VRMS | 500% @ 1MA | - | 10 µs, 125 µs | 1V | |||||||||||||||
 | ACPL-K75T-500E | 7.2700 | | 1 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.268 ", 6.81 mm de ancho) | ACPL-K75 | Corriente Continua | 2 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 5.5V | 8 por estirado | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 10ns, 10ns | 1.5V | 20 Ma | 5000 VRMS | 2/0 | 25kV/µs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||||
 | TLP2768A (D4, E | - | | 4058 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP2768 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 2.7V ~ 5.5V | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP2768A (D4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 25 Ma | 20mbd | 30ns, 30ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||
| TLP732 (D4-GB-LF1, F | - | | 9844 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP732 (D4-GB-LF1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP570 (Fanuc, F) | - | | 3099 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP570 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP570 (FANUCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ab356n6t | 1.0500 | | 1 | 0.00000000 | Kingbright | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | - | ROHS3 Cumplante | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 3750vrms | 130% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
| TLP531 (GRL, F) | - | | 5523 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP531 (GRLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PC123Y23FZ9F | 0.0778 | | 2496 | 0.00000000 | Tecnología Sharp/Sócle | PC123 | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | Obsoleto | 0000.00.0000 | 100 | 2.5A DE 2.5A | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
 | CNY17F-1 | 0.2000 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.600 | - | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.65V (Max) | 60 Ma | 5000 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 10 µs, 9 µs | 300mv | ||||||||||||||||||
| OR-4504S-TA1 | 1.0400 | | 9612 | 0.00000000 | Shenzhen Orient Components Co., Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP759 (D4-MBS3, J, F | - | | 7467 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759 (D4-MBS3JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | |||||||||||||||||
 | Jantxv4n48a | - | | 7254 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | Un 78-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 365-1974 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 20 µs, 20 µs (máx) | 40V | 1.5V (Máximo) | 40 Ma | 1000VDC | 100% @ 1MA | 500% @ 1MA | - | 300mv | |||||||||||||||
 | FOD819 | 1.0900 | | 2 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | FOD819 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 30mera | 12 µs, 20 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 1.5mA | 600% @ 1.5mA | 18 µs, 18 µs | 300mv | |||||||||||||||
| OPI1280-040 | - | | 7630 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Una granela | Obsoleto | -20 ° C ~ 75 ° C | A Través del Aguetero | No Estándar, 4 Plomo | Corriente Continua | 1 | Transistor | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | - | - | 33V | 2.3V (Máximo) | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||
 | TIL113S (TB) | - | | 5178 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Til113 | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 55V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 300% @ 10mA | - | 5 µs, 100 µs (máx) | 1.2V | ||||||||||||||||
| MOC217R2VM | 0.8100 | | 2 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | MOC217 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 30V | 1.07V | 60 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | - | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | |||||||||||||||
| TLP716 (D4-MBS-TP, F | - | | 8296 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 5.5V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP716 (D4-MBS-TPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 Ma | 15mbd | 15ns, 15ns | 1.65V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||
 | FOD617D | 0.0800 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,907 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5000 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||||
 | LTV-355T-D | - | | 3406 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | LTV-355T | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | LTV-355 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80mera | 60 µs, 53 µs | 35V | 1.2V | 50 Ma | 3750vrms | 600% @ 1MA | 7500% @ 1MA | - | 1V | ||||||||||||||||
 | ILQ621GB-X016 | - | | 8503 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | ILQ621 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.15V | 60 Ma | 5300 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv |
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