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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCET1202G | - |  | 6905 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TCET12 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5000 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 6 µs, 5 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | H11AG2300 | 0.3100 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 50 Ma | 5300 VRMS | 50% @ 1MA | - | 5 µs, 5 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | HCPL0453 | 1.1900 | | 346 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 253 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 300ns | - | |||||||||||||||||||
 | HCPL-817-06BE | 0.1411 | | 3186 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | HCPL-817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||
| TLP9121A (PASGBTL, F | - | | 1110 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9121A (PASGBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 4n32m-V | - | | 7528 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3907150057 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | - | 55V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 500% @ 10mA | - | 5 µs, 100 µs (máx) | 1V | ||||||||||||||||
 | TLP2395 (TPL, E | - | | 6515 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2395 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 20V | 6-so, 5 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP2395 (TPLETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 Ma | 5Mbps | 15ns, 12ns | 1.5V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
 | TLP385 (D4-TPR, E | 0.5600 | | 6071 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||
| TLP785F (Y, F | - | | 5182 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (YF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| TLP714F (TP, F) | - | | 6424 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 30V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP714F (TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||||||
| TLP631 (Y, F) | - | | 6022 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP631 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP631 (YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP3042 (TP1, S, C, F) | - | | 8806 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables | TLP3042 | BSI, SEMKO, UR | 1 | Triac | 6 DIP (Corte), 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | TLP3042 (TP1SCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 400 V | 100 mA | 600 µA (topos) | Si | 200V/µs | 10 Ma | - | ||||||||||||||||
 | TLP3906 (TPL, E | 1.9500 | | 42 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP3906 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 12 µA | - | 7V | 1.65V | 30 Ma | 3750vrms | - | - | 200 µs, 300 µs | - | ||||||||||||||||
| Moc256vm | - | | 2514 | 0.00000000 | onde | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Moc256 | AC, DC | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | - | 30V | 1.2V | 60 Ma | 2500 VRMS | 20% @ 10mA | - | - | 400mv | ||||||||||||||||
| TLP781F (D4-FungB, F | - | | 2520 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4-FUNGBF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | IS357 | 0.5700 | | 155 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
| 4n35m | 0.3510 | | 6976 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | - | 10 µs, 9 µs | 300mv | |||||||||||||||||
 | PS2701A-1-F3-LA | - | | 2632 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | PS2701 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,500 | 30mera | 5 µs, 7 µs | 70V | 1.2V | 30 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||||
| PS2861B-1Y-F3-MA | 0.4795 | | 7579 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | PS2861 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 559-1539-2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,500 | 50mera | 4 µs, 5 µs | 70V | 1.1V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||||||||
 | Sfh6756t | 3.4400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SFH6756 | Corriente Continua | 2 | Desagüe | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50 Ma | 10mbd | 23ns, 7ns | 1.4V | 20 Ma | 4000 VRMS | 2/0 | 5kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | Ax de PS9124-V | 2.7240 | | 5501 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bolsa | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | PS9124 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V | 5-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 25 Ma | 10Mbps | 20ns, 5ns | 1.55V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
| HCPL0700R1V | - | | 9041 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | HCPL07 | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 60mera | - | 7V | 1.25V | 20 Ma | 2500 VRMS | 300% @ 1.6MA | 2600% @ 1.6MA | 1 µs, 7 µs | - | ||||||||||||||||
 | Sfh692at | - | | 6876 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | SFH692 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-SOP (2.54 mm) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 1 µs, 20.5 µs | 300V | 1.2V | 50 Ma | 3750vrms | 1000% @ 1MA | - | 1.5 µs, 53.5 µs | 1V | |||||||||||||||
| ILD205T-LB | - | | 8621 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | ILD205T | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-Soico | - | 751-'D205T-LB | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.2V | 30 Ma | 4000 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 6 µs, 5 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | ACPL-K49T-000E | 4.0500 | | 4905 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.268 ", 6.81 mm de ancho) | ACPL-K49 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 por estirado | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 80 | 8 MA | - | 20V | 1.5V | 20 Ma | 5000 VRMS | 32% @ 10mA | 100% @ 10mA | 20 µs, 20 µs (máx) | - | |||||||||||||||
 | ISP827X | 0.8600 | | 403 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ISP827 | Corriente Continua | 2 | Transistor | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 800 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 35V | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||
 | CNY117F-3X016 | 0.2743 | | 9656 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | CNY117 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.39V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | EL817 (S) (C) (TB) -G | - | | 5597 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
| EL817 (S) (TU) -V | - | | 3527 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | EL817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 35V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
| TLP733F (D4, M, F) | - | | 4845 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP733 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP733F (D4MF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 |
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