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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EL817 (S) (TA) | - |  | 4553 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 35V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
 | TLP9104 (SND-TPL, F) | - | | 5940 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9104 (SND-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | H11G2W | - | | 1431 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | H11G | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | H11G2W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 80V | 1.3V | 60 Ma | 5300 VRMS | 1000% @ 10 Ma | - | 5 µs, 100 µs | 1V | |||||||||||||||
| EL817 (S1) (B) (Tu) -vg | 0.1732 | | 6730 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | EL817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
 | PS8101-AX | - | | 5886 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Banda | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | Corriente Continua | 1 | Transistor | 5-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | PS8101AX | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 8 MA | - | 35V | 1.7V | 25 Ma | 3750vrms | 15% @ 16MA | 35% @ 16MA | 500ns, 600ns | - | |||||||||||||||
| TLP5705H (D4TP4, E | 1.9900 | | 8441 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 37ns, 50ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 50kV/µs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||||||
 | HCPL-0701#060 | - | | 8330 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 60mera | - | 18V | 1.4V | 20 Ma | 3750vrms | 500% @ 1.6MA | 2600% @ 1.6MA | 200ns, 2 µs | - | ||||||||||||||||
 | 4N37-X009 | 0.7300 | | 845 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | 4n37 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | - | 30V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | - | 10 µs, 10 µs | - | ||||||||||||||||
 | PS9121-V-F3-AX | 3.4500 | | 1360 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | PS9121 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 2.7V ~ 3.6V | 5-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 15Mbps | 20ns, 5ns | 1.65V | 30mera | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
 | TLP651 (O, F) | - | | 4853 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP651 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | TLP651 (DE) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 MA | - | 15V | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 19% @ 16MA | - | 300ns, 500ns | - | |||||||||||||||
 | OPI150 | 62.4700 | | 190 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | Axial - 5 cables | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | Axial | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | - | 30V | 1.3V | 50 Ma | 50000VDC | 10% @ 10mA | - | 120 µs, 70 µs | 500mv | ||||||||||||||||
| PS2805C-4-F3-MA | 1.0898 | | 8417 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | PS2805 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-ssop | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 559-1513-2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 30mera | 5 µs, 7 µs | 80V | 1.2V | 30 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 5MA | 400% @ 5MA | 10 µs, 7 µs | 300mv | ||||||||||||||
 | MOC205R1M | - | | 9630 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Moc205 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MOC205R1M-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | |||||||||||||||
| TLP161J (V4DMT7TRCF | - | | 8447 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP161 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP161J (V4DMT7TRCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP120 (GB-TPR, F) | - | | 6747 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP120 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Plomo | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP120 (GB-TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | PS2502-1-MA | - | | 8581 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 200 MMA | 100 µs, 100 µs | 40V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 1MA | 1000% @ 5MA | - | 1V | ||||||||||||||||
 | PS2532L-1-E3-A | - | | 2518 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150 Ma | 100 µs, 100 µs | 300V | 1.15V | 80 Ma | 5000 VRMS | 1500% @ 1MA | 6500% @ 1MA | - | 1V | |||||||||||||||||
 | TLP525G (TP1, F) | - | | 3696 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD (0.300 ", 7.62 mm) | CSA, CUL, UL | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | 264-TLP525G (TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 400 V | 100 mA | 600 µA | No | 200V/µs | 10 Ma | - | ||||||||||||||||||
| HCPL-5400#300 | 103.8948 | | 7911 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-CSMD, Ala de Gaviota | HCPL-5400 | Corriente Continua | 1 | Tri-estatal | 4.75V ~ 5.25V | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 40mbps | 15ns, 10ns | 1.35V | 10 Ma | 1500VDC | 1/0 | 500V/µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||
 | PC3SD21NTZDH | - | | 5950 | 0.00000000 | Tecnología Sharp/Sócle | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables | PC3SD21 | CSA, Ur | 1 | Triac | 6 Dipp | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 100 mA | 3.5mA | Si | 1kV/µs | 3mera | 50 µs (MAX) | ||||||||||||||||
| PS9303L-V-AX | - | | 3721 | 0.00000000 | Renesas | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 6-sdip | - | 2156-PS9303L-V-AX | 1 | 25 Ma | 1Mbps | 120ns, 90ns | 1.6V | 20 Ma | 5000 VRMS | - | 15kV/µs | 500ns, 550ns | ||||||||||||||||||||
 | TPC816MC C9G | - | | 4841 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | TPC816 | Tubo | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
 | El817 (m) (c) -vg | 0.2123 | | 8672 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | EL817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
| PC12310NSZ | - | | 9720 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | - | Tubo | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | 425-1309-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 10 Ma | 5000 VRMS | 5% @ 5MA | 40% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
| TLP759F (D4FA1T4SJF | - | | 3610 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759F (D4FA1T4SJF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | |||||||||||||||||
 | VO615A-8X018T | 0.1275 | | 4022 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | VO615 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.43V | 60 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | 6 µs, 5 µs | 300mv | ||||||||||||||||
 | H11A1 | - | | 9836 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | H11A | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 100 mA | 5300 VRMS | 50% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| EL4503S (TA) -V | 0.7503 | | 5437 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | EL4503 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | C170000053 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 5000 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 350ns, 300ns | - | |||||||||||||||
 | PS2501L-1-HA | 0.7800 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | PS2501 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 559-1126 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMS | 80% @ 5MA | 160% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||||||||
| ACPL-5731L-100 | 126.3942 | | 8674 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Junta de 8-smd | ACPL-5731 | Corriente Continua | 2 | Darlington | Junta de 8 Dips | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 40mera | - | 20V | 1.4V | 10 Ma | 1500VDC | 200% @ 5MA | - | 2 µs, 6 µs | - |
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