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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan4n49a | 29.5242 |  | 2367 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | Jan4n49 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | Un 78-6 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 365-1978 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 20 µs, 20 µs (máx) | 40V | 1.5V (Máximo) | 40 Ma | 1000VDC | 200% @ 1MA | 1000% @ 1MA | - | 300mv | ||||||||||||||
 | TLP525GF | 1.1600 | | 29 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP525 | Tu | 1 | Triac | 4 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP525G (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 400 V | 100 mA | 200 µA (typ) | No | 200V/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||
 | 5962-8947702KPA | 767.5340 | | 8646 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 5962-8947702 | AC, DC | 1 | Darlington | 8 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 40mera | 10 µs, 0.5 µs | 20V | - | 1500VDC | - | - | 4 µs, 8 µs | - | ||||||||||||||||
 | HCPL-250L-560E | 0.8031 | | 8226 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | HCPL 20050 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8 MA | - | 7V | 1.5V | 25 Ma | 3750vrms | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 200ns, 600ns | - | |||||||||||||||
| 6N135-500E | 0.6145 | | 2961 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | 6N135 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8 MA | - | 20V | 1.5V | 25 Ma | 3750vrms | 7% @ 16MA | 50% @ 16MA | 200ns, 1.3 µs | - | |||||||||||||||
 | El208 (TB) -V | - | | 3015 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | El208 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | - | 1.6 µs, 2.2 µs | 80V | 1.3V | 60 Ma | 3750vrms | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | FOD4218SD | 6.1800 | | 1 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | FOD4218 | Cul, Fimko, UL | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.28V | 30 Ma | 5000 VRMS | 800 V | 500 µA | No | 10 kV/µs | 1.3MA | 60 µs | ||||||||||||||||
 | Opia405ctre | - | | 9320 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.1V | 50 Ma | 2500 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||||||||||
 | PC364M1J000F | - | | 6299 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4 miniflatos | AC, DC | 1 | Transistor | 4-Mini-Flat | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 10 Ma | 3750vrms | 100% @ 500 µA | 300% @ 500 µA | - | 200 MV | ||||||||||||||||||
| TLP5705H (LF4, E | 1.9900 | | 5551 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 37ns, 50ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 50kV/µs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||||||
| PS2811-1-HA | - | | 7894 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | PS2811 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 559-1518 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 40mera | 4 µs, 5 µs | 40V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 1MA | 400% @ 1MA | - | 300mv | ||||||||||||||
| HCPL-273L-500E | 1.8153 | | 6837 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | HCPL-273 | Corriente Continua | 2 | Darlington | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 60mera | - | 7V | 1.5V | 20 Ma | 3750vrms | 300% @ 1.6MA | 2600% @ 1.6MA | 25 µs, 50 µs | - | |||||||||||||||
 | MOC8050TVM | 0.6800 | | 2195 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | MOC8050 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 2832-MOC8050TVM | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 150 Ma | - | 80V | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 500% @ 10mA | - | 8.5 µs, 95 µs | - | ||||||||||||||
| TLP2270 (LF4, E | 3.0900 | | 8042 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) | TLP2270 | AC, DC | 2 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 75 | 10 Ma | 20mbd | 1.3ns, 1ns | 1.5V | 8 MA | 5000 VRMS | 2/0 | 20kV/µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||||
 | FOD617CS | - | | 3068 | 0.00000000 | onde | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FOD617 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||
| 6N137#320 | 1.5389 | | 4450 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | 6N137 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 Ma | 10mbd | 24ns, 10ns | 1.5V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 1kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
 | RV1S2281ACCSP-10YV#SC0 | - | | 2645 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Activo | RV1S2281 | - | 2156-RV1S2281ACCSP-10YV#SC0 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan4n48u | - | | 9534 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-lcc | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-LCC (4.32x6.22) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5 mm | 20 µs, 20 µs (máx) | 45V | 1.5V (Máximo) | 50 Ma | 1000VDC | 100% @ 2mA | - | - | 300mv | ||||||||||||||||
| TLP190B (TPL, U, C, F) | - | | 7752 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP190 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 6-mfsop, 4 Plomo | descascar | 264-TLP190B (TPLUCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 12 µA | - | 8V | 1.4V | 50 Ma | 2500 VRMS | - | - | 200 µs, 1 ms | - | |||||||||||||||||
| TLP627MF (D4, E | 0.9000 | | 96 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP627 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP627MF (D4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150 Ma | 60 µs, 30 µs | 300V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 110 µs, 30 µs | 1.2V | ||||||||||||||||
 | TLP2662 (TP1, F) | 1.8800 | | 8329 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP2662 | Corriente Continua | 2 | Coleccionista abierto | 2.7V ~ 5.5V | 8-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 25 Ma | 10mbd | 12ns, 3ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 2/0 | 20kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
 | HCPL2531S | 1.0000 | | 5807 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 300ns | - | |||||||||||||||||||
 | HCPL2730 | - | | 5657 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-HCPL2730-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL3083 | 0.8939 | | 3584 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | EL308 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3903830000 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 1.5V (Máximo) | 60 Ma | 5000 VRMS | 800 V | 100 mA | 280 µA (tipos) | Si | 600V/µs | 5 mm | - | |||||||||||||||
| HCPL-553K | 658.8671 | | 7958 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | HCPL-553 | Corriente Continua | 2 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.55V | 20 Ma | 1500VDC | 9% @ 16MA | - | 400ns, 1 µs | - | |||||||||||||||
 | EL817 (S1) (C) (TA) -VG | - | | 7454 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
| BRT23H-X006 | - | | 1148 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | BRT23 | Cul, Ur, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | - | 751-BRT23H-X006 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.16V | 60 Ma | 5300 VRMS | 800 V | 300 mA | 500 µA | Si | 10 kV/µs | 2mera | 35 µs | |||||||||||||||||
| TLP781F (D4DLTGRL, F | - | | 4669 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4DLTGRLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| Fod2711asd | 1.6800 | | 855 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | FOD2711 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||
| RF-817S*-*-F | 0.3100 | | 1188 | 0.00000000 | Reenvío | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | 4-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2,000 | 5000 VRMS |
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