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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HMA121ER1 | 0.1000 |  | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | - | 400mv | ||||||||||||||||||
 | TLP781F (D4-BL, F) | - | | 5474 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4-BLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | 6n138m | 0.6400 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 466 | 60mera | - | 7V | 1.3V | 20 Ma | 5000 VRMS | 300% @ 1.6MA | - | 1.4 µs, 8 µs | - | |||||||||||||||||||
 | HCPL-0600#500 | 1.5720 | | 7656 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | HCPL-0600 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | 8 Tan Alto | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 516-1071-2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 Ma | 10mbd | 24ns, 10ns | 1.5V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 5kV/µs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||
 | BRT13-H | - | | 5859 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | BRT13 | CQC, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 1.1V | 20 Ma | 5300 VRMS | 800 V | 300 mA | 500 µA | No | 10 kV/µs | 2mera | - | ||||||||||||||||
 | MOC207R1VM | - | | 2663 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Moc207 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | Sfh615ay-x019t | 0.3322 | | 2109 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | SFH615 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 2 µs, 25 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | TLP525G-2 (f) | - | | 9990 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP525 | Tu | 2 | Triac | 8 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 400 V | 80 Ma | 200 µA (typ) | No | 200V/µs | 10 Ma | - | ||||||||||||||||
 | ILQ32 | 3.5900 | | 675 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ILQ32 | Corriente Continua | 4 | Darlington | 16 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 125 Ma | - | 30V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 500% @ 10mA | - | 15 µs, 30 µs | 1V | ||||||||||||||||
 | FOD2743As | - | | 7156 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | FOD274 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 70V | 1.07V | 5000 VRMS | 50% @ 1MA | 100% @ 1MA | - | 400mv | |||||||||||||||||
| CNW11AV3SD | - | | 6032 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | CNW11 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 70V | - | 100 mA | 4000 VRMS | 20% @ 10mA | - | - | 400mv | |||||||||||||||
| 4N383SD | - | | 7628 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | 4n38 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4N383SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 80V | 1.15V | 80 Ma | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 5 µs | 1V | |||||||||||||||
 | HCPL2503WV | - | | 1813 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | HCPL25 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 mdip | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 12% @ 16MA | - | 450ns, 300ns | - | ||||||||||||||||
| 8102802PA | 101.1579 | | 3553 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 8102802 | Corriente Continua | 2 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 10mbd | 35ns, 35ns | 1.5V | 20 Ma | 1500VDC | 2/0 | 1kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | Moc3060x | 0.9400 | | 1 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Moc306 | Ur, vde | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.040 | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 600 V | 400 µA (topos) | Si | 600V/µs | 30mera | - | ||||||||||||||||
| TLP785 (D4-Y-F6, F | - | | 2729 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (D4-Y-F6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| SFH6106-4X001 | 0.3115 | | 2865 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | SFH6106 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| TLP2118 (f) | - | | 4960 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP2118 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP2118 (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | EL3H7 (i) (TB) -G | - | | 5228 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | EL3H7 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 5,000 | 50mera | 5 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 3750vrms | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
 | PC847X5J000F | - | | 5664 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | - | Tubo | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 80% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||||
 | TCET1103 | 0.5600 | | 6924 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TCET1103 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 6 µs, 5 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | PS2701-1-V-F3-A | - | | 6435 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,500 | 80mera | 3 µs, 5 µs | 40V | 1.1V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 300% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||||||||||
 | MCT2ES (TA) -V | - | | 9559 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | MCT2 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 390717T228 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.23V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | El817 (s) (a) (tu) -vg | - | | 9239 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | EL817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 80% @ 5MA | 160% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
| EL357N (TB) -vg | - | | 6672 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | EL357N | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP (2.54 mm) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 3 µs, 4 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
| MOC208R2VM | - | | 3767 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Moc208 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 70V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 40% @ 10mA | 125% @ 10mA | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | HCNR201-350E | 6.5400 | | 2 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | HCNR201 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico, Linealizado | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 42 | - | - | - | 1.6V | 25 Ma | 5000 VRMS | 0.36% @ 10mA | 0.72% @ 10 MMA | - | - | |||||||||||||||
 | RV1S9160ACCSP-100C#SC0 | 4.8600 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | RV1S9160 | - | 1 | CMOS | 2.7V ~ 5.5V | 5-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | -1161-RV1S9160ACCSP-100C#SC0 | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 10 Ma | 15Mbps | 5ns, 5ns | 1.55V | 6mA | 3750vrms | 1/0 | 50kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||
| IL410-X001 | 3.6500 | | 232 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | IL410 | CSA, Ur, VDE | 1 | Triac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 1.16V | 60 Ma | 5300 VRMS | 600 V | 300 mA | 500 µA | Si | 10 kV/µs | 2mera | 35 µs | |||||||||||||||||
 | Til117fr2m | - | | 6878 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Til117 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Til117fr2m-ndr | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 2 µs, 2 µs | 30V | 1.2V | 60 Ma | 7500vpk | 50% @ 10mA | - | 10 µs, 10 µs (máx) | 400mv |
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