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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP388 (D4-GB, E | 0.7900 |  | 8104 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP388 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 350V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | PS2701A-1-LA | - | | 9626 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Banda | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | PS2701 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 30mera | 5 µs, 7 µs | 70V | 1.2V | 30 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||||
 | 6N137 | 0.8000 | | 37 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 6N137 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 7V | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 Ma | 10mbd | 22ns, 6.9ns | 1.38V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
 | EL3063S1 (TB) | - | | 6879 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | EL3063 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3903630107 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.5V (Máximo) | 60 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 100 mA | 280 µA (tipos) | Si | 1kV/µs | 5 mm | - | |||||||||||||||
 | PS2502L-4-A | - | | 6653 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 16-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 4 | Darlington | 16-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | PS2502L4A | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 160 Ma | 100 µs, 100 µs | 40V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 1MA | - | - | 1V | |||||||||||||||
| MCT2ES1 (TB) -V | - | | 4788 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | MCT2 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 390717T231 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.23V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | H11A617AW | - | | 3135 | 0.00000000 | onde | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | H11A | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2.4 µs, 2.4 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5300 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||
| HCPL-2601#060 | - | | 3339 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 Ma | 10mbd | 24ns, 10ns | 1.5V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||||
 | H11AA1 | 1.8400 | | 653 | 0.00000000 | Tecnología de Calidad | - | Caja | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3845-H11AA1 | EAR99 | 1 | 50mera | - | 30V | 1.17V | 60 Ma | 20% @ 10mA | - | - | 400mv | |||||||||||||||||
 | Fod410t | - | | 7853 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | FOD410 | CSA, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.25V | 30 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 500 µA | Si | 10 kV/µs | 2mera | 60 µs | |||||||||||||||||
 | MOC81023S | - | | 7959 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | MOC810 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MOC81023S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 30V | 1.15V | 100 mA | 5300 VRMS | 73% @ 10mA | 117% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | PS9009-YV-AX | 6.0600 | | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho), 5 cables | PS9009 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 5-LSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 25 Ma | - | 25ns, 4.6ns | 1.56V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 50kV/µs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||
 | MOC215R1M | - | | 4342 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | MOC215 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MOC215R1M-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150 Ma | 3 µs, 3 µs | 30V | 1.07V | 60 Ma | 2500 VRMS | 20% @ 1MA | - | 4 µs, 4 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | El816 (y) | - | | 7315 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | EL816 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3908161204 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||
 | TLP785 (D4-Y, F | - | | 4198 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (D4-YF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| PS2514L-1Y-A | 1.2600 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | PS2514 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 20 Ma | 15 µs, 15 µs | 40V | 1.1V | 30 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 200% @ 5MA | - | 350MV | |||||||||||||||
 | PS2805C-1-A | 3.1000 | | 108 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | PS2805 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 30mera | 5 µs, 7 µs | 80V | 1.2V | 30 Ma | 2500 VRMS | 50% @ 5MA | 400% @ 5MA | 10 µs, 7 µs | 300mv | |||||||||||||||
| FOD060LR1 | - | | 5655 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FOD060 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 3V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50 Ma | 10Mbps | 22ns, 3ns | 1.4V | 50mera | 3750vrms | 1/0 | 25kV/µs | 90ns, 75ns | ||||||||||||||||
 | PC3SD12NTZAF | - | | 3354 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | - | Tubo | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables | PC3SD12 | CSA, Ur | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 425-2127-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 100 mA | 3.5mA | No | 1kV/µs | 10 Ma | 50 µs (MAX) | ||||||||||||||||
| Til111w | - | | 2107 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Til111 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Til111w-ndr | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 2mera | - | 30V | 1.2V | 100 mA | 5300 VRMS | - | - | - | 400mv | |||||||||||||||
| TLP9121A (KBDGBTL, F | - | | 9340 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9121A (KBDGBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | H11B1 | - | | 4945 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | H11B | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 25V | 1.2V | 100 mA | 5300 VRMS | 500% @ 1MA | - | 25 µs, 18 µs | 1V | ||||||||||||||||
| EL814S1 (TD) | - | | 2510 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | EL814 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 7 µs, 11 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 1MA | 300% @ 1MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
 | CNY17F-1x | 0.5700 | | 3 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | CNY17 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.040 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.2V | 60 Ma | 5300 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | VOH1016AB-T | 1.1100 | | 4136 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | VOH1016 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 16 V | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50 Ma | 2MHz | 50ns, 40ns | 1.1V | 50mera | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 2 µs, 1.2 µs | ||||||||||||||||
| HCPL-576K#200 | 782.7320 | | 7260 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | HCPL-576 | AC, DC | 1 | Darlington | 8 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 40mera | 10 µs, 0.5 µs | 20V | - | 1500VDC | - | - | 4 µs, 8 µs | - | ||||||||||||||||
 | TLX9188 (GBTPL, F | 3.4000 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 200V | 1.27V | 30 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| PS2561B-1-LA | 1.0300 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | PS2561 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 559-1717 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 40 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||||||||
 | TLP558 (f) | - | | 2611 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP558 | Corriente Continua | 1 | Tri-estatal | 4.5V ~ 20V | 8 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP558F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 40 Ma | 5Mbps | 35ns, 20ns | 1.55V | 10 Ma | 2500 VRMS | 1/0 | 1kV/µs | 400ns, 400ns | |||||||||||||||
| CNY173300W | - | | 5069 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | CNY173 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | CNY17333300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 300mv |
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