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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ISP281D | 0.5700 |  | 25 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | ISP281 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.4V (Máximo) | 50 Ma | 3750vrms | 300% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | EL817 (S) (TD) -V | - | | 6752 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | EL817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 35V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
 | Moc208m | - | | 7265 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Moc208 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 70V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 40% @ 10mA | 125% @ 10mA | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | ACPL-K453-000E | 3.2300 | | 20 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.268 ", 6.81 mm de ancho) | ACPL-K453 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 por estirado | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 80 | 8 MA | - | 20V | 1.5V | 25 Ma | 5000 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 200ns, 600ns | - | |||||||||||||||
 | H11AA814W | - | | 7759 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | H11A | AC, DC | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | H11AA814W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2.4 µs, 2.4 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 20% @ 1MA | 300% @ 1MA | - | 200 MV | |||||||||||||||
 | ACPL-054L-000E | 4.8800 | | 2329 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ACPL-054 | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8 Tan Alto | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 8 MA | - | 24 V | 1.5V | 20 Ma | 3750vrms | 93% @ 3MA | 200% @ 3MA | 200ns, 380ns | - | |||||||||||||||
 | CNX39UW | - | | 8005 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | CNX39 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | CNX39UW-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 30V | 1.15V | 100 mA | 5300 VRMS | 60% @ 10mA | 100% @ 10mA | 20 µs, 20 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | PS2501L-1-MA | - | | 3605 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | PS2501 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 559-1235 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMS | 80% @ 5MA | 240% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||||||||
 | TLP2108 (f) | - | | 5512 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TLP2108 | Corriente Continua | 2 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 8-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.65V | 20 Ma | 2500 VRMS | 2/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
 | MOC81013SD | - | | 1276 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | MOC810 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MOC81013SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 30V | 1.15V | 100 mA | 5300 VRMS | 50% @ 10mA | 80% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | 5962-0824202KPA | 616.0314 | | 9795 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 5962-0824202 | Corriente Continua | 2 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 3V ~ 3.6V | 8 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 10mbd | 20ns, 8ns | 1.55V | 20 Ma | 1500VDC | 2/0 | 1kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| VO2630 | 3.0800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | VO2630 | Corriente Continua | 2 | Desagüe | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 Ma | 10mbd | 23ns, 7ns | 1.4V | 15 Ma | 5300 VRMS | 2/0 | 1kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
 | TLP781 (D4GRL-TP6, F | - | | 4437 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (D4GRL-TP6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | H11AA2M | 0.2200 | | 6933 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 950 | - | 10 µs, 10 µs (máx) | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 10% @ 10mA | - | 10 µs, 10 µs (máx) | 400mv | ||||||||||||||||||
| HCPL-0611 | 1.9970 | | 8553 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | HCPL-0611 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | 8 Tan Alto | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 516-1080-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 Ma | 10mbd | 24ns, 10ns | 1.5V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||
 | PC900V0YSZXF | - | | 9433 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | OPIC ™ | Tubo | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 3V ~ 15V | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 425-2205-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 500 | 50 Ma | - | 100ns, 50ns | 1.1V | 50mera | 5000 VRMS | 1/0 | - | 6 µs, 3 µs | |||||||||||||||||
 | H11AA4VM | 0.8900 | | 990 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | H11AA | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 30V | 1.17V | 60 Ma | 4170vrms | 100% @ 10mA | - | - | 400mv | |||||||||||||||
 | VOT8121AB-VT2 | 1.1600 | | 7108 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | VOT8121 | CQC, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 800 V | 100 mA | 400 µA (topos) | No | 1kV/µs | 10 Ma | - | ||||||||||||||||
 | PC851XNNSZ1H | - | | 7021 | 0.00000000 | Tecnología Sharp/Sócle | PC851X | Tubo | Descontinuado en sic | -25 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 5,000 | 50mera | 4 µs, 5 µs | 350V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 40% @ 5MA | - | - | 300mv | |||||||||||||||||
| H11N3SD | - | | 4562 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | H11N | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | - | 6-SMD | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50 Ma | 5MHz | - | 1.4V | 10 Ma | 7500 VRMS | 1/0 | - | 330ns, 330ns | |||||||||||||||
 | HCPL-263A#300 | - | | 2136 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 2 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 Ma | 10mbd | 42ns, 12ns | 1.3V | 10 Ma | 3750vrms | 2/0 | 1kV/µs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||||
| HCPL-2502-020E | 1.1384 | | 7902 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | HCPL 25502 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 MA | - | 20V | 1.5V | 25 Ma | 5000 VRMS | 15% @ 16MA | 22% @ 16MA | 200ns, 600ns | - | |||||||||||||||
 | TLP292-4 (GB-TP, E | 1.8100 | | 8927 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||
| ILD252-X009 | - | | 5697 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | ILD252 | AC, DC | 2 | Transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | - | - | 30V | 1.2V | 60 Ma | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | - | - | 400mv | |||||||||||||||
| TLP2405 (TP, F) | - | | 1280 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TLP2405 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 8-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.57V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
 | PC3ST21NSZBF | - | | 6823 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | - | Tubo | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | PC3ST21 | CSA, Ur | 1 | Triac | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 425-2139-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 100 mA | 3.5mA | Si | 1kV/µs | 7 MMA | 50 µs (MAX) | |||||||||||||||
| H11D13S | - | | 4764 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | H11d | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | H11D13S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 300V | 1.15V | 80 Ma | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 5 µs | 400mv | |||||||||||||||
| HCPL-5600 | 86.4500 | | 3847 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | HCPL-5600 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 10mbd | 35ns, 35ns | 1.5V | 20 Ma | 1500VDC | 1/0 | 1kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | El0600 (TA) | 2.2900 | | 15 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | El0600 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 7V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50 Ma | 10Mbps | 30ns, 10ns | 1.4V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | - | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
| CNY17F3300W | 0.0900 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 300mv |
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