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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FODM121C | - |  | 8710 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | - | 400mv | |||||||||||||||||||
 | HMHA2801BV | - | | 9035 | 0.00000000 | onde | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | HMHA28 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-Mini-Flat | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||||||||||
 | OR-6N136S-TA1 | 0.9300 | | 3740 | 0.00000000 | Shenzhen Orient Components Co., Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FOD4208TV | 4.4100 | | 3203 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | FOD4208 | Cul, Fimko, UL, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.28V | 30 Ma | 5000 VRMS | 800 V | 500 µA | No | 10 kV/µs | 2mera | 60 µs | ||||||||||||||||
| PS9822-1-N-AX | - | | 1904 | 0.00000000 | Renesas | - | Una granela | Obsoleto | - | 2156-PS9822-1-N-AX | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2066 (TPR, F) | - | | 4049 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | TLP2066 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 3.6V | 6-mfsop, 5 Plomo | - | 264-TLP2066 (TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 Ma | 20Mbps | 5ns, 4ns | 1.6V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||||
| TLP127 (FJDK-TL, U, F | - | | 8745 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (FJDK-TLUF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | ||||||||||||||||
 | HCPL-5401#200 | 145.6363 | | 4090 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-CDIP (0.300 ", 7.62 mm) | HCPL-5401 | Corriente Continua | 1 | Tri-estatal | 4.75V ~ 5.25V | 8 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 40mbps | 15ns, 10ns | 1.35V | 10 Ma | 1500VDC | 1/0 | 500V/µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||
| TLP734F (D4-LF4, M, F | - | | 1623 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP734F (D4-LF4MF | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PC81716NSZ0X | - | | 5818 | 0.00000000 | Tecnología Sharp/Sócle | - | Tubo | Descontinuado en sic | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 10 Ma | 5000 VRMS | 160% @ 500 µA | 400% @ 500 µA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
 | TCMT1119 | 0.7900 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | TCMT1119 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 3 µs, 4 µs | 70V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 5 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
| BRT22M-X016 | - | | 2376 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | BRT22 | Cul, Ur, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | - | 751-BRT22M-X016 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.16V | 60 Ma | 5300 VRMS | 600 V | 300 mA | 500 µA | Si | 10 kV/µs | 3mera | 35 µs | |||||||||||||||||
 | Til111s (TB) | - | | 9674 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Til111 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 390717L105 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.22V | 60 Ma | 5000 VRMS | - | - | - | 400mv | |||||||||||||||
| 6N139SDVM | 0.6900 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 435 | 60mera | - | 18V | 1.3V | 20 Ma | 5000 VRMS | 500% @ 1.6MA | - | 240ns, 1.3 µs | - | |||||||||||||||||||
| IS181 | - | | 6234 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | - | 5009-IS181TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | |||||||||||||||||||
 | 140814241010 | 0.3900 | | 55 | 0.00000000 | Würth Elektronik | WL-ocpt | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | AC, DC | 1 | Transistor | 4-DIP-M | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 3 µs, 4 µs | 80V | 1.24V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 1MA | 300% @ 1MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
| H11N3TM | - | | 2603 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | H11N | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4V ~ 15V | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50 Ma | 5MHz | 7.5ns, 12ns | 1.4V | 30mera | 4170vrms | 1/0 | - | 330ns, 330ns | ||||||||||||||||
 | IL4116-X007T | - | | 6281 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD | IL4116 | BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.3V | 60 Ma | 5300 VRMS | 600 V | 300 mA | 200 µA | Si | 10 kV/µs | 1.3MA | 35 µs | |||||||||||||||||
| TLP190B (OMT-TLUC, F | - | | 1361 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP190 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 6-mfsop, 4 Plomo | descascar | 264-TLP190B (OMT-TLUCF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 12 µA | - | 8V | 1.4V | 50 Ma | 2500 VRMS | - | - | 200 µs, 1 ms | - | |||||||||||||||||
 | TCLT1109 | 0.7300 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho), 5 cables | TCLT1109 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SOP, 5 pinos | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 80V | 1.25V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 6 µs, 5 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | ACFL-6212U-060E | 3.0023 | | 4340 | 0.00000000 | Broadcom Limited | R²Coupler ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 12-BSOP (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | ACFL-6212 | Corriente Continua | 2 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 5.5V | 12-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 80 | 10 Ma | - | 10ns, 10ns | 1.5V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 25kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| ORPC-817C-CG- (GK) | 0.2700 | | 5658 | 0.00000000 | Shenzhen Orient Components Co., Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 5007-ORPC-817C-CG- (GK) | 5,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
 | TCLT1019 | 0.8300 | | 8646 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TCLT1019 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 6 µs, 5 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | PS2501-4-A | - | | 6919 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | PS2501 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMS | 80% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||||
| TLP124 (BV-TPL, F) | - | | 2336 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP124 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Plomo | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP124 (BV-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 8 µs, 8 µs | 80V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 200% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 µs, 8 µs | 400mv | |||||||||||||||
| FOD815300 | - | | 6473 | 0.00000000 | onde | - | Caja | Obsoleto | -30 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | FOD815 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 80mera | 60 µs, 53 µs | 35V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 600% @ 1MA | 7500% @ 1MA | - | 1V | ||||||||||||||||
 | PC817X7NSZ1B | - | | 2156 | 0.00000000 | Tecnología Sharp/Sócle | - | Tubo | Descontinuado en sic | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 5,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | - | - | - | - | 200 MV | |||||||||||||||||
 | 4N27-X000 | 0.2163 | | 4064 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 4N27 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.36V | 60 Ma | 5000 VRMS | 10% @ 10mA | - | - | 500mv | ||||||||||||||||
 | HCPL-817-360E | 0.1603 | | 5188 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | HCPL-817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||
| H11A5M-V | - | | 5097 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | H11A5 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3907171155 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 30% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 400mv |
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