SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
PC81711NIP0X SHARP/Socle Technology PC81711NIP0X -
RFQ
ECAD 2112 0.00000000 Tecnología Sharp/Sócle - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -30 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 80V 1.2V 10 Ma 5000 VRMS 120% @ 500 µA 300% @ 500 µA - 200 MV
TLP759(IGM-LF5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (IGM-LF5, J, F -
RFQ
ECAD 9136 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP759 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-SMD descascar 264-TLP759 (IGM-LF5JF EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 25% @ 10mA 75% @ 10mA - -
H11L3SM onsemi H11L3SM 1.2300
RFQ
ECAD 612 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11L3 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 3V ~ 15V 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30mera 4170vrms 1/0 - 4 µs, 4 µs
TLP265J(V4T7TR,E(T Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (V4T7TR, E (T -
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ECAD 9072 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP265 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6-SOP - 1 (ilimitado) 264-TLP265J (V4T7Tre (TTR EAR99 8541.49.8000 3.000 1.27V 50 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 1mera No 500V/µs (topos) 7 MMA 100 µs
EL817(S)(B)(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S) (B) (TB) -
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ECAD 2780 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3 µs 35V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 MV
TLP191B(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B (U, C, F) -
RFQ
ECAD 5785 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 80 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP191 Corriente Continua 1 Fotovoltaico 6-mfsop, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 150 24 µA - 8V 1.4V 50 Ma 2500 VRMS - - 200 µs, 3 ms -
ACPL-K49T-500E Broadcom Limited ACPL-K49T-500E 3.6800
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ECAD 1220 0.00000000 Broadcom Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.268 ", 6.81 mm de ancho) ACPL-K49 Corriente Continua 1 Transistor 8 por estirado descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.5V 20 Ma 5000 VRMS 32% @ 10mA 100% @ 10mA 20 µs, 20 µs (máx) -
CNY17F-3X006 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-3X006 0.7100
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ECAD 1 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 2 µs 70V 1.39V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 3 µs, 2.3 µs 400mv
PS2502L-1-F3-A Renesas Electronics America Inc PS2502L-1-F3-A 1.2300
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ECAD 5491 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Darlington 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 200 MMA 100 µs, 100 µs 40V 1.17V 80 Ma 5000 VRMS 200% @ 1MA - - 1V
CNY17-1X009T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-1x009T 0.2688
RFQ
ECAD 2411 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY17 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2 µs, 2 µs 70V 1.39V 60 Ma 5000 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA 3 µs, 2.3 µs 400mv
PS9814-1-V-F3-A CEL PS9814-1-V-F3-A -
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ECAD 3249 0.00000000 Cela - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-ssop descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 1.500 25 Ma 10Mbps 20ns, 10ns 1.65V 20 Ma 2500 VRMS 1/0 10 kV/µs 75ns, 75ns
MOC81023SDL onsemi MOC81023SDL -
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ECAD 7098 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 73% @ 10mA 117% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
HCPL3700WV onsemi HCPL3700WV -
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ECAD 1518 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) HCPL37 AC, DC 1 Darlington 8 mdip descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 30mera 45 µs, 0.5 µs 20V - 2500 VRMS - - 6 µs, 25 µs -
OR-4N25 Shenzhen Orient Components Co., Ltd OR-4N25 0.5500
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ECAD 5248 0.00000000 Shenzhen Orient Components Co., Ltd - Tubo Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 5007-or-4N25 3,300
EL817(S)(C)(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S) (C) (TA) -
RFQ
ECAD 2034 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3 µs 35V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 MV
FOD817C300 onsemi FOD817C300 0.5400
RFQ
ECAD 1504 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD817 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 MV
HCPL-5731#300 Broadcom Limited HCPL-5731#300 121.5225
RFQ
ECAD 9681 0.00000000 Broadcom Limited - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-CSMD, Ala de Gaviota HCPL-5731 Corriente Continua 2 Darlington Ala de la Gaviota de 8 Dipas descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A001A2C 8541.49.8000 1 40mera - 20V 1.4V 10 Ma 1500VDC 200% @ 5MA - 2 µs, 8 µs 110mv
4N38M Everlight Electronics Co Ltd 4n38m -
RFQ
ECAD 2033 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 65 - - 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 20% @ 10mA - 10 µs, 9 µs 1V
EL817(S)(B)(TU) Everlight Electronics Co Ltd El817 (s) (b) (tu) -
RFQ
ECAD 4643 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota EL817 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mera 4 µs, 3 µs 35V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 MV
HMHA2801AR4V onsemi HMHA2801AR4V -
RFQ
ECAD 7017 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA28 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 300mv
H11AA2S(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd H11AA2S (TB) -V -
RFQ
ECAD 1733 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11AA AC, DC 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 3907171229 EAR99 8541.49.8000 1,000 - 10 µs, 10 µs (máx) 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 10% @ 10mA - 10 µs, 10 µs (máx) 400mv
5962-8767907K2A Broadcom Limited 5962-8767907K2A 628.7029
RFQ
ECAD 2083 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 20-Clcc 5962-8767907 Corriente Continua 2 Base de transistor 20-LCCC (8.89x8.89) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.55V 20 Ma 1500VDC 9% @ 16MA - 400ns, 1 µs -
PC123FY1J00F Sharp Microelectronics PC123FY1J00F -
RFQ
ECAD 9976 0.00000000 Microelectónica afilada - Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 150% @ 5MA - 200 MV
CNY117F-2X017T Vishay Semiconductor Opto Division CNY117F-2X017T 0.3322
RFQ
ECAD 9220 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY117 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2 µs, 2 µs 70V 1.39V 60 Ma 5000 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA 3 µs, 2.3 µs 400mv
FOD817DS onsemi FOD817DS 0.4800
RFQ
ECAD 1829 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FOD817 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-FOD817DS-OS EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
HCPL-817-06AE Broadcom Limited HCPL-817-06AE 0.1452
RFQ
ECAD 5925 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL-817 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 MV
EL3H7(H)(TB)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL3H7 (H) (TB) -vg -
RFQ
ECAD 5351 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) EL3H7 Corriente Continua 1 Transistor 4-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 5,000 50mera 5 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 40% @ 10mA 80% @ 10mA - 200 MV
RV1S2211ACCSP-10YV#SC0 Renesas Electronics America Inc RV1S2211ACCSP-10YV#SC0 1.9500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Banda Activo -40 ° C ~ 115 ° C Montaje en superficie 4-SOP (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) RV1S2211 Corriente Continua 1 Transistor 4-LSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 20 40mera 4 µs, 5 µs 40V 1.15V 30 Ma 5000 VRMS 100% @ 1MA 400% @ 1MA - 300mv
ILQ615-4 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ615-4 3.1200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) ILQ615 Corriente Continua 4 Transistor 16 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 25 50mera 2 µs, 2 µs 70V 1.15V 60 Ma 5300 VRMS 160% a 320 mm 320% @ 10mA 3 µs, 2.3 µs -
CNY17F4SM Fairchild Semiconductor CNY17F4SM 0.2700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1.122 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 160% @ 10mA 320% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock