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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida Alta, Baja | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Corriente - Salida Máxima | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Distorsión de Ancho de Pulso (Max) | Voltaje - Suministro de Salida | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Moc3020m | 0.2200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | Moc302 | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.370 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mocd211m | 0.3800 | ![]() | 163 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 785 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 30V | 1.25V | 60 Ma | 2500 VRMS | 20% @ 10mA | - | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FOD260L | 1.0600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 3V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 283 | 50 Ma | 10Mbps | 22ns, 3ns | 1.4V | 50mera | 5000 VRMS | 1/0 | 25kV/µs | 90ns, 75ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FOD817SD | - | ![]() | 3051 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FOD2741B | 0.7300 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 413 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FOD2741As | 0.7600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 397 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HCPL2630SDV | - | ![]() | 1493 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | HCPL2630 | Corriente Continua | 2 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 Ma | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1.4V | 30mera | 2500 VRMS | 2/0 | 10kV/µs (TÍP) | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | CNY17F1VM | 0.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,508 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FODM3053V | 1.0000 | ![]() | 3233 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | BSI, CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 1kV/µs | 5 mm | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | HCPL2531SDV | 1.0500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 300ns | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FODM3011R3V | 0.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | BSI, CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 250 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 10V/µs (topos) | 10 Ma | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Fod814asd | - | ![]() | 4109 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 1MA | 150% @ 1MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 4N31 | 0.0900 | ![]() | 8036 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.881 | - | - | 55V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 10mA | - | 5 µs, 40 µs (máx) | 1.2V | |||||||||||||||||||||||
![]() | CNY172TVM | 0.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.584 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CNY17F3W | 0.0900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||||||||
![]() | MOCD207VM | - | ![]() | 7987 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Moc3063m | - | ![]() | 2472 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | UL, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-MOC3063M-600039 | 1 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 500 µA (topos) | Si | 600V/µs | 5 mm | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FODM3083 | - | ![]() | 6012 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | UL, VDE | 1 | Triac | 4-SMD | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-FODM3083-600039 | 1 | 1.5V (Máximo) | 60 Ma | 3750vrms | 800 V | 70 Ma | 300 µA | Si | 600V/µs | 5 mm | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | HCPL2731 | - | ![]() | 3675 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-HCPL2731-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FOD2711SR2 | 1.9100 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||||||||
![]() | FOD3184TSR2 | 2.0300 | ![]() | 700 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Acoplamiento óptico | Ul | 1 | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 148 | 2.5a, 2.5a | 3A | 38ns, 24ns | 1.43V | 25 Ma | 5000 VRMS | 35kV/µs | 210ns, 210ns | 65ns | 15V ~ 30V | |||||||||||||||||||||
![]() | FOD817ASD_F117 | 1.0000 | ![]() | 8513 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | - | - | - | FOD817 | - | - | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | MOC3012TVM | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Moc301 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 794 | 1.15V | 60 Ma | 4170vrms | 250 V | 100 µA (topos) | No | - | 5 mm | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HCPL0700 | 1.1600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 260 | 60mera | - | 7V | 1.25V | 20 Ma | 2500 VRMS | 300% @ 1.6MA | 2600% @ 1.6MA | 1 µs, 7 µs | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FOD2743BTV | 0.7800 | ![]() | 6365 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 335 | 50mera | - | 70V | 1.07V | 5000 VRMS | 50% @ 1MA | 100% @ 1MA | - | 400mv | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HCPL3700 | 2.6600 | ![]() | 272 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AC, DC | 1 | Darlington | 8 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 113 | 30mera | 45 µs, 0.5 µs | 20V | - | 2500 VRMS | - | - | 6 µs, 25 µs | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CNY17F2SVM | 0.2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.534 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MOC3083SR2M | - | ![]() | 3291 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc308 | Ul | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 800 V | 500 µA (topos) | Si | 600V/µs | 5 mm | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FOD4118 | 2.6500 | ![]() | 316 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Fod411 | CSA, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 123 | 1.25V | 30 Ma | 5000 VRMS | 800 V | 500 µA | Si | 10 kV/µs | 1.3MA | 60 µs | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MCT2ESM | 0.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.566 | 50mera | 2 µs, 1.5 µs | 30V | 1.25V | 60 Ma | 7500vpk | 20% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 400mv |
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