SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
4N37VM Fairchild Semiconductor 4N37VM 1.0000
RFQ
ECAD 3569 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 0000.00.0000 1 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
H11F3VM Fairchild Semiconductor H11F3VM 1.8300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11F Corriente Continua 1 Mosfet 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 164 - - 15V 1.3V 60 Ma 4170vrms - - 45 µs, 45 µs (MAX) -
H11B1VM Fairchild Semiconductor H11B1VM 0.3400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 872 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 4170vrms 500% @ 1MA - 25 µs, 18 µs 1V
FOD3120TSV Fairchild Semiconductor FOD3120TSV 1.0000
RFQ
ECAD 6978 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Acoplamiento óptico IEC, UL 1 8-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 2a, 2a 3A 60ns, 60ns 1.5V 25 Ma 5000 VRMS 35kV/µs 400ns, 400ns 100ns 15V ~ 30V
MOC8106SM Fairchild Semiconductor MOC8106SM -
RFQ
ECAD 9979 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.15V 60 Ma 4170vrms 50% @ 10mA 150% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
MOC3020VM Fairchild Semiconductor Moc3020VM -
RFQ
ECAD 8791 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc302 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 1.15V 60 Ma 4170vrms 400 V 100 µA (topos) No - 30mera -
H11A1SR2VM Fairchild Semiconductor H11A1SR2VM 0.2200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1.379 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 50% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
FOD420V Fairchild Semiconductor FOD420V -
RFQ
ECAD 9753 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD420 Cul, Fimko, UL, VDE 1 Triac 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 1.28V 30 Ma 5000 VRMS 600 V 500 µA No 10 kV/µs 2mera 60 µs
FODM1008 Fairchild Semiconductor FODM1008 0.1700
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar EAR99 8541.49.8000 1.862 50mera 5.7 µs, 8.5 µs 70V 1.4V 50 Ma 5000 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 300mv
FOD8332V Fairchild Semiconductor FOD8332V 4.7200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Acoplamiento óptico IEC/EN/DIN, UL 1 16-SO descascar EAR99 8541.49.8000 64 2.5a, 2.5a 3A 50ns, 50ns 1.45V 25 Ma 4243vrms 35kV/µs 250ns, 250ns 100ns 3V ~ 15V
MOC3033SVM Fairchild Semiconductor MOC3033SVM 0.4100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc303 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 725 1.25V 60 Ma 4170vrms 250 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 5 mm -
HMHA2801V Fairchild Semiconductor HMHA2801V -
RFQ
ECAD 1271 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 80% @ 5MA 600% @ 5MA - 300mv
MOC3042SVM Fairchild Semiconductor MOC3042SVM -
RFQ
ECAD 7199 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc304 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 1.25V 60 Ma 4170vrms 400 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 10 Ma -
MCT62SD Fairchild Semiconductor MCT62SD 0.4200
RFQ
ECAD 5123 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 2 Transistor 8-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 100 30mera - 30V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA - 2.4 µs, 2.4 µs 400mv
FOD8333R2 Fairchild Semiconductor FOD833333R2 5.4900
RFQ
ECAD 4891 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Acoplamiento óptico Ul 1 16-SO descascar EAR99 8541.49.8000 41 2.5a, 2.5a 3A 50ns, 50ns 1.45V 25 Ma 4243vrms 35kV/µs 250ns, 250ns 100ns 3V ~ 15V
HMHA281R2 Fairchild Semiconductor HMHA281R2 -
RFQ
ECAD 1493 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
FOD2711A Fairchild Semiconductor Fod2711a 0.6100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 495 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
FOD817A300W Fairchild Semiconductor FOD817A300W 1.0000
RFQ
ECAD 7245 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 MV
FOD4108S Fairchild Semiconductor FOD4108S 1.7300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota FOD4108 CSA, UL 1 Triac 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 174 1.25V 30 Ma 5000 VRMS 800 V 500 µA Si 10 kV/µs 2mera 60 µs
FOD4116SV Fairchild Semiconductor FOD4116SV 1.0000
RFQ
ECAD 8346 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota FOD4116 CSA, UL, VDE 1 Triac 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 1.25V 30 Ma 5000 VRMS 600 V 500 µA Si 10 kV/µs 1.3MA 60 µs
CNY171SM Fairchild Semiconductor CNY171SM 0.2600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1.156 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
FOD050LR2 Fairchild Semiconductor FOD050LR2 -
RFQ
ECAD 3006 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar EAR99 8541.49.8000 75 8 MA - 7V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 15% @ 16MA 50% @ 16MA 1 µs, 1 µs (max) -
MOC8204SR2M Fairchild Semiconductor MOC8204SR2M 0.5300
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 571 100mA - 400V 1.15V 80 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
MCT2ESR2VM Fairchild Semiconductor MCT2ESR2VM 0.2600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera 2 µs, 1.5 µs 30V 1.25V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
FOD3150TSR2V Fairchild Semiconductor FOD3150TSR2V -
RFQ
ECAD 8387 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Acoplamiento óptico IEC, UL 1 8-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 1a, 1a 1.5a 60ns, 60ns 1.5V 25 Ma 5000 VRMS 20kV/µs 500ns, 500ns 300ns 15V ~ 30V
FOD3184SV Fairchild Semiconductor FOD3184SV 1.3900
RFQ
ECAD 695 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Acoplamiento óptico IEC/EN/DIN, UL 1 8-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 216 2.5a, 2.5a 3A 38ns, 24ns 1.43V 25 Ma 5000 VRMS 35kV/µs 210ns, 210ns 65ns 15V ~ 30V
FODM452R2 Fairchild Semiconductor FODM452R2 -
RFQ
ECAD 2468 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables Corriente Continua 1 Transistor 5-Mini-Flat descascar EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.6V 25 Ma 3750vrms 20% @ 16MA 50% @ 16MA 400ns, 350ns -
HCPL2730S Fairchild Semiconductor HCPL2730S 1.6400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 2 Darlington 8-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 183 60mera - 7V 1.3V 20 Ma 2500 VRMS 300% @ 1.6MA - 300ns, 5 µs -
HMHA2801AV Fairchild Semiconductor HMHA2801AV 1.0000
RFQ
ECAD 5303 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 300mv
FODM3063 Fairchild Semiconductor FODM3063 -
RFQ
ECAD 6639 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 Ul 1 Triac 4-SMD descascar 0000.00.0000 1 1.5V (Máximo) 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) Si 600V/µs 5 mm -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock