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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida Alta, Baja | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Corriente - Salida Máxima | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Distorsión de Ancho de Pulso (Max) | Voltaje - Suministro de Salida | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FOD2711SDV | 0.5300 |  | 5337 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 400 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||||||||||
 | FOD3181TV | 1.1400 | | 727 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -20 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Acoplamiento óptico | Cul, UL, VDE | 1 | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 500 Ma, 500 Ma | 1.5a | 75ns, 55ns | 1.5V | 25 Ma | 5000 VRMS | 10 kV/µs | 500ns, 500ns | - | 10V ~ 20V | |||||||||||||||||||||||
 | 6N136 | - | | 3306 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 5000 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 350ns, 350ns | - | |||||||||||||||||||||||
 | FOD817W | - | | 4485 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.725 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||||||||
 | HMHA2801R1 | - | | 5453 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-Mini-Flat | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 80% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||||||||||||
 | 4N37300 | 0.0900 | | 9539 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 2156-4N37300-FS | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||||
 | FOD2742AR2V | 0.5900 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | - | 70V | 1.2V | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||||||||||
 | H11G3300W | 0.2800 | | 21 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 55V | 1.3V | 60 Ma | 5300 VRMS | 200% @ 1MA | - | 5 µs, 100 µs | 1.2V | |||||||||||||||||||||||
| H11AA814A | 0.1900 | | 23 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AC, DC | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2.4 µs, 2.4 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 50% @ 1MA | 150% @ 1MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||||||||
| MOC8111300 | 0.1800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | - | 2 µs, 11 µs | 70V | 1.15V | 90 Ma | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | - | 3 µs, 18 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||
| H11B2 | 1.0000 | | 7886 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | - | - | 55V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 1MA | - | 25 µs, 18 µs | 1v | |||||||||||||||||||||||
| FOD0738R1 | 3.2800 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 2 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 500 | 2 MA | 15mbd | 12ns, 8ns | 1.45V | 20 Ma | 2500 VRMS | 2/0 | 25kV/µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||||||||||
| H11D2300 | 0.1800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 300V | 1.15V | 80 Ma | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 5 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||
| MOC207R1M | - | | 7208 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 500 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||
| FOD617A300 | - | | 4121 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5000 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||||||||
 | H11G1SD | 0.1700 | | 7296 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 100V | 1.3V | 60 Ma | 5300 VRMS | 1000% @ 10 Ma | - | 5 µs, 100 µs | 1v | |||||||||||||||||||||||
| 6N137SV | 1.0000 | | 2285 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50 Ma | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1.4V | 50mera | 2500 VRMS | 1/0 | 10kV/µs (TÍP) | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||||||
| 6N139S | 0.5400 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 60mera | - | 18V | 1.3V | 20 Ma | 2500 VRMS | 500% @ 1.6MA | - | 1,5 µs, 7 µs | - | |||||||||||||||||||||||
| 6N136SV | - | | 5286 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 70 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 500ns | - | |||||||||||||||||||||||
| MOC8103S | 0.1000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.990 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 30V | 1.15V | 100 mA | 5300 VRMS | 108% @ 10mA | 173% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||
| FODM3021R1 | 0.4600 | | 8089 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 456 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 400 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 10V/µs (topos) | 15 Ma | - | ||||||||||||||||||||||
| CNY17F2 | 1.0000 | | 1886 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 100 mA | 5300 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||||||||
| HMA121ER1 | 0.1000 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | - | 400mv | |||||||||||||||||||||||
| Moc3022 | - | | 6876 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Moc302 | Ul | 1 | Triac | 6-PDIP | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.49.8000 | 90 | 1.2V | 50 Ma | 7500vpk | 400 V | 100 µA (topos) | No | 100V/µs (TÍP) | 10 Ma | - | |||||||||||||||||||||||
| MOC215R1M | 0.1800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.664 | 150 Ma | 3 µs, 3 µs | 30V | 1.07V | 60 Ma | 2500 VRMS | 20% @ 1MA | - | 4 µs, 4 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||
| HMA121F | 1.0000 | | 4653 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 400mv | |||||||||||||||||||||||
| MOC8100SR2M | 0.2600 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 2 µs, 2 µs | 30V | 1.2V | 60 Ma | 7500vpk | 30% @ 1MA | - | 20 µs, 20 µs (máx) | 500mv | |||||||||||||||||||||||
| MCT271M | 0.0900 | | 4670 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 30V | 1.25V | 60 Ma | 7500vpk | 45% @ 10mA | 90% @ 10mA | 1 µs, 48 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||
 | FOD2711SR2 | 1.9100 | | 37 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||||||||
 | FOD3184TSR2 | 2.0300 | | 700 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Acoplamiento óptico | Ul | 1 | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 148 | 2.5a, 2.5a | 3A | 38ns, 24ns | 1.43V | 25 Ma | 5000 VRMS | 35kV/µs | 210ns, 210ns | 65ns | 15V ~ 30V |
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