SIC
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Aisladores (840)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
HCPL2611SV Fairchild Semiconductor HCPL2611SV 1.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 50mera 2500 VRMS 1/0 10 kV/µs 75ns, 75ns
FOD2743BSD Fairchild Semiconductor FOD2743BSD -
RFQ
 ECAD 9261 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 8-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 90 50mera - 70V 1.07V 5000 VRMS 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400mv
MOC3062SR2M Fairchild Semiconductor MOC3062SR2M 0.4700
RFQ
 ECAD 713 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc306 Ul 1 Triac 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 713 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 10 Ma -
FOD617A300 Fairchild Semiconductor FOD617A300 -
RFQ
 ECAD 4121 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 4.000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA - 400mv
FOD617B300 Fairchild Semiconductor FOD617B300 -
RFQ
 ECAD 7307 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 4.000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA - 400mv
FODM121E Fairchild Semiconductor Fodm121e 0.1600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
FODM3023 Fairchild Semiconductor FODM3023 1.0000
RFQ
 ECAD 6528 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 3.000 1.2V 60 Ma 3750vrms 400 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 5 mm -
FODM3010R1 Fairchild Semiconductor FODM3010R1 -
RFQ
 ECAD 4284 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 292 1.2V 60 Ma 3750vrms 250 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 15 Ma -
MOC8106 Fairchild Semiconductor MOC8106 0.0900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA 150% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
FOD270L Fairchild Semiconductor FOD270L 0.8100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 60mera - 7V 1.35V 20 Ma 5000 VRMS 400% @ 500 µA 7000% @ 500 µA 3 µs, 50 µs -
MOC212R1M Fairchild Semiconductor Moc212r1m 0.2300
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar No Aplicable EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 50% @ 10mA - 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
FOD816S Fairchild Semiconductor FOD816S 1.0000
RFQ
 ECAD 5645 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Caja Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota AC, DC 1 Darlington 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2,000 80mera 60 µs, 53 µs 35V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 600% @ 1MA 7500% @ 1MA - 1v
FODM3051 Fairchild Semiconductor FODM3051 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 3.000 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 15 Ma -
H11A5 Fairchild Semiconductor H11A5 -
RFQ
 ECAD 1083 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2,123 - - 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 30% @ 10mA - 3 µs, 3 µs 400mv
FOD2742AR2V Fairchild Semiconductor FOD2742AR2V 0.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera - 70V 1.2V 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
H11G3300W Fairchild Semiconductor H11G3300W 0.2800
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.3V 60 Ma 5300 VRMS 200% @ 1MA - 5 µs, 100 µs 1.2V
H11AA814A Fairchild Semiconductor H11AA814A 0.1900
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 MV
H11G1SD Fairchild Semiconductor H11G1SD 0.1700
RFQ
 ECAD 7296 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 100V 1.3V 60 Ma 5300 VRMS 1000% @ 10 Ma - 5 µs, 100 µs 1v
6N137SV Fairchild Semiconductor 6N137SV 1.0000
RFQ
 ECAD 2285 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 50mera 2500 VRMS 1/0 10kV/µs (TÍP) 75ns, 75ns
H11B2 Fairchild Semiconductor H11B2 1.0000
RFQ
 ECAD 7886 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2,000 - - 55V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 1MA - 25 µs, 18 µs 1v
FOD0738R1 Fairchild Semiconductor FOD0738R1 3.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 2 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 500 2 MA 15mbd 12ns, 8ns 1.45V 20 Ma 2500 VRMS 2/0 25kV/µs 60ns, 60ns
H11D2300 Fairchild Semiconductor H11D2300 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 300V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
MOC207R1M Fairchild Semiconductor MOC207R1M -
RFQ
 ECAD 7208 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar No Aplicable EAR99 8541.49.8000 500 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
MOC8111300 Fairchild Semiconductor MOC8111300 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2,000 - 2 µs, 11 µs 70V 1.15V 90 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 3 µs, 18 µs 400mv
FODM3053R2V Fairchild Semiconductor FODM3053R2V 1.0000
RFQ
 ECAD 6876 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 5 mm -
FOD2743C Fairchild Semiconductor FOD2743C 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 70V 1.07V 5000 VRMS 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400mv
MOC3042FR2M Fairchild Semiconductor MOC3042FR2M 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc304 - 1 Triac 6-SMD descascar No Aplicable EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 400 V 400 µA (topos) Si - 10 Ma -
FODM3052R1V Fairchild Semiconductor FODM3052R1V 0.5100
RFQ
 ECAD 5948 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 425 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
MCT2M Fairchild Semiconductor MCT2M 0.0700
RFQ
 ECAD 6511 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1.384 - 3 µs, 3 µs 80V 1.23V 60 Ma 5000 VRMS 20% @ 10mA - 3 µs, 3 µs 400mv
MOC8102300 Fairchild Semiconductor MOC8102300 0.1000
RFQ
 ECAD 8613 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 394 50mera 1 µs, 2 µs 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 73% @ 10mA 117% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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