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Aisladores (840)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida Alta, Baja | Corriente - Salida / Canal | Corriente - Salida Máxima | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Distorsión de Ancho de Pulso (Max) | Voltaje - Suministro de Salida | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOC8103S | 0.1000 |  | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.990 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 30V | 1.15V | 100 mA | 5300 VRMS | 108% @ 10mA | 173% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | CNY17F2 | 1.0000 | | 1886 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 100 mA | 5300 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||
 | FODM3021R1 | 0.4600 | | 8089 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 456 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 400 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 10V/µs (topos) | 15 Ma | - | ||||||||||||||||
| MOC8100SR2M | 0.2600 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 2 µs, 2 µs | 30V | 1.2V | 60 Ma | 7500vpk | 30% @ 1MA | - | 20 µs, 20 µs (máx) | 500mv | |||||||||||||||||
| MCT271M | 0.0900 | | 4670 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 30V | 1.25V | 60 Ma | 7500vpk | 45% @ 10mA | 90% @ 10mA | 1 µs, 48 µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | MOC215R1M | 0.1800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.664 | 150 Ma | 3 µs, 3 µs | 30V | 1.07V | 60 Ma | 2500 VRMS | 20% @ 1MA | - | 4 µs, 4 µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | 6N136SV | - | | 5286 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 70 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 500ns | - | |||||||||||||||||
| Moc3022 | - | | 6876 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Moc302 | Ul | 1 | Triac | 6-PDIP | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.49.8000 | 90 | 1.2V | 50 Ma | 7500vpk | 400 V | 100 µA (topos) | No | 100V/µs (TÍP) | 10 Ma | - | |||||||||||||||||
 | Fod2711t | 0.2000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||||
| FOD2743CTV | 0.3300 | | 995 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 995 | 50mera | - | 70V | 1.07V | 5000 VRMS | 50% @ 1MA | 100% @ 1MA | - | 400mv | ||||||||||||||||||
| H11AG3 | 0.3600 | | 25 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 833 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 50 Ma | 5300 VRMS | 20% @ 1MA | - | 5 µs, 5 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| FOD2711SDV | 0.5300 | | 5337 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 400 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||||
 | FOD3181TV | 1.1400 | | 727 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -20 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Acoplamiento óptico | Cul, UL, VDE | 1 | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 500 Ma, 500 Ma | 1.5a | 75ns, 55ns | 1.5V | 25 Ma | 5000 VRMS | 10 kV/µs | 500ns, 500ns | - | 10V ~ 20V | |||||||||||||||||
 | FOD817W | - | | 4485 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.725 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
| 6N136 | - | | 3306 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 5000 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 350ns, 350ns | - | |||||||||||||||||
| Moc3162tm | 1.2100 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Moc316 | Ul | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 500 µA (topos) | Si | 1kV/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||||
| HMHA2801R1 | - | | 5453 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-Mini-Flat | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 80% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||||||
 | FOD617CSD | 0.0900 | | 45 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||
| MCT5211300 | 0.2000 | | 16 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150 Ma | - | 30V | 1.25V | 50 Ma | 5300 VRMS | 150% @ 1.6MA | - | 14 µs, 2.5 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| CNY17F-1 | 0.2000 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.600 | - | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.65V (Max) | 60 Ma | 5000 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 10 µs, 9 µs | 300mv | |||||||||||||||||
 | FODM121DR1V | - | | 9989 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 400mv | |||||||||||||||||
| FODM3022 | - | | 1877 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 409 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 400 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 10V/µs (topos) | 10 Ma | - | ||||||||||||||||
| FOD617D | 0.0800 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,907 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5000 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||
| FOD817A300 | 1.0000 | | 1769 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 80% @ 5MA | 160% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||||
| CNY174TVM | 0.2000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.588 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
| CNY174SVM | - | | 9298 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | CNY174SR2M | - | | 1095 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | CNY17F3M | - | | 8771 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | CNY17F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | 6n136vm | 1.0100 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 297 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 5000 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 250ns, 260ns | - | ||||||||||||||||||
| FOD2741BSV | 0.6700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 448 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv |
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