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Aisladores (840)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
FODM3083 Fairchild Semiconductor FODM3083 -
RFQ
 ECAD 6012 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota UL, VDE 1 Triac 4-SMD - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FODM3083-600039 1 1.5V (Máximo) 60 Ma 3750vrms 800 V 70 Ma 300 µA Si 600V/µs 5 mm -
HCPL0453 Fairchild Semiconductor HCPL0453 1.1900
RFQ
 ECAD 346 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Transistor 8-Soico descascar EAR99 8541.49.8000 253 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 300ns -
H11AG2300 Fairchild Semiconductor H11AG2300 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 50 Ma 5300 VRMS 50% @ 1MA - 5 µs, 5 µs 400mv
MOC3032VM Fairchild Semiconductor Moc3032vm 0.4500
RFQ
 ECAD 974 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc303 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 668 1.25V 60 Ma 4170vrms 250 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 10 Ma -
FOD3120 Fairchild Semiconductor FOD3120 -
RFQ
 ECAD 6063 0.00000000 Semiconductor de fairchild Optoplanar® Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Acoplamiento óptico IEC/EN/DIN, UL 1 8 Dipp - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FOD3120-600039 1 2a, 2a 2.5a 60ns, 60ns 1.5V 25 Ma 5000 VRMS 35kV/µs 400ns, 400ns 100ns 15V ~ 30V
FODM121B Fairchild Semiconductor Fodm121b 0.1800
RFQ
 ECAD 3518 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1.509 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA - 400mv
HCPL2531SDV Fairchild Semiconductor HCPL2531SDV 1.0500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 2 Transistor 8-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 300ns -
HCPL0534R1 Fairchild Semiconductor HCPL0534R1 2.0700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 15% @ 16MA - 450ns, 300ns -
FOD2741AT Fairchild Semiconductor Fod2741at 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 592 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
MOC206M Fairchild Semiconductor Moc206m 0.2300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo descascar EAR99 8541.49.8000 1.331
H11AA2M Fairchild Semiconductor H11AA2M 0.2200
RFQ
 ECAD 6933 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) AC, DC 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 950 - 10 µs, 10 µs (máx) 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 10% @ 10mA - 10 µs, 10 µs (máx) 400mv
FOD817D3SD Fairchild Semiconductor FOD817D3SD 1.0000
RFQ
 ECAD 5091 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FOD817 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 0000.00.0000 1 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
FODM3022V Fairchild Semiconductor FODM3022V -
RFQ
 ECAD 6654 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 3.000 1.2V 60 Ma 3750vrms 400 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 10 Ma -
MOC3163VM Fairchild Semiconductor MOC3163VM 0.8700
RFQ
 ECAD 4901 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc316 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 232 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 1kV/µs 5 mm -
HCPL4503SVM Fairchild Semiconductor HCPL4503SVM 1.1300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL4503 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 266 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 5000 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 250ns, 260ns -
MOC81073SD Fairchild Semiconductor MOC81073SD -
RFQ
 ECAD 8842 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA 300% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
FOD4108SV Fairchild Semiconductor FOD4108SV 1.0000
RFQ
 ECAD 9953 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota FOD4108 CSA, UL, VDE 1 Triac 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 1.25V 30 Ma 5000 VRMS 800 V 500 µA Si 10 kV/µs 2mera 60 µs
CNY173300 Fairchild Semiconductor CNY173300 0.1900
RFQ
 ECAD 3324 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 285 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
HMA121CR3V Fairchild Semiconductor HMA121CR3V 0.2300
RFQ
 ECAD 9328 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1.184 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 400mv
FOD617B Fairchild Semiconductor Fod617b 1.0000
RFQ
 ECAD 2082 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA - 400mv
FOD817A Fairchild Semiconductor FOD817A -
RFQ
 ECAD 1796 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 MV
MOC256M Fairchild Semiconductor Moc256m 0.3100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) AC, DC 1 Base de transistor 8-Soico descascar EAR99 8541.49.8000 979 150 Ma - 30V 1.2V 60 Ma 2500 VRMS 20% @ 10mA - - 400mv
H11G2VM Fairchild Semiconductor H11G2VM -
RFQ
 ECAD 1221 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 - - 80V 1.3V 60 Ma 4170vrms 1000% @ 10 Ma - 5 µs, 100 µs 1v
4N33VM Fairchild Semiconductor 4N33VM -
RFQ
 ECAD 4067 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 4170vrms 500% @ 10mA - 5 µs, 100 µs (máx) 1v
4N25TVM Fairchild Semiconductor 4N25TVM 0.2700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1.122 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
FOD817300 Fairchild Semiconductor FOD817300 0.1600
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1.898 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
FOD2711 Fairchild Semiconductor FOD2711 0.3200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 951 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
HMA2701V Fairchild Semiconductor HMA2701V 1.0000
RFQ
 ECAD 8222 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
HMA2701BR1 Fairchild Semiconductor HMA2701BR1 -
RFQ
 ECAD 1751 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 300mv
MOC205VM Fairchild Semiconductor Moc205vm 0.2300
RFQ
 ECAD 1988 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 450 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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