SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
HCPL2630M Fairchild Semiconductor HCPL2630M -
RFQ
ECAD 9916 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 2 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 21 50 Ma 10Mbps 30ns, 10ns 1.45V 30mera 5000 VRMS 2/0 10kV/µs (TÍP) 75ns, 75ns
FOD410V Fairchild Semiconductor FOD410V -
RFQ
ECAD 9869 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD410 CSA, UL, VDE 1 Triac 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 1.25V 30 Ma 5000 VRMS 600 V 500 µA Si 10 kV/µs 2mera 60 µs
CNY171TVM Fairchild Semiconductor CNY171TVM 0.1700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1.779 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
MOCD207D2M Fairchild Semiconductor MOCD207D2M 1.0000
RFQ
ECAD 7870 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 70V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
FOD4118TV Fairchild Semiconductor Fod4118tv -
RFQ
ECAD 2501 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD4118 CSA, UL, VDE 1 Triac 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 1.25V 30 Ma 5000 VRMS 800 V 500 µA Si 10 kV/µs 1.3MA 60 µs
HCPL0639R2 Fairchild Semiconductor HCPL0639R2 1.0000
RFQ
ECAD 1368 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 2 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar 0000.00.0000 1 15 Ma 10Mbps 17ns, 5ns 1.75V (Max) - 3750vrms 2/0 25kV/µs 75ns, 75ns
CNY172SR2M Fairchild Semiconductor CNY172SR2M 0.2000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1.520 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
HCPL0534 Fairchild Semiconductor HCPL0534 1.0100
RFQ
ECAD 318 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar EAR99 8541.49.8000 318 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 15% @ 16MA - 450ns, 300ns -
FOD816 Fairchild Semiconductor FOD816 0.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Caja Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) AC, DC 1 Darlington 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1.567 80mera 60 µs, 53 µs 35V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 600% @ 1MA 7500% @ 1MA - 1v
FODM1009 Fairchild Semiconductor FODM1009 1.0000
RFQ
ECAD 9205 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera 5.7 µs, 8.5 µs 70V 1.4V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
MOC3031SM Fairchild Semiconductor Moc3031sm 0.4300
RFQ
ECAD 55 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc303 UL, VDE 1 Triac 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 695 1.25V 60 Ma 4170vrms 250 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 15 Ma -
FOD8173S Fairchild Semiconductor Fod8173s 0.1600
RFQ
ECAD 42 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1.898 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
FODM8061V Fairchild Semiconductor Fodm8061v 1.1100
RFQ
ECAD 2430 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 3V ~ 5.5V 5-Mini-Flat descascar EAR99 8541.49.8000 98 50 Ma 10Mbps 20ns, 10ns 1.45V 50mera 3750vrms 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
FODM3011R4V Fairchild Semiconductor FODM3011R4V 0.3300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 919 1.2V 60 Ma 3750vrms 250 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 10 Ma -
H11D3SM Fairchild Semiconductor H11D3SM 0.5200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 580 100mA - 200V 1.15V 80 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
H11L1M Fairchild Semiconductor H11L1M -
RFQ
ECAD 7857 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 3V ~ 16V 6 Dipp descascar 0000.00.0000 1 50 Ma 1MHz 100ns, 100ns 1.15V 60mera 5000 VRMS 1/0 - 4 µs, 4 µs
H11AA1TVM Fairchild Semiconductor H11AA1TVM 0.3200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) AC, DC 1 Base de transistor 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 924 50mera - 30V 1.17V 60 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - - 400mv
HCPL2731V Fairchild Semiconductor HCPL2731V 1.0000
RFQ
ECAD 9424 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 2 Darlington 8 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 60mera - 18V 1.3V 20 Ma 2500 VRMS 500% @ 1.6MA - 300ns, 5 µs -
MOC213R1M Fairchild Semiconductor MOC213R1M 0.1400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar No Aplicable EAR99 8541.49.8000 2,379 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 100% @ 10mA - 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
MOC3041SM Fairchild Semiconductor Moc3041sm 0.3100
RFQ
ECAD 2606 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc304 Ul 1 Triac 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 620 1.25V 60 Ma 4170vrms 400 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 15 Ma -
CNY17F4TM Fairchild Semiconductor CNY17F4TM 0.0900
RFQ
ECAD 5519 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 500 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 160% @ 10mA 320% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
MOC208M Fairchild Semiconductor Moc208m 0.1600
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 70V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 40% @ 10mA 125% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
FOD0710 Fairchild Semiconductor FOD0710 2.2800
RFQ
ECAD 53 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Lógica 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar EAR99 8541.49.8000 132 10 Ma 12.5Mbps 5ns, 4.5ns - - 3750vrms 1/0 20kV/µs 40ns, 40ns
H11L2M Fairchild Semiconductor H11L2M -
RFQ
ECAD 2726 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 3V ~ 16V 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 50 Ma 1MHz 100ns, 100ns 1.15V 60mera 5000 VRMS 1/0 - 4 µs, 4 µs
FODM121BR2 Fairchild Semiconductor FODM121BR2 0.1600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo descascar EAR99 8541.49.8000 1.888
MOC206R1M Fairchild Semiconductor Moc206r1m 0.3300
RFQ
ECAD 126 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar No Aplicable EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
FOD2743BS Fairchild Semiconductor FOD2743BS 0.7600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 8-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 397 50mera - 70V 1.07V 5000 VRMS 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400mv
MOC3023SV-M Fairchild Semiconductor MOC3023SV-M 0.3600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc302 UL, VDE 1 Triac 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 1.15V 60 Ma 4170vrms 400 V 100 µA (topos) No - 5 mm -
FOD2743AV Fairchild Semiconductor Fod2743av 0.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 70V 1.07V 5000 VRMS 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400mv
FOD8333V Fairchild Semiconductor FOD833333V 1.0000
RFQ
ECAD 3829 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Acoplamiento óptico IEC/EN/DIN, UL 1 16-SO descascar EAR99 8541.49.8000 1 2.5a, 2.5a 3A 50ns, 50ns 1.45V 25 Ma 4243vrms 35kV/µs 250ns, 250ns 100ns 3V ~ 15V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock