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Aisladores (840)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
HMA121FR3 Fairchild Semiconductor HMA121FR3 0.1400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
MOC8103SD Fairchild Semiconductor MOC8103SD 0.2300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 108% @ 10mA 173% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
MOC8105 Fairchild Semiconductor MOC8105 0.0900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 2 µs 30V 1.25V 60 Ma 5300 VRMS 65% @ 10mA 133% @ 10mA 3 µs, 2.3 µs 400mv
CNW4502 Fairchild Semiconductor CNW4502 1.0000
RFQ
 ECAD 5693 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar No Aplicable EAR99 8541.49.8000 40 10 Ma - 20V - 100 mA 5000 VRMS 19% @ 16MA - - -
FOD2711S Fairchild Semiconductor Fod2711s 0.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
FOD617A300W Fairchild Semiconductor FOD617A300W 0.0700
RFQ
 ECAD 5124 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Caja Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 3,300 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA - 400mv
FODM3021R1V Fairchild Semiconductor FODM3021R1V 0.4800
RFQ
 ECAD 2007 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 449 1.2V 60 Ma 3750vrms 400 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 15 Ma -
CNY17F4W Fairchild Semiconductor CNY17F4W 0.1100
RFQ
 ECAD 5736 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 160% @ 10mA 320% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
FOD617ASD Fairchild Semiconductor FOD617Asd 0.1000
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2,959 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA - 400mv
MOC8104 Fairchild Semiconductor MOC8104 0.1000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 2 µs 30V 1.25V 60 Ma 5300 VRMS 160% @ 10mA 256% @ 10mA 3 µs, 2.3 µs 400mv
MOC8107300 Fairchild Semiconductor MOC8107300 0.1900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA 300% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
FOD053LR1 Fairchild Semiconductor FOD053LR1 1.5500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 7V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 15% @ 16MA 50% @ 16MA 1 µs, 1 µs (max) -
HCPL0600R1 Fairchild Semiconductor HCPL0600R1 1.0000
RFQ
 ECAD 9378 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.75V (Max) 50mera 3750vrms 1/0 5kV/µs 75ns, 75ns
FOD2200 Fairchild Semiconductor FOD2200 1.8700
RFQ
 ECAD 357 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Tri-estatal 4.5V ~ 20V 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 25 Ma 2.5mbd 80ns, 25ns 1.4V 10 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 300ns, 300ns
H11A1W Fairchild Semiconductor H11A1W 0.0900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
FOD2743AT Fairchild Semiconductor Fod2743at 0.5100
RFQ
 ECAD 998 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 592 50mera - 70V 1.07V 5000 VRMS 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400mv
MOC8030 Fairchild Semiconductor MOC8030 1.0000
RFQ
 ECAD 6498 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Darlington 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 80V 1.15V 60 Ma 5300 VRMS 300% @ 10mA - 3.5 µs, 95 µs -
MOC3012SVM Fairchild Semiconductor MOC3012SVM 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc301 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 250 V 100 µA (topos) No - 5 mm -
FODM3052R2V Fairchild Semiconductor FODM3052R2V 0.5100
RFQ
 ECAD 5614 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 441 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
4N32W Fairchild Semiconductor 4N32W -
RFQ
 ECAD 5181 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 970 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 5300 VRMS 500% @ 10mA - 5 µs, 100 µs (máx) 1V
6N139V Fairchild Semiconductor 6n139v 0.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 60mera - 18V 1.3V 20 Ma 2500 VRMS 500% @ 1.6MA - 1,5 µs, 7 µs -
FOD3120TSR2 Fairchild Semiconductor FOD3120TSR2 1.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Optoplanar® Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Acoplamiento óptico Ul 1 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 700 2a, 2a 3A 60ns, 60ns 1.5V 25 Ma 5000 VRMS 35kV/µs 400ns, 400ns 100ns 15V ~ 30V
H11A4S Fairchild Semiconductor H11A4S 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 10% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
HMHA281V Fairchild Semiconductor Hmha281v -
RFQ
 ECAD 6685 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Caja Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 280 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
CNY17F23SD Fairchild Semiconductor CNY17F23SD 0.1000
RFQ
 ECAD 8150 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD - ROHS3 Cumplante 2156-CNY17F23SD-FSTR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
MOC223R1M Fairchild Semiconductor MOC223R1M -
RFQ
 ECAD 1689 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8-Soico descascar No Aplicable EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 1 µs, 2 µs 30V 1.08V 60 Ma 2500 VRMS 500% @ 1MA - 3.5 µs, 95 µs 1V
MOC205R1M Fairchild Semiconductor MOC205R1M 0.1800
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar No Aplicable EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
FOD4116SD Fairchild Semiconductor Fod4116sd 2.2800
RFQ
 ECAD 335 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota FOD4116 CSA, UL 1 Triac 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 132 1.25V 30 Ma 5000 VRMS 600 V 500 µA Si 10 kV/µs 1.3MA 60 µs
HCPL2531SVM Fairchild Semiconductor HCPL2531SVM 1.2600
RFQ
 ECAD 973 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 2 Transistor 8-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 238 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 5000 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 250ns, 260ns -
FODM452V Fairchild Semiconductor Fodm452v 0.8100
RFQ
 ECAD 7969 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables Corriente Continua 1 Transistor 5-Mini-Flat descascar EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.6V 25 Ma 3750vrms 20% @ 16MA 50% @ 16MA 400ns, 350ns -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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