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Aisladores (840)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida Alta, Baja | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Corriente - Salida Máxima | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Distorsión de Ancho de Pulso (Max) | Voltaje - Suministro de Salida | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Fod8384v | - |  | 5157 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.346 ", 8.80 mm de ancho), 5 cables | Acoplamiento óptico | IEC/EN/DIN, UL | 1 | 5-SOP | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 2.5a, 2.5a | 3A | 35ns, 25ns | 1.43V | 25 Ma | 5000 VRMS | 35kV/µs | 210ns, 210ns | 65ns | 15V ~ 30V | |||||||||||||||||||||||
 | CNY171SVM | 0.1800 | | 5662 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 130 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
 | Moc212m | 0.2000 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | MOC212 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.623 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 50% @ 10mA | - | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||||
| CNY173SVM | - | | 6676 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||
 | FODM1008R2 | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.656 | 50mera | 5.7 µs, 8.5 µs | 70V | 1.4V | 50 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||||||||||||
 | Fod8314t | 0.7000 | | 45 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | Acoplamiento óptico | Ul | 1 | 6-SOP | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 428 | 1a, 1a | 1.5a | 60ns, 40ns | 1.5V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20kV/µs | 500ns, 500ns | 300ns | 16V ~ 30V | |||||||||||||||||||||||
 | MOCD207R2M | - | | 8267 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||
 | FOD0720 | 1.7400 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Lógica | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 173 | 10 Ma | 25Mbps | 5ns, 4.5ns | - | - | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 40ns, 40ns | |||||||||||||||||||||||
 | Moc3011vm | 0.3200 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Moc301 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.15V | 60 Ma | 4170vrms | 250 V | 100 µA (topos) | No | - | 10 Ma | - | ||||||||||||||||||||||
 | HCPL3700SDV | 3.0000 | | 172 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 1 | Darlington | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 101 | 30mera | 45 µs, 0.5 µs | 20V | - | 2500 VRMS | - | - | 6 µs, 25 µs | - | ||||||||||||||||||||||||
| H11AA1W | 0.2700 | | 18 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.2V | 100 mA | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | - | - | 400mv | ||||||||||||||||||||||
| Moc3051sm | - | | 5248 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc305 | Tu | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 220 µA (topos) | No | 1kV/µs | 15 Ma | - | |||||||||||||||||||||||
| CNY17F4VM | - | | 3443 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 738 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||
 | HCPL2530V | 1.0000 | | 1824 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 7% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 500ns | - | ||||||||||||||||||||||
 | MOC3021SR2VM | 0.3500 | | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc302 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 855 | 1.15V | 60 Ma | 4170vrms | 400 V | 100 µA (topos) | No | - | 15 Ma | - | |||||||||||||||||||||||
 | FOD2741CSV | 0.3300 | | 8933 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 725 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||||||||
| MCT5211300W | 0.1900 | | 2076 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 150 Ma | - | 30V | 1.25V | 50 Ma | 5300 VRMS | 150% @ 1.6MA | - | 14 µs, 2.5 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||||
| 6n139sm | - | | 7808 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 60mera | - | 18V | 1.3V | 20 Ma | 5000 VRMS | 500% @ 1.6MA | - | 240ns, 1.3 µs | - | |||||||||||||||||||||||
| H11L3SR2VM | - | | 2956 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 3V ~ 15V | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 Ma | 1MHz | 100ns, 100ns | 1.2V | 30mera | 4170vrms | 1/0 | - | 4 µs, 4 µs | |||||||||||||||||||||||
| MOC8105300 | 0.0900 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 30V | 1.15V | 100 mA | 5300 VRMS | 65% @ 10mA | 133% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||||
 | MOC213VM | 0.2200 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | MOC213 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.363 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | - | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | |||||||||||||||||||
 | FODM121CR2V | - | | 5642 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | - | 400mv | |||||||||||||||||||||||
| CNY17F4SR2M | - | | 2239 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | CNY17F4 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||||
| Moc3081sm | - | | 7433 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc308 | Ul | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 500 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 800 V | 500 µA (topos) | Si | 600V/µs | 15 Ma | - | |||||||||||||||||||||||
 | FODM3021 | - | | 6653 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 400 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 10V/µs (topos) | 15 Ma | - | |||||||||||||||||||||
| Fod4116sdv | - | | 2461 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | FOD4116 | CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.25V | 30 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 500 µA | Si | 10 kV/µs | 1.3MA | 60 µs | |||||||||||||||||||||||
 | HCPL0730 | 1.9300 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 2 | Darlington | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 60mera | - | 7V | 1.35V | 20 Ma | 2500 VRMS | 300% @ 1.6MA | 5000% @ 1.6MA | 2 µs, 7 µs | - | ||||||||||||||||||||||
| SL5583W | 0.1900 | | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 50V | 1.2V | 100 mA | 5300 VRMS | 40% @ 10mA | 320% @ 10mA | 20 µs, 50 µs (máx) | 400mv | ||||||||||||||||||||||
 | H11A617C | 1.0000 | | 2675 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2.4 µs, 2.4 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||||||||
| FOD2742BR2V | - | | 2833 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | - | 70V | 1.2V | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv |
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