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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HCPL2531SDM | 0.7600 |  | 571 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 397 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 5000 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 250ns, 260ns | - | |||||||||||||||||||
 | Hcpl2611v | 1.2300 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50 Ma | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1.4V | 50mera | 2500 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||
| 6n136s | 0.6100 | | 1415 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 364 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 500ns | - | ||||||||||||||||||
 | FOD2742C | 0.3000 | | 52 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | - | 70V | 1.2V | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||||
| Mediados de 400 | - | | 7116 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Monitor de Línea de CA | AC, DC | Tu | 1 | 7V | 8 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 20 Ma | - | 1.5 V | 30 Ma | 2500 VRMS | - | 1ms, 1ms (typ) | ||||||||||||||||||||
 | MOC3021SVM | 0.3500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc302 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 865 | 1.15V | 60 Ma | 4170vrms | 400 V | 100 µA (topos) | No | - | 15 Ma | - | |||||||||||||||||||
 | H11F1M | - | | 7574 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | H11F | Corriente Continua | 1 | Mosfet | 6 Dipp | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3845-H11F1M | EAR99 | 1 | 100mA | - | 30V | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | - | - | 45 µs, 45 µs (MAX) | - | |||||||||||||||
 | HCPL2531WV | 1.1000 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 273 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 300ns | - | |||||||||||||||||||
| 6n135v | 0.7900 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 381 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 7% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 500ns | - | ||||||||||||||||||
 | Moc3033m | 0.4600 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Moc303 | Ul | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 659 | 1.25V | 60 Ma | 4170vrms | 250 V | 400 µA (topos) | Si | 1kV/µs | 5 mm | - | |||||||||||||||||||
| MOC213R2VM | 0.2500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | - | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
| H11A1M | 0.1900 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,556 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||
| 6n137v | 0.6600 | | 587 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50 Ma | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1.4V | 50mera | 2500 VRMS | 1/0 | 10kV/µs (TÍP) | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||
| H11A1TVM | - | | 2645 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 50% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 400mv | |||||||||||||||||||
| HCPL2530SM | 1.1300 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 266 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 7% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 300ns | - | |||||||||||||||||||
| 4n25m | 1.0000 | | 3832 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 500mv | |||||||||||||||||||
| MOC3063TVM | 1.0000 | | 1017 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Moc306 | UL, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 500 µA (topos) | Si | 600V/µs | 5 mm | - | |||||||||||||||||||
| H11AA4300 | 0.3700 | | 116 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.2V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | - | - | 400mv | ||||||||||||||||||
| MOCD208R2VM | 0.4800 | | 7354 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-Soico | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 2500 VRMS | 40% @ 10mA | 125% @ 10mA | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | H11AA4SD | - | | 8537 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 30V | 1.2V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | - | - | 400mv | ||||||||||||||||||
| FOD420S | 1.9400 | | 169 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | FOD420 | Cul, Fimko, UL | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 169 | 1.28V | 30 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 500 µA | No | 10 kV/µs | 2mera | 60 µs | |||||||||||||||||||
 | FOD2743A | 0.4700 | | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 70V | 1.07V | 5000 VRMS | 50% @ 1MA | 100% @ 1MA | - | 400mv | |||||||||||||||||||
 | Fodm453r1v | 0.7800 | | 7540 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | Corriente Continua | 1 | Transistor | 5-Mini-Flat | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 11 | 8 MA | - | 20V | 1.6V | 25 Ma | 3750vrms | 20% @ 16MA | 50% @ 16MA | 400ns, 350ns | - | ||||||||||||||||||
| CNY17F3S | 0.2000 | | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.480 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||
| MOC3023SR2M | 0.2500 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | Moc302 | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HCPL2631SM | - | | 5317 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 2 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 10Mbps | 30ns, 10ns | 1.45V | 30mera | 5000 VRMS | 2/0 | 5kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||
| Fod2711v | 0.2900 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||||
| HCPL2530WV | 1.1400 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 7% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 500ns | - | ||||||||||||||||||
| H11D2SR2VM | 0.4100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 300V | 1.15V | 80 Ma | 7500vpk | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 5 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | FOD817D300 | 0.1300 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,392 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 300% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV |
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