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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Jantxv1n4126d-1/tr | 25.8153 | ![]() | 2304 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4126D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 38.8 V | 51 V | 300 ohmios | |||||||||||||||
Alfombra BZD17C51P | - | ![]() | 9720 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 39 V | 51 V | 60 ohmios | ||||||||||||||
![]() | GBP408A | 0.1610 | ![]() | 210 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tubo | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-GBP408A | EAR99 | 2,100 | |||||||||||||||||||||||||
CDLL4371 | 5.9550 | ![]() | 9095 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL4371 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 60 µA @ 1 V | 2.7 V | 30 ohmios | ||||||||||||||
![]() | SC3BJ05F | - | ![]() | 7243 | 0.00000000 | Corpacia semtech | - | Una granela | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 5-rectángulo | SC3BJ05 | Estándar | - | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 v @ 1 a | 3 µA @ 50 V | 1.5 A | Fase triple | 50 V | ||||||||||||||
![]() | RD10JS-T1 | 0.0600 | ![]() | 84 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZG05C16-HE3-TR | - | ![]() | 2566 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 12 V | 16 V | 15 ohmios | |||||||||||||
![]() | CZRA4760-HF | 0.1550 | ![]() | 4349 | 0.00000000 | Tecnología de Collip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | CZRA4760 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 641-CZRA4760-HFTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 51.7 V | 68 V | 150 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1N5942B3P-TP | 0.1102 | ![]() | 7681 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5942 | 3 W | Do-41 | descascar | 353-1N5942B3P-TP | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 38.8 V | 51 V | 70 ohmios | |||||||||||||||
![]() | 2EZ22D2E3/TR12 | - | ![]() | 3559 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 2EZ22 | 2 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 16.7 V | 22 V | 12 ohmios | |||||||||||||
![]() | MBRBL20150CT-TP | 0.7653 | ![]() | 1361 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRBL20150 | Schottky | D2pak | descascar | 353-MBRBL20150CT-TP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 20A | 840 MV @ 10 A | 50 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||
![]() | SZ1SMB5915BT3G | 0.8300 | ![]() | 2558 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SZ1SMB5915 | 3 W | SMB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 25 µA @ 1 V | 3.9 V | 7.5 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZX384-C12-QX | 0.2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 12.05 V | 25 ohmios | |||||||||||||
![]() | KBPC806 | 0.3960 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-KBPC806 | EAR99 | 200 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CPT60145D | - | ![]() | 7486 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 45 V | 300A | 650 MV @ 300 A | 8 Ma @ 45 V | |||||||||||||||
![]() | CD4565 | 3.7200 | ![]() | 5795 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4565 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Jan1n4965dus/tr | 31.5000 | ![]() | 7168 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-ENERO1N4965DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 15.2 V | 20 V | 4.5 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | SZ1SMB5939BT3G | 0.6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SZ1SMB5939 | 3 W | SMB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 29.7 V | 39 V | 45 ohmios | |||||||||||||
![]() | CD5539B | 2.0349 | ![]() | 5830 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5539B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 na @ 17.1 V | 19 V | 100 ohmios | ||||||||||||||
1N5249B | 2.0700 | ![]() | 1608 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5249 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N5249BMS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 14 V | 19 V | 23 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BAS16T116 | - | ![]() | 9143 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS16 | Estándar | SSD3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-BAS16T116TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 80 V | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C | 100mA | 3.5pf @ 6V, 1MHz | ||||||||||
UF302G_R2_00001 | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | UF302 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 3757-UF302G_R2_00001CT | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 v @ 3 a | 50 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 75pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | 1PGSMC5354 M6G | - | ![]() | 5172 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-1PGSMC5354M6GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 12.9 V | 17 V | 3 ohmios | |||||||||||||
![]() | KBPC800 | 1.1344 | ![]() | 3916 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Caja | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, KBPC-6 | Estándar | KBPC8 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | 2721-KBPC800 | 8541.10.0000 | 200 | 1.2 v @ 4 a | 5 µA @ 50 V | 5 A | Fase única | 50 V | |||||||||||||||
![]() | BZX79C47 | 0.0200 | ![]() | 79 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX79C47 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 32.9 V | 47 V | 170 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1N5367Be3/TR13 | 0.9900 | ![]() | 4582 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5367 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 31 V | 43 V | 20 ohmios | |||||||||||||
![]() | Bzx84b15vlyfht116 | 0.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 10 V | 15 V | 30 ohmios | |||||||||||||||
Jan1n4965us/tr | 9.4500 | ![]() | 105 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 105 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 15.2 V | 20 V | 4.5 ohmios | |||||||||||||||
1N5523C/TR | 11.5500 | ![]() | 9196 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5523C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2.5 V | 5.1 V | 26 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | MBR40100CTH-BP | 0.8659 | ![]() | 5031 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR40100 | Schottky | Un 220b | descascar | 353-MBR40100CTH-BP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | - | 100 V | 40A | 850 MV @ 20 A | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C |
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