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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | XBS203V19R-G | 0.1772 | ![]() | 7905 | 0.00000000 | Torex Semiconductor Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | XBS203V19 | Schottky | SMA-XG | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 390 MV @ 2 A | 70 ns | 3 Ma @ 30 V | 125 ° C | 2A | 280pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | XBS303V19R-G | 0.2480 | ![]() | 2341 | 0.00000000 | Torex Semiconductor Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | XBS303V19 | Schottky | SMA-XG | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 390 MV @ 3 A | 90 ns | 3 Ma @ 30 V | 125 ° C | 3A | 385pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | CMKZ5241B BK | - | ![]() | 2506 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | Sot-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 3 Independientes | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 8.4 V | 11 V | 22 ohmios | |||||||||||||||
![]() | CMKZ5241B TR | - | ![]() | 9106 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | Sot-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 Independientes | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 8.4 V | 11 V | 22 ohmios | |||||||||||||||
![]() | SML4764HE3_A/I | 0.2063 | ![]() | 9980 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4764 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 76 V | 100 V | 350 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Smzj3797bhm3_a/h | 0.1815 | ![]() | 5454 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ3797 | 1.5 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 16.7 V | 22 V | 17.5 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Smzj3802bhm3_a/i | 0.1815 | ![]() | 3561 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ3802 | 1.5 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 38 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Smzj3803bhe3_a/i | 0.1597 | ![]() | 6787 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ3803 | 1.5 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 29.7 V | 39 V | 45 ohmios | |||||||||||||||
![]() | SMZJ3805BHE3_A/H | - | ![]() | 1435 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ3805 | 1.5 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 35.8 V | 47 V | 67 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Smzj3807bhm3_a/i | - | ![]() | 2259 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ3807 | 1.5 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 42.6 V | 56 V | 86 ohmios | |||||||||||||||
![]() | SMZJ3808BHM3_A/H | - | ![]() | 5321 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ3808 | 1.5 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 47.1 V | 62 V | 100 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Smzj3789bhm3/h | - | ![]() | 6288 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ37 | 1.5 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 50 µA @ 7.6 V | 10 V | 5 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Smzj3793bhm3/h | - | ![]() | 7922 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ37 | 1.5 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 9 ohmios | |||||||||||||||
![]() | NRVTSM260EV2T1G | 0.4200 | ![]() | 6281 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-216AA | NRVTSM260 | Schottky | Powermite | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 650 MV @ 2 A | 12 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | |||||||||||||
![]() | 1N5404G | 0.4500 | ![]() | 1521 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | 1N540 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 3 a | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | SD090SB45B.T1 | 0.6491 | ![]() | 8751 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Banda | Activo | Montaje en superficie | Morir | SD090 | Schottky | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0040 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 640 MV @ 7.5 A | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 7.5a | 400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | SD175SC100A.T1 | 2.4345 | ![]() | 9796 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Banda | Activo | Montaje en superficie | Morir | SD175 | Schottky | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0040 | 49 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 840 MV @ 30 A | 750 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 200 ° C | 30A | 1200pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | SZ3725.T1 | 0.3133 | ![]() | 6494 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Banda | Activo | ± 5% | -40 ° C ~ 165 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | SZ3725 | 3 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0050 | 400 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 19.2 V | 25 V | 20 ohmios | ||||||||||||||
![]() | VS-1ENH02-M3/85A | 0.0743 | ![]() | 9054 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | 1enh02 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 920 MV @ 1 A | 28 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||
![]() | V30D202CHM3_A/I | 1.6470 | ![]() | 6866 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | V30D202 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 15A | 880 MV @ 15 A | 200 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
![]() | 6A05G | - | ![]() | 5913 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | R-6, axial | Estándar | R-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 6 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | 150pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | NHP620LFST1G | 0.6012 | ![]() | 5573 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-1023, 4-LFPAK | NHP620 | Estándar | LFPAK4 (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 6 A | 50 ns | 500 na @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||||||||||
![]() | TBS608 | 1.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TBS608 | Estándar | Cucharadita | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | 1 v @ 6 a | 2 µA @ 800 V | 6 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||||
![]() | BZT585B10TQ-7 | 0.0806 | ![]() | 2270 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BZT585 | 350 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | BZT585B10TQ-7DI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 10 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZT585B24TQ-7 | 0.0806 | ![]() | 3141 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BZT585 | 350 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | BZT585B24TQ-7DI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZT585B43TQ-7 | 0.0806 | ![]() | 2613 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BZT585 | 350 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | BZT585B43TQ-7DI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 30.1 V | 43 V | 150 ohmios | |||||||||||||
![]() | NRVBSS26T3G-RG01 | - | ![]() | 9062 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | NRVBSS26 | Schottky | SMB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 630 MV @ 2 A | 200 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||
![]() | V8pm15-m3/i | 0.2393 | ![]() | 2722 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V8PM15 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.08 v @ 8 a | 150 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 8A | 460pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N5993D BK | - | ![]() | 7236 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-1N5993DBK | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 100 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 50 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Jans1n4984d | 374.1920 | ![]() | 9933 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4984d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 |
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