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Diodos (166326)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
IDK02G120C5XTMA1	3.7900	RFQ	8160	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IDK02G120	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY		PG-TO263-2-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-IDK02G120C5XTMA1-448	EAR99	8541.10.0080	1,000		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)		1200 V		1.65 v @ 2 a		18 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	11.8a	182pf @ 1V, 1 MHz
Smaz5931b-e3/5a	0.4200	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaz5931		500 MW	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500						1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 13.7 V				18 V	12 ohmios
Jantxv1n759c-1/tr	10.2410	RFQ	1720	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N759C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 9 V				12 V	30 ohmios
SF1005GH	0.6068	RFQ	2206	Capacidad de semiconductor de Taiwán	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	SF1005	Estándar		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-SF1005GH	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	300 V	10A	1.3 V @ 5 A	35 ns	10 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 150 ° C
NRVTSM260EV2T1G	0.4200	RFQ	6281	onde	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-216AA	NRVTSM260	Schottky		Powermite	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		650 MV @ 2 A		12 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2a	-
BZD27B43P-HE3-18	0.1238	RFQ	6971	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZD27B	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27B43		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000						1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 33 V				43 V	45 ohmios
Smaz33-tp	0.4400	RFQ	55	Micro Commercial Co	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaz33		1 W	DO-214AC (SMAJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 25.1 V				33 V	15 ohmios
1N5371BE3/TR8	2.6850	RFQ	1639	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5371		5 W	T-18	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000						1.2 v @ 1 a		500 na @ 43 V				60 V	40 ohmios
US1A-M3/61T	0.0825	RFQ	8164	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	US1A	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
1SMB3EZ36_R1_00001	0.4500	RFQ	590	Panjit International Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	1SMB3		3 W	SMB (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	800								500 na @ 27.4 V				36 V	22 ohmios
MMSZ5258A_R1_00001	0.1900	RFQ	2	Panjit International Inc.	MMSZ5229A	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5258		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	3757-MMSZ5258A_R1_00001CT	EAR99	8541.10.0050	3.000								100 na @ 27 V				36 V	70 ohmios
Czru16vb-hf	0.0680	RFQ	8110	Tecnología de Collip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	CZRU16		150 MW	0603/sod-523f	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000						900 MV @ 10 Ma		100 na @ 12 V				16 V	36 ohmios
MMBD717_R1_00001	0.0270	RFQ	8068	Panjit International Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBD717	Schottky		Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3,252,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		20 V		370 MV @ 1 MA		1 µA @ 10 V	-55 ° C ~ 150 ° C	200 MMA	2.5pf @ 1v, 1 MHz
AZ23C39-TP	0.0426	RFQ	7660	Micro Commercial Co	-	Una granela	Activo	± 5.13%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C39		300 MW	Sot-23	descascar				353-AZ23C39-TP	EAR99	8541.10.0050	1	1 par Ánodo Común							100 na @ 29 V				39 V	90 ohmios
Jan1N3040B-1/TR	8.3524	RFQ	2357	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N3040B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 51.7 V				68 V	150 ohmios
Maz8027ghl	-	RFQ	6472	Componentes Electrónicos de Panasonic	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 7%	-	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F	MAZ8027		150 MW	Smini2-f3	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	3.000						1 V @ 10 Ma		120 µA @ 1 V				2.7 V	110 ohmios
IDW10G65C5FKSA1	-	RFQ	8089	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	TO-247-3	IDW10G65	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY		PG-TO247-3-41	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	240		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)		650 V		1.7 V @ 10 A	0 ns	400 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	300pf @ 1V, 1 MHz
Tzx4v7b-tap	0.2300	RFQ	36	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Cinta de Corte (CT)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	TZX4V7		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 2 V				4.7 V	100 ohmios
1N4741AHB0G	-	RFQ	2432	Capacidad de semiconductor de Taiwán	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4741		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000								5 µA @ 13.7 V				11 V	20 ohmios
HS1D	0.0260	RFQ	500	Tecnología yangjie	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		DO-214AC (SMA)	-	Cumplimiento de Rohs		Alcanzar sin afectado	4617-HS1DTR	EAR99		5,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
BZT52C22-HE3_A-08	0.0533	RFQ	9924	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			300 MW	SOD-123	descascar				112-BZT52C22-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	15,000								100 na @ 17 V				22 V	55 ohmios
1N3342B	8.5000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	Caja	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido	2383-1N3342B	EAR99	8541.10.0080	10						1.5 V @ 10 A		5 µA @ 83.6 V				110 V	30 ohmios
Jan1N4488US/TR	10.6050	RFQ	3544	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-ENERO1N4488US/TR	EAR99	8541.10.0050	100						1.5 v @ 1 a		250 na @ 72.8 V				91 V	200 ohmios
PCDD1065G1_L2_00001	4.2700	RFQ	3	Panjit International Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	PCDD1065	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	3757-PCDD1065G1_L2_00001DKR	EAR99	8541.10.0080	3.000		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)		650 V		1.7 V @ 10 A	0 ns	70 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	364pf @ 1v, 1 MHz
HS3B V7G	-	RFQ	4781	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	HS3B	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V			50 ns	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	80pf @ 4V, 1 MHz
CD5711V	1.8900	RFQ	8016	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Morir		Schottky		Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD5711V	EAR99	8541.10.0070	1		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		50 V		1 V @ 15 Ma		200 na @ 50 V	-55 ° C ~ 125 ° C	15 Ma	2pf @ 0V, 1 MHz
MMBZ5234BW-TP	0.0363	RFQ	4376	Micro Commercial Co	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	MMBZ5234		200 MW	Sot-323	descascar				353-MMBZ5234BW-TP	EAR99	8541.10.0050	1						900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 4 V				6.2 V	7 ohmios
SBR5E60P5-13D	0.1740	RFQ	8846	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Powerdi ™ 5	SBR5E60	Super Barrera		Powerdi ™ 5	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	5,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		60 V		520 MV @ 5 A		220 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	-
EGL34G-E3/98	0.4100	RFQ	2431	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	EGL34	Estándar		DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.35 V @ 500 Ma	50 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	7pf @ 4V, 1 MHz
1N1186RA	2.5000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	Caja	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Polaridad Inversa Estándar		Do-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido	2383-1N1186RA	EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)				1.2 V @ 30 A			-65 ° C ~ 200 ° C	12A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (166326)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²