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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRB3060CTS | 0.3960 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Schottky | Un 263 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MBRB3060CTSTR | EAR99 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 30A | 750 MV @ 15 A | 200 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
1N5518D/TR | 7.4700 | ![]() | 1782 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5518D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 127 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 26 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Ss310lh | 0.4613 | ![]() | 4093 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | SS310 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-SS310LHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 3 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | PMEG6045ETP-QX | 0.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | Schottky | SOD-128/CFP5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 530 MV @ 4.5 A | 20 ns | 400 µA @ 60 V | 175 ° C | 4.5a | 575pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | FFB20UP20DN | 0.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 1.15 V @ 10 A | 40 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | SSL36A | 0.0820 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SSL36ATR | EAR99 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBR0520-TPS01 | 0.0636 | ![]() | 2376 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | MBR0520 | Schottky | SOD-123 | descascar | 353-MBR0520-TPS01 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 450 MV @ 500 Ma | 100 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 500mA | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | R3711 | 49.0050 | ![]() | 3946 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R3711 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MURF2060CT | 0.5320 | ![]() | 6847 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Estándar | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | 2796-MORF2060CT | 8541.10.0000 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 10A | 2 V @ 10 A | 50 ns | 1 µA @ 600 V | -50 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | BZX584C33VQ | 0.0270 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZX584C33VQTR | EAR99 | 8,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | C3045CT-G | - | ![]() | 7669 | 0.00000000 | Tecnología de Collip | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | C3045 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 30A | 550 MV @ 15 A | 500 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
WNSC2D30650CWQ | 6.8600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 650 V | 30A | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 175 ° C | ||||||||||||
![]() | 1N5420 TR | - | ![]() | 4088 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Cinta y Caja (TB) | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | R-4, axial | 1N5420 | Estándar | GPR-4AM | - | Alcanzar sin afectado | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 10 Ma | 400 ns | 1 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 110pf @ 12V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | BAS40-04 | 0.0581 | ![]() | 6774 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BAS40-04TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 6,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 40 V | 200 MMA | 1 V @ 40 Ma | 5 ns | 200 na @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | |||||||||
![]() | Jan1n5419 | - | ![]() | 3517 | 0.00000000 | Corpacia semtech | MIL-PRF-19500/411. | Una granela | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Axial | Estándar | Axial | descascar | Jan1n5419s | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.1 v @ 3 a | 250 ns | 1 µA @ 500 V | - | 4.5a | 140pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
Jantx1n5615us/tr | 8.8200 | ![]() | 5685 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | A, SQ-Melf | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5615US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.6 v @ 3 a | 150 ns | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||
![]() | 1N2067 | 21.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | Caja | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | Estándar | Do-9 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 2383-1N2067 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 900 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 900 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - | ||||||||||
![]() | CDBA240-G | 0.4700 | ![]() | 64 | 0.00000000 | Tecnología de Collip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | CDBA240 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 2 A | 500 µA @ 40 V | 125 ° C (Máximo) | 2A | - | ||||||||||
![]() | Jantxv1n3047cur-1/tr | - | ![]() | 3225 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1.25 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | 150-JantXV1N3047CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 98.8 V | 130 V | 700 ohmios | ||||||||||||||
![]() | CDBFR43 | 0.0680 | ![]() | 7631 | 0.00000000 | Tecnología de Collip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 1005 (2512 Métrica) | Schottky | 1005/sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 4.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 1 V @ 200 Ma | 5 ns | 500 na @ 25 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | 10pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | MBR30150 PTH | 1.8582 | ![]() | 6636 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | MBR30150 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-MBR30150 PTH | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 30A | 1.02 v @ 30 a | 500 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | AZ23C43Q | 0.0460 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | descascar | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-AZ23C43QTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MD120A16D1-BP | 29.8200 | ![]() | 77 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | D1 | MD120 | Estándar | D1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 1600 V | 120a | 1.35 V @ 300 A | 6 Ma @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | Murb860 | - | ![]() | 3232 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | D2pak | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1655-murb860 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.2 v @ 8 a | 50 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||
![]() | PCRKA20065F8 | - | ![]() | 7259 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | PCRKA20065 | - | 488-PCRKA20065F8 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SS23HE3-LTP | 0.0841 | ![]() | 1603 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Ss23 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | 353-SS23HE3-LTP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 2 A | 100 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 2A | 90pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | Rfn3bm6stl | 0.4575 | ![]() | 5939 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Rfn3b | Estándar | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.55 v @ 3 a | 30 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||||||
![]() | 1N5221B-T | - | ![]() | 8529 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5221 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1N5221B-TGI | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.4 V | 1200 ohmios | |||||||||||
![]() | G1JFS | 0.0180 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-G1JFSTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | GC9704-00 | - | ![]() | 4764 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | Montaje en superficie | Morir | Schottky | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC9704-00 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 5 V | 600 MV @ 1 MA | 100 na @ 1 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10 Ma | 0.8pf @ 0V, 1MHz |
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