SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SM1MA142WKT1G onsemi SM1MA142WKT1G 0.2700
RFQ
ECAD 14 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 SM1MA142 Estándar SC-70-3 (SOT323) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 80 V 100 mA (DC) 1.2 V @ 100 Ma 10 ns 100 na @ 75 V 150 ° C (Máximo)
1N5406K Diotec Semiconductor 1N5406K 0.0846
RFQ
ECAD 8861 0.00000000 Semiconductor diotec - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar DO-15 (DO-204AC) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable 2796-1N5406KTR 8541.10.0000 4.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 10 µA @ 600 V -50 ° C ~ 175 ° C 3A -
BZX84W-C56-QF Nexperia USA Inc. BZX84W-C56-QF 0.0263
RFQ
ECAD 6468 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, BZX84W-Q Tape & Reel (TR) Activo ± 7.14% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1727-BZX84W-C56-QFTR EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 39.2 V 56 V 200 ohmios
BAV99Q Yangjie Technology BAV99Q 0.0210
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Tecnología yangjie Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-23 descascar Cumplimiento de Rohs Alcanzar sin afectado 4617-BAV99QTR EAR99 3.000 100 V 200a 125 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA @ 75 V
BZX584B7V5Q Yangjie Technology BZX584B7V5Q 0.0290
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Tecnología yangjie - Tape & Reel (TR) Activo - Cumplimiento de Rohs Alcanzar sin afectado 4617-BZX584B7V5QTR EAR99 8,000
1PS79SB31,115 NXP Semiconductors 1PS79SB31,115 -
RFQ
ECAD 5059 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo Montaje en superficie SC-79, SOD-523 Schottky Sod-523 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-1PS79SB31,115-954 EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 500 MV @ 200 Ma 30 µA @ 10 V 125 ° C (Máximo) 200 MMA 25pf @ 1V, 1 MHz
JANTXV1N6842U3/TR Microchip Technology Jantxv1n6842u3/tr 681.6900
RFQ
ECAD 6503 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo Schottky U3 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n6842u3/tr EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 900 MV @ 15 A 50 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C 10A 400pf @ 5V, 1MHz
NTE5865 NTE Electronics, Inc NTE5865 6.5500
RFQ
ECAD 11 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5865 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.2 V @ 30 A 1 ma @ 200 V -40 ° C ~ 175 ° C 30A -
MBR3060FCT-BP Micro Commercial Co MBR3060FCT-BP 0.5700
RFQ
ECAD 1493 0.00000000 Micro Commercial Co - Una granela Activo A Través del Aguetero TO20-3 PESTA AISLADA MBR3060 Schottky ITO-220AB descascar 353-MBR3060FCT-BP EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 30A 500 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C
MURF1620CT onsemi MURF1620CT -
RFQ
ECAD 3389 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero MURF16 Estándar Un 220FP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 8A 975 MV @ 8 A 35 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C
MBR2090DC_R2_00001 Panjit International Inc. MBR2090DC_R2_00001 0.3564
RFQ
ECAD 8379 0.00000000 Panjit International Inc. MBR2040DC Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBR2090 Schottky Un 263 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 57,600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 90 V 20A 800 MV @ 10 A 50 µA @ 90 V -50 ° C ~ 150 ° C
BAT54S,235 NXP USA Inc. BAT54S, 235 0.0200
RFQ
ECAD 6647 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky Sot-23 descascar EAR99 8541.10.0070 7,900 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 1 par 30 V 200MA (DC) 800 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V 150 ° C (Máximo)
SF26G-TP Micro Commercial Co SF26G-TP 0.0618
RFQ
ECAD 7315 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SF26 Estándar Do-15 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 4.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 v @ 2 a 35 ns 5 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1 MHz
GV810B_R2_00001 Panjit International Inc. GV810B_R2_00001 0.4700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN GV810 Estándar Un 277b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-GV810B_R2_00001CT EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 55pf @ 4V, 1 MHz
MUR1560HS-BP Micro Commercial Co MUR1560HS-BP 0.6743
RFQ
ECAD 3928 0.00000000 Micro Commercial Co - Una granela Activo A Través del Aguetero Un 220-2 MUR1560 Estándar TO20AC descascar 353-MOR1560HS-BP EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.5 V @ 15 A 50 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A -
ES3DHE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division Es3dhe3/9at -
RFQ
ECAD 6721 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AB, SMC 3 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 900 MV @ 3 A 30 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
V15PM153-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15pm153-m3/h 0.7300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 880 MV @ 15 Ma 150 µA @ 150 V -40 ° C ~ 175 ° C 3.8a 885pf @ 4V, 1MHz
SS10P3-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P3-M3/86A 0.8500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN SS10P3 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 560 MV @ 10 A 800 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
AZ23C4V3-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C4V3-HE3_A-08 -
RFQ
ECAD 5335 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, AZ23 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW Sot-23-3 descascar 112-AZ23C4V3-HE3_A-08TR EAR99 8541.10.0050 1 1 par Ánodo Común 3 µA @ 1 V 4.3 V 90 ohmios
B240AX-13 Diodes Incorporated B240AX-13 0.0738
RFQ
ECAD 1860 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA B240 Schottky SMA descascar 31-B240AX-13 EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 2 A 250 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 220pf @ 4V, 1 MHz
S1KHR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1khr3g -
RFQ
ECAD 4722 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA S1K Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
12CTQ035S SMC Diode Solutions 12CTQ035S 0.8700
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Soluciones de Diodo SMC - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 12ctq Schottky D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 6A 600 MV @ 6 A 800 µA @ 35 V -55 ° C ~ 175 ° C
DXK810_T0_00001 Panjit International Inc. DXK810_T0_00001 0.6900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP DXK810 Estándar Dxk descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-DXK810_T0_00001 EAR99 8541.10.0080 5.600 1.05 v @ 4 a 5 µA @ 1000 V 8 A Fase única 1 kV
STPS2030 Diodes Incorporated STPS2030 0.8450
RFQ
ECAD 1989 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA STPS20 Estándar ITO220AB (TUPO WX2) descascar 31-STPS2030 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 300 V 10A 1.3 V @ 10 A 35 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C
MMXZ5226B-TP Micro Commercial Co MMXZ5226B-TP 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 MMXZ5226 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 V @ 100 Ma 25 µA @ 1 V 3.3 V 28 ohmios
SS3H9-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3H9-E3/57T 0.6400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC SS3H9 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 800 MV @ 3 A 20 µA @ 90 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
1N5918B/TR Microchip Technology 1N5918B/TR 4.4156
RFQ
ECAD 4780 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1.25 W Do-41 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N5918B/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 2 V 5.1 V 4 ohmios
S15KLWH Taiwan Semiconductor Corporation S15KLWH 0.0666
RFQ
ECAD 2380 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-S15KLWHTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 V @ 1.5 A 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.5a 10pf @ 4V, 1 MHz
1N5359BG onsemi 1N5359BG 0.4800
RFQ
ECAD 1318 0.00000000 onde - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5359 5 W Axial descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 18.2 V 24 V 3.5 ohmios
JAN1N6636US/TR Microchip Technology Jan1n6636us/tr -
RFQ
ECAD 5020 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, E 5 W E-Mada descascar 150-ENERO1N6636US/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 20 µA @ 1 V 4.7 V 2 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock