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Diodos (168966)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia @ if, f
VS-85HFL20S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HFL20S05 14.1403
RFQ
 ECAD 5604 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 85hfl20 Estándar DO-203AB (DO-5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.75 V @ 266.9 A 500 ns 100 µA @ 200 V -40 ° C ~ 125 ° C 85a -
UPP1004E3/TR7 Microchip Technology UPP1004E3/TR7 1.8450
RFQ
 ECAD 5349 0.00000000 Tecnología de Microchip PowerMite® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) DO-216AA UPP1004 DO-216 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 2.5 W 1.6pf @ 100V, 1 MHz PIN - Single 100V 1ohm @ 10mA, 100MHz
BZT52B20Q Yangjie Technology BZT52B20Q 0.0280
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Tecnología yangjie - Tape & Reel (TR) Activo - Cumplimiento de Rohs Alcanzar sin afectado 4617-BZT52B20QTR EAR99 3.000
MBR20100PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR20100PTHC0G -
RFQ
 ECAD 4950 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MBR20100 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 20A 950 MV @ 20 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N3293A GeneSiC Semiconductor 1N3293A 33.5805
RFQ
 ECAD 2493 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, Semento 1N3293 Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N3293AGN EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.5 V @ 100 A 17 Ma @ 600 V -40 ° C ~ 200 ° C 100A -
1N4937G-T Diodes Incorporated 1N4937G-T 0.0821
RFQ
 ECAD 5854 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4937 Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZT52C4V7Q Yangjie Technology BZT52C4V7Q 0.0220
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Tecnología yangjie - Tape & Reel (TR) Activo - Cumplimiento de Rohs Alcanzar sin afectado 4617-BZT52C4V7QTR EAR99 3.000
B240AQ-13-F Diodes Incorporated B240AQ-13-F 0.3900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA B240 Schottky SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 2 A 500 µA @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C 2a 200pf @ 40V, 1 MHz
1N5933B onsemi 1N5933B 2.6900
RFQ
 ECAD 922 0.00000000 onde - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 112
SMBG5359C/TR13 Microchip Technology SMBG5359C/TR13 2.8650
RFQ
 ECAD 8613 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB SMBG5359 5 W SMBG (DO-215AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 17.3 V 24 V 3.5 ohmios
SR54F-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. SR54F-AU_R1_000A1 0.1422
RFQ
 ECAD 1667 0.00000000 Panjit International Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AA, placas SMB Platos SR54 Schottky SMBF - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 81,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 5 A 100 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 240pf @ 4V, 1MHz
PTV20B-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV20B-E3/84A -
RFQ
 ECAD 8810 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO220AA PTV20 600 MW DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.5 V @ 200 Ma 10 µA @ 15 V 21.2 V 14 ohmios
BZX384B4V7-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B4V7-E3-08 0.2700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZX384 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZX384B4V7 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 3 µA @ 2 V 4.7 V 80 ohmios
JAN1N4134UR-1/TR Microchip Technology Jan1n4134ur-1/TR 7.8736
RFQ
 ECAD 9858 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N4134UR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 69.2 V 91 V 1200 ohmios
STTA806DI STMicroelectronics Stta806di -
RFQ
 ECAD 7733 0.00000000 Stmicroelectronics TurboSwitch ™ Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 AISLADO, A-220AC STTA806 Estándar To20AC INS descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-2399 EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.75 v @ 8 a 52 ns 100 µA @ 600 V 150 ° C (Máximo) 8A -
1N4731CE3/TR13 Microsemi Corporation 1N4731CE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 8827 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4731 1 W DO-204Al (DO-41) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 1 V 4.3 V 9 ohmios
SS1H15LS Taiwan Semiconductor Corporation SS1H15LS 0.1200
RFQ
 ECAD 2608 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H SS1H15 Schottky Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS1H15LSTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 850 MV @ 1 A 1 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SMBJ5379C/TR13 Microchip Technology SMBJ5379C/TR13 2.1900
RFQ
 ECAD 7037 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5379 5 W SMBJ (DO-214AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 79.2 V 110 V 125 ohmios
SMBJ5360BHE3-TP Micro Commercial Co SMBJ5360BHE3-TP 0.2360
RFQ
 ECAD 5422 0.00000000 Micro Commercial Co Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5360 5 W DO-214AA (SMB) descascar 353-SMBJ5360BHE3-TP EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 1 a 500 na @ 19 V 25 V 4 ohmios
BZX84B15-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B15-E3-08 0.2400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZX84 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B15 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 50 na @ 10.5 V 15 V 30 ohmios
JANS1N4991CUS Microchip Technology Jans1n4991cus 277.2150
RFQ
 ECAD 8996 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, E 5 W D-5B - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 182 V 240 V 650 ohmios
1N5919APE3/TR8 Microchip Technology 1N5919APE3/TR8 0.9150
RFQ
 ECAD 6417 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5919 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 3 V 5.6 V 2 ohmios
MBR25H35CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR25H35CThe3/45 -
RFQ
 ECAD 3877 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 MBR25 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 15A 640 MV @ 15 A 100 µA @ 35 V -65 ° C ~ 175 ° C
FFPF10H60STU onsemi Ffpf10h60stu -
RFQ
 ECAD 9563 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero FFPF10 Estándar TO20F-2L descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.5 V @ 10 A 40 ns 1 Ma @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
TZM5228F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5228F-GS08 -
RFQ
 ECAD 8827 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto - 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TZM5228 500 MW Sod-80 mínimo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 2.500 1.1 V @ 200 Ma 10 µA @ 1 V 3.9 V 1900 ohmios
SS13LHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Ss13lhmtg -
RFQ
 ECAD 2614 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS13 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 1 A 400 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
SR010 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR010 A0G -
RFQ
 ECAD 1121 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR010 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 500 Ma 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 65pf @ 4V, 1 MHz
MMSZ5225C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5225C-HE3-08 0.0454
RFQ
 ECAD 6647 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5225 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 50 µA @ 1 V 3 V 30 ohmios
1N4736AP/TR8 Microchip Technology 1N4736AP/TR8 1.8900
RFQ
 ECAD 1799 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4736 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 4 V 6.8 V 3.5 ohmios
RS3AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs3ahe3_a/i 0.2549
RFQ
 ECAD 3493 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Rs3a Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 2.5 A 150 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 44pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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