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Diodos (166326)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f
VB20100SG-E3/4W	0.4950	RFQ	8474	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB20100	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			100 V		1.07 V @ 20 A		350 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
BAV199-TP	0.2500	RFQ	20	Micro Commercial Co	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAV199	Estándar		Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		Conexión de la Serie de 1 par	70 V	215MA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	3 µs	5 na @ 75 V	-55 ° C ~ 150 ° C
CDLL6351	14.6400	RFQ	1529	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL6351	EAR99	8541.10.0050	1
SBLB10L30HE3/81	-	RFQ	3921	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SBLB10L30	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			30 V		520 MV @ 10 A		1 ma @ 30 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
US2AA-TP	0.0705	RFQ	1925	Micro Commercial Co	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	US2A	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar				353-US2AA-TP	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			50 V		1 v @ 2 a	50 ns	5 µA @ 50 V	-50 ° C ~ 150 ° C	2a	28pf @ 4V, 1MHz
1N5245BTR	-	RFQ	9370	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar					EAR99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		100 na @ 11 V						15 V	16 ohmios
ZMD7.5	0.1260	RFQ	2	Semiconductor diotec	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-50 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			1 W	DO-213AA, Mini Masa	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		2796-ZMD7.5TR		8541.10.0000	2.500								500 na @ 3.5 V						7.5 V	4 ohmios
GC9704-150A	-	RFQ	9426	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Morir		Schottky		Chip	-			Alcanzar sin afectado	150-GC9704-150ATR	EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad			5 V		600 MV @ 1 MA		100 na @ 1 V	-55 ° C ~ 150 ° C	10 Ma	0.8pf @ 0V, 1MHz
V3pm10-m3/i	0.1036	RFQ	9507	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	V3PM10	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-V3PM10-M3/ITR	EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			100 V		560 MV @ 1.5 A		200 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2.1a	300pf @ 4V, 1MHz
Jantxv1n4470us	17.6250	RFQ	5209	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	A, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 1 a		50 na @ 12.8 V						16 V	10 ohmios
Es2balh	0.1491	RFQ	5284	Capacidad de semiconductor de Taiwán	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads		Estándar		SMA Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-ES2BALHTR	EAR99	8541.10.0080	14,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			100 V		950 MV @ 2 A	35 ns	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	28pf @ 4V, 1MHz
1 PMT4115/TR13	0.9600	RFQ	6661	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4115		1 W	DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000						1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 16.72 V						22 V	150 ohmios
Es1alhrvg	0.2565	RFQ	7378	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	ES1A	Estándar		Subma	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			50 V		950 MV @ 1 A	35 ns	5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
S50310TS	158.8200	RFQ	8468	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-S50310TS			1
UMX9501FMR	-	RFQ	1015	Tecnología de Microchip	-	Banda	Activo		-65 ° C ~ 175 ° C		2-SMD				-	-			Alcanzar sin afectado	150-UMX9501FMR	EAR99	8541.10.0060	1		4 W									0.9pf @ 50V, 1MHz	PIN - Single	150V			750mohm @ 50 mm, 100MHz
SMBG5339C/TR13	-	RFQ	7701	Corpacia microsemi	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5339		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000						1.2 v @ 1 a		1 µA @ 2 V						5.6 V	1 ohmios
BZX79-B3V6,143	0.0200	RFQ	20	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar					EAR99	8541.10.0050	1						900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V						3.6 V	90 ohmios
FS2D-LTP	0.0616	RFQ	7569	Micro Commercial Co	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	FS2D	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			200 V			150 ns	5 µA @ 200 V	-50 ° C ~ 150 ° C	2a	50pf @ 4V, 1 MHz
Enero1n3016dur-1	43.9350	RFQ	5439	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3016		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V						6.8 V	3.5 ohmios
CDS752A-1/TR	-	RFQ	1296	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS752A-1/TR	EAR99	8541.10.0050	50
1N824	3.2200	RFQ	1595	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1								2 µA @ 3 V						6.2 V	15 ohmios
Jans1n821-1	102.6900	RFQ	5953	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/159	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1								2 µA @ 3 V						6.2 V	15 ohmios
Surs8110t3g	-	RFQ	1313	onde	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Surs8110	Estándar		SMB	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			100 V		875 MV @ 1 A	35 ns	2 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
VS -50SQ035TR	-	RFQ	1342	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204ar, axial	150SQ035	Schottky		Do-204ar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VS150SQ035TR	EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			35 V		540 MV @ 15 A		1.75 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C	15A	900pf @ 5V, 1 MHz
VLZ16B-GS18	-	RFQ	6426	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ16		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		40 µA @ 14.5 V						15.65 V	18 ohmios
1N2838RB	96.0150	RFQ	8008	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2838		50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 10 A		10 µA @ 76 V						100 V	20 ohmios
Jan1N5532D-1/TR	15.8137	RFQ	9544	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N5532D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 10.8 V						12 V	90 ohmios
1 PMT5934A/TR7	2.2200	RFQ	1418	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5934		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000						1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 18.2 V						24 V	19 ohmios
VS-MBRS190-M3/5BT	0.4900	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	MBRS190	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			90 V		780 MV @ 1 A		500 µA @ 90 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	42pf @ 5V, 1 MHz
1N3343RB	8.5000	RFQ	100	Solid State Inc.	-	Caja	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido	2383-1N3343RB	EAR99	8541.10.0080	10						1.5 V @ 10 A		5 µA @ 91.2 V						120 V	40 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (166326)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²