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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GBPC2502T | 2.5335 | ![]() | 3149 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC2502 | Estándar | GBPC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 200 V | 25 A | Fase única | 200 V | |||||||
![]() | GBPC2504T | 4.2000 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC2504 | Estándar | GBPC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 400 V | 25 A | Fase única | 400 V | |||||||
![]() | GBPC2506T | 4.2000 | ![]() | 923 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC2506 | Estándar | GBPC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 600 V | 25 A | Fase única | 600 V | |||||||
GBPC3504T | 4.6200 | ![]() | 467 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC-T | GBPC3504 | Estándar | GBPC-T | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 400 V | 35 A | Fase única | 400 V | ||||||||
![]() | GBPC3508T | 2.8650 | ![]() | 9078 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC3508 | Estándar | GBPC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 800 V | 35 A | Fase única | 800 V | |||||||
![]() | GBPC50005T | 4.0155 | ![]() | 5604 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC50005 | Estándar | GBPC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.2 V @ 25 A | 5 µA @ 50 V | 50 A | Fase única | 50 V | |||||||
![]() | GBU10J | 1.6300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU10 | Estándar | Gbu | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Gbu10jgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 v @ 5 a | 5 µA @ 600 V | 10 A | Fase única | 600 V | ||||||
![]() | Gbu10m | 1.6300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU10 | Estándar | Gbu | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Gbu10mgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 v @ 10 a | 5 µA @ 1000 V | 10 A | Fase única | 1 kV | ||||||
![]() | GBU15B | 0.6120 | ![]() | 4357 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU15 | Estándar | Gbu | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Gbu15bgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 15 A | 5 µA @ 100 V | 15 A | Fase única | 100 V | ||||||
![]() | GBU15D | 0.6120 | ![]() | 9784 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU15 | Estándar | Gbu | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Gbu15dgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 15 A | 5 µA @ 200 V | 15 A | Fase única | 200 V | ||||||
![]() | GBU15m | 0.6120 | ![]() | 3489 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU15 | Estándar | Gbu | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Gbu15mgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 15 A | 5 µA @ 1000 V | 15 A | Fase única | 1 kV | ||||||
Gbu4a | 1.4500 | ![]() | 348 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU4 | Estándar | Gbu | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 50 V | 4 A | Fase única | 50 V | ||||||||
![]() | Gbu4b | 0.4725 | ![]() | 1430 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU4 | Estándar | Gbu | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 100 V | 4 A | Fase única | 100 V | |||||||
![]() | Gbu4d | 0.4725 | ![]() | 9290 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU4 | Estándar | Gbu | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Gbu4dgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 200 V | 4 A | Fase única | 200 V | ||||||
![]() | Gbu4j | 0.4725 | ![]() | 4987 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU4 | Estándar | Gbu | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Gbu4jgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 4 A | Fase única | 600 V | ||||||
![]() | Gbu6g | 0.5385 | ![]() | 5221 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU6 | Estándar | Gbu | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Gbu6ggn | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 400 V | 6 A | Fase única | 400 V | ||||||
![]() | Gbu6k | 0.4488 | ![]() | 5969 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU6 | Estándar | Gbu | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Gbu6kgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 800 V | 6 A | Fase única | 800 V | ||||||
![]() | Gbu6m | 0.5385 | ![]() | 9765 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU6 | Estándar | Gbu | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Gbu6mgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 1000 V | 6 A | Fase única | 1 kV | ||||||
![]() | GKN26/14 | - | ![]() | 2241 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | Do-4 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1400 V | 1.55 V @ 60 A | 4 Ma @ 1400 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 25A | - | ||||||||
![]() | GKR26/16 | - | ![]() | 9036 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | Do-4 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.55 V @ 60 A | 4 Ma @ 1600 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 25A | - | ||||||||
![]() | KBJ404G | 0.5160 | ![]() | 1782 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBJ | KBJ404 | Estándar | KBJ | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | KBJ404GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 400 V | 4 A | Fase única | 400 V | ||||||
![]() | KBL404G | 0.5385 | ![]() | 1146 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBL | KBL404 | Estándar | KBL | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | KBL404GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 400 V | 4 A | Fase única | 400 V | ||||||
![]() | KBL606G | 0.5805 | ![]() | 8943 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBL | KBL606 | Estándar | KBL | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | KBL606GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 600 V | 6 A | Fase única | 600 V | ||||||
![]() | KBP202 | 0.3750 | ![]() | 2207 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | Estándar | KBP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | KBP202GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.1 v @ 2 a | 10 µA @ 100 V | 2 A | Fase única | 100 V | |||||||
KBPC2506T | 2.2995 | ![]() | 3650 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, KBPC-T | KBPC2506 | Estándar | KBPC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 600 V | 25 A | Fase única | 600 V | ||||||||
KBPC35005T | 2.4720 | ![]() | 5619 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, KBPC-T | KBPC35005 | Estándar | KBPC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 50 V | 35 A | Fase única | 50 V | ||||||||
KBPC3506T | 2.4720 | ![]() | 1836 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, KBPC-T | KBPC3506 | Estándar | KBPC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 600 V | 35 A | Fase única | 600 V | ||||||||
KBPC5008T | 2.5875 | ![]() | 1362 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, KBPC-T | KBPC5008 | Estándar | KBPC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 25 a | 5 µA @ 800 V | 50 A | Fase única | 800 V | ||||||||
![]() | KBPM208G | - | ![]() | 8538 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | Estándar | KBPM | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | KBPM208GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 v @ 2 a | 5 µA @ 50 V | 2 A | Fase única | 800 V | |||||||
![]() | KBPM304G | - | ![]() | 8131 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | Estándar | KBPM | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | KBPM304GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | 1.1 v @ 3 a | 5 µA @ 50 V | 3 A | Fase única | 400 V |
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