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Diodos (166326)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
RD4.3ES-T1	0.0500	RFQ	8	Renesas Electronics America Inc	*	Una granela	Activo									-						0000.00.0000	1
TLZ2V4-GS08	0.0422	RFQ	9383	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ2V4		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500				1.5 V @ 200 Ma								2.4 V	100 ohmios
HER155-AP	-	RFQ	7665	Micro Commercial Co	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	HER155	Estándar		Do-15	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	5,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.3 V @ 1.5 A	50 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 125 ° C	1.5a	50pf @ 4V, 1 MHz
BZX84-C3V3-QR	0.0319	RFQ	2559	Nexperia USA Inc.	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1727-BZX84-C3V3-QRTR	EAR99	8541.10.0050	3.000				900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V						3.3 V	95 ohmios
RKZ30BKJ#R1	0.0500	RFQ	344	Renesas Electronics America Inc	*	Una granela	Activo									-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.10.0050	8,000
HZU5.6B2TRF-E	0.1200	RFQ	36	Renesas Electronics America Inc	*	Una granela	Activo									descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.10.0050	3.000
MUR340SB R5G	1.1500	RFQ	3	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	MUR340	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.25 v @ 3 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	40pf @ 4V, 1 MHz
CD961	1.6950	RFQ	7003	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD961	EAR99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 200 Ma		2 µA @ 7.6 V						10 V	8.5 ohmios
VS-130MT140KPBF	86.2540	RFQ	5014	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo mt-k	130MT140	Estándar		MT-K	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS130MT140KPBF	EAR99	8541.10.0080	15								130 A		Fase triple	1.4 kV
Jans1n6632c	-	RFQ	4995	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	E, axial			5 W	E, axial	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.5 v @ 1 a		300 µA @ 1 V						3.3 V	3 ohmios
ER800_T0_00001	0.2700	RFQ	5033	Panjit International Inc.	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	ER800	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	3757-ER800_T0_00001	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	50 V	950 MV @ 8 A	35 ns	1 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
MD100S16M3-BP	72.0600	RFQ	60	Micro Commercial Co	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	M3	MD100	Estándar		M3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	60				1.9 V @ 300 A		300 µA @ 1600 V		100 A		Fase triple	1.6 kV
GBU4M-BPC01	0.3868	RFQ	3288	Micro Commercial Co	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	GBU4	Estándar		Gbu	descascar				353-GBU4M-BPC01	EAR99	8541.10.0080	1				1 v @ 2 a		5 µA @ 1000 V		4 A		Fase única	1 kV
RD2.4F-T7-AZ	0.2000	RFQ	7	Renesas Electronics America Inc	*	Una granela	Activo									descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.10.0050	1
GBJ1502-G	-	RFQ	7821	Tecnología de Collip	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBJ		Estándar		GBJ	-				641-GBJ1502-G	EAR99	8541.10.0080	1				1 V @ 7.5 A		10 µA @ 200 V		15 A		Fase única	200 V
BZB84-B75,215	0.3100	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZB84-B75		300 MW	To-236ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000	1 par Ánodo Común			900 MV @ 10 Ma		50 na @ 52.5 V						75 V	255 ohmios
BZX55C43	0.0200	RFQ	5665	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 7%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	1,000				1.3 V @ 100 Ma		100 na @ 32 V						43 V	90 ohmios
SML4761-E3/61	0.4700	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4761		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800						5 µA @ 56 V						75 V	175 ohmios
PZU10B3,115	-	RFQ	5443	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			310 MW	SC-90	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-PZU10B3,115-954			1				1.1 V @ 100 Ma		100 na @ 7 V						10 V	10 ohmios
AMMSZ5240A-HF	0.0725	RFQ	7033	Tecnología de Collip	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123	AMMSZ5240		500 MW	SOD-123	-	Cumplimiento de Rohs			641-AMMSZ5240A-HFTR	EAR99	8541.10.0050	3.000				900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 8 V						10 V	17 ohmios
1EZ200D10/TR12	-	RFQ	4858	Corpacia microsemi	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1EZ200		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000				1.2 v @ 200 ma		500 na @ 152 V						200 V	1900 ohmios
S4280TS	57.8550	RFQ	7811	Tecnología de Microchip	S42	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento	S4280	Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	800 V	1.2 v @ 200 a		50 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 200 ° C	125a	-
CDS3029B-1	-	RFQ	7911	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS3029B-1	EAR99	8541.10.0050	50
Jantx1n969bur-1	6.5250	RFQ	1225	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N969		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 17 V						22 V	29 ohmios
BZT52-C9V1J	0.2200	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6.1%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52		350 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000				900 MV @ 10 Ma		500 na @ 6 V						9.05 V	10 ohmios
SMMSZ4711T1G	-	RFQ	8837	onde	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	SMMSZ4711		500 MW	SOD-123	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000				900 MV @ 10 Ma		10 na @ 20.4 V						27 V
MTZJ4V3SA R0G	0.0305	RFQ	9756	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204ag, do-34, axial	Mtzj4		500 MW	Do-34	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						5 µA @ 1 V						4.17 V	100 ohmios
HS2GFSH	0.1242	RFQ	1333	Capacidad de semiconductor de Taiwán	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-128		Estándar		SOD-128	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-HS2GFSHTR	EAR99	8541.10.0080	14,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.3 v @ 2 a	50 ns	1 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	25pf @ 4V, 1 MHz
MMSZ5262A_R1_00001	0.1900	RFQ	3	Panjit International Inc.	MMSZ5229A	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5262		500 MW	SOD-123	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	3757-MMSZ5262A_R1_00001DKR	EAR99	8541.10.0050	3.000						100 na @ 39 V						51 V	125 ohmios
Janhca1n757a	7.2618	RFQ	3994	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N757A	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 7 V						9.1 V	10 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
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2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²